TIP42C транзистор: характеристики (параметры), аналоги отечественные, цоколевка

Транзистор TIP42C

TIP42C — кремниевый, планарно-эпитаксиальный PNP транзистор. Конструктивное исполнение – преимущественно TO-220.

Корпус и цоколевка

Транзистор TIP42C

Применение

Разработан для применения в усилителях общего назначения, аудио усилителях и переключающих устройствах.

Характерные особенности

  • Новая расширенная серия транзисторов.
  • Повышенная линейность коэффициента усиления по току hFE.
  • Коэффициент усиления по току hFE ≥ 30 при IC = — 0,3 А.
  • Комплементарная пара TIP41C.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.

ХарактеристикаСимволЗначение *
Напряжение коллектор-база, В UCBO100
Напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO100
Напряжение база-эмиттер, В UEBO5
Ток коллектора постоянный, А ICO6
Ток коллектора пиковый, А ICM10
Ток базы постоянный, А IBO2
Мощность рассеяния, Втпри TС = 25°С PC65
при Ta = 25°С PC2
Предельная температура кристалла, °С TJ150
Диапазон температур при хранении, °С TSTG от -55 до 150

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаСимволВеличина
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA57
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтRƟJC1,67

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре внешней среды Ta = 25°C

ХарактеристикаОбознач.Параметры при измеренияхЗначения **
Ток коллектора выключения, мАICESUCE = 100 В, UEB = 0≤ 0,4
Ток выключения коллектор-эмиттер, мА ICEOUCE = 60 В, IB = 0≤ 0,7
Ток базы выключения, мАIEBOUBE = 5 В, IC =0≤ 1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *UCE(sat)IC = 6 А, IB = 600 мА≤ 1,5 В
Напряжение включения база-эмиттер, В *UBE(ON)IC = 6 А, UCE = 4,0 В≤ 2,0
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В *UCEO(sus)IC = 30 мА, IB = 0100
Статический коэффициент усиления по току *hFE (1)UCE = 4 В, IC = 0,3 А≥ 30
hFE (2)UCE = 4 В, IC = 3 Аот 15 до 75
Частота среза, МГцfT UCE = 10 В, IC = 0,5 мА ftest = 1,0 МГц3

٭параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.

٭٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Модификации и группы транзисторов TIP42C

МодельPC, TC=25°CUCB UCE UEB IC TJ fT CChFEКорпус
TIP42C6510010056150330015...75 TO-220
TO-220AB
TO-220C
TIP42C2510010056150330015...75 TO-220IS
TIP42CG/L6510010056150330015...75 TO-220
30015...75 TO-263
TIP42CG/L2210010056150330015...75 TO-220F
TIP42CG/L2010010056150330015...75 TO-252
STTIP42C6510010056150330015...75 TO-220
HTIP42C6510010056150330015...75 TO-220
TIP42E6518014056150330015...75 TO-220C
TIP42F6520016056150330015...75 TO-220C
TIP42P10010010056150330015...75 TO-3P

Примечание: G – без соединений галогенов, L – без соединений свинца.

Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине коэффициента hFE в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона этого параметра. Классификация транзисторов по поддиапазону hFE -параметра не является обязательной и, поэтому, производители не придерживаются какой-либо единой системы. В качестве примеров:

— в информационном листке (даташит) компании-производителя “STMicroelectronics” классификация по группам вводится в обозначение типа транзистора:

  •    TIP42C R – диапазон hFE от 15 до 28;
  •    TIP42C O – диапазон hFE от 24 до 44;
  •    TIP42C Y – диапазон hFE от 42 до 75.

— в информационном листке компании “Unisonic Technologies” группы по hFE так же вводятся в обозначение транзистора, но обозначение и границы групп другие:

  •    TIP42CG(L) – A — диапазон hFE от 15 до 30;
  •    TIP42CG(L) – B — диапазон hFE от 28 до 48;
  •    TIP42CG(L) – C — диапазон hFE от 45 до 75.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, PNP, универсальные, низкочастотные. Разработаны для применения в усилителях низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителях, переключающих устройствах и других схемах.

Отечественное производство

МодельPCUCBUCEUEBIC/ICMTJfTCChFEКорпус
TIP42C6510010056/101503-от 15 до 75TO-220
КТ818Г609090510/151503500˃ 12TO-220
КТ8213А6510010056/101503-от 15 до 75TO-220
КТ82155010010052/41503-от 500 до 1000TO-220
КТ816Г2510010053/615036025SOT-32

Зарубежное производство

Все аналоги в корпусе TO-220.

МодельPCUCBUCEUEBICTJfTCChFE
TIP42C6510010056150330020
2N6125408080541502-20
2N6126408080541502-20
2SA1010401001007717520-40
2SB5954010010055150527040
2SB633P501008066150815080
2SB7034010080441509110100
2SB70840808077150--40
2SB7534010010077150525070
2SB816/D/E80150150881507,5-60/60/100
BD244B659080561503-30
BD244BG658080561503-30
BD244C65115100561503-30
BD244CG65100100561503-30
BDX34E7014014051020020-750
ECG197509080-71750,8-20
FJP19438023023051515030-55
HEPS915365-100-8150--1000

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические данные

Зависимость коэффициента усиления от коллекторной нагрузки

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления hFE от коллекторной нагрузки IC при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Характеристики области насыщения транзистора

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения UCE от управляющего тока базы IB при различных нагрузках IC.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры Tj = 25°C.

Характеристики включенного состояния транзистора

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

  • зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки IC;
  • зависимость напряжения насыщения UBE(sat) от тока нагрузки IC (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
  • зависимость управляющего напряжения UBE база-эмиттер от тока нагрузки IC при коллекторном напряжении UCE = 4 В.
Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки IC:

  • ƟUC – для коллекторного напряжения насыщения UCE(sat);
  • ƟUB – напряжения базы UBE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току IC/IB не превышающем ¼ от значения hFE по постоянному току.

Характеристики области выключения транзистора

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

  • зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения UCE = 30 В;
  • область разделена осью UBE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора ICES.
Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

  • шкала (помечена на графике TA) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
  • шкала (помечена на графике TC) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.
Характеристики включения транзистора

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки td и времени нарастания tr импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C и отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10.

Характеристики выключения транзистора

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда ts в п/п структуре и времени спадания tf импульса от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при величине напряжения питания UCC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) TC = 25°C, отношении тока коллектора к току базы IC/IB = 10 и равенстве токов IB1 = IB2.

Область безопасной работы транзистора

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

  • сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения UCEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
  • штрихпунктирная ограничивающая линия –
  • UCE [В] повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
  • пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры Tj = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса TC = 25°C).

radiosvod.ru