SMD Диод M7: характеристики, аналоги, модификации

Диод M7 (SM4007)

M7 (SM4007) — кремниевые выпрямительные диоды общего назначения. Конструктивное исполнение – SMD-корпуса для поверхностного монтажа (MELF, SMA, SMB, SM-1, SOD-123 и др.).

Диод M7 SMB

Диод M7 MELF

Характерные особенности

  • Предназначены для поверхностного монтажа.
  • Кристалл пассивирован стеклом.
  • Малые токи утечки (обратные токи).
  • Малое падение напряжения в открытом состоянии, значительный прямой анодный ток.
  • Эпоксидное покрытие имеет классификацию по воспламеняемости по UL 94V-0.
  • Катод обозначен цветной полосой.
  • Высокотемпературная пайка погружением до 10 сек. при температуре до 265°С.

Характеристики, представленные ниже в таблицах, определялись в следующем режиме: температура внешней среды, если не указано иное, Ta = 25°C. Однофазная сеть, частота 60 Гц, одна полуволна тока, индуктивная или резистивная нагрузка. При емкостной нагрузке значения токов необходимо уменьшить на 20%.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика, ед. измеренияОбозначениеОсобенности измеренийВеличина
Максимальное повторяющееся обратное напряжение, ВURRM-1000
Максимальное среднеквадратичное обратное напряжение, ВURSM-700
Максимальное блокирующее обратное напряжение постоянного тока, ВUDC-1000
Максимальный среднеквадратичный прямой ток, АIF(AV) 60 Гц, полуволна синусоидального тока, 1 цикл, Ta = 25°C.1
Максимальный неповторяющийся ударный прямой ток, АIFSM60 Гц, полуволна синусоидального тока, 1 цикл, Ta = 25°C.30
Диапазон рабочих температур п/п структуры, °СTJ--55°С…+125°С
Диапазон температур хранения, °СTstg--55°С…+150°С

Электрические параметры

Характеристика, ед. измеренияОбозначениеОсобенности измеренийВеличина
Максимальное падение напряжения в прямом направлении, мгновенное значение, ВUFMIFM = 1,0 А1
Максимальный обратный постоянный ток при номинальном блокирующем напряжении, мкАIRMURM = URRMTa = 25°C2,5
Ta = 125°C50
Тепловое сопротивление (типовое значение), °С/ВтRƟJAP/n-переход – внешняя среда55
Емкость p/n-перехода при обратном напряжении (типовое значение), пФCJf = 1МГц, URM = 4 В постоянного тока.12

Модификации диодов типа M7 (SM4007 от различных производителей)

ТипURRM/URSM/UDC, ВIF(AV), АIFSM, АTJ, °СTSTG, °СUFM, ВIRM, А
TA = 25°C
IRM, А
TA = 125°C
RƟJL /RƟJA °C/ВтCJ, пФ КорпусМаркировка
M71000/700/1000130-55°C...+125°C-55°C...+125°C12,550-/5512SMA-W (DO-214AB)-
SM4007 ٭1000/700/1000130-65°C…+175°C-65°C...+175°C1,11050 30/7515SMB (DO-214AA) -
SM40071000/700/1000130-55°C...+150°C-55°C...+150°C1,1550 -/5015MELF (DO-213AB) -
SM40071000/700/1000130-55°C...+150°C-55°С...+150°C1,15100 -/4015MELF -
SM40071000/700/1000130-65°C...+175°C-65°C...+175°C1,1550 20/5015MELF -
SM40071000/700/1000130-65°C…+175°C-65°C...+175°C1,1550 30/7515MELF -
SM40071000/700/1000130-65°C...+150°C-65°C...+150°C1,1550 30/7515MELF (DO-41) -
SM40071000/700/1000130-65°C...+175°C-65°C...+175°C1,1550 -/5015SM-1 -
SM40071000/700/1000130-65°C...+175°C-65°C...+175°C1,1550 20/-15SM-1 -
SM4007A1000/700/1000130-65°C...+175°C-65°C...+175°C1,1550 -/5015SMA (DO-214AC) -
SM4007A1000/700/1000130-55°C...+125°C-55°C...+125°C1,1550 -/5015SMA -
SM4007M1000/700/1000130-55°C...+150°C-65°C...+175°C1,1550 30/6015SOD-123MA7
SM4007Q1000/700/1000130-------DO-213AB -
SM4007AM1000/700/1000130-55°C...+150°C-55°C...+150°C1,1550 22/309SMAMS1M
SM4007DT1000/700/1000140-55°C...+150°C-55°C...+150°C1550 9/396,5SOD-123DTP7A
SM4007FL1000/700/1000125-55°C...+150°C-55°C...+150°C1,1550 20/-15SOD-123FLD7
SM4007JD1000/700/1000130-55°C...+150°C-55°C...+150°C1,155020/409SOD-123JDA7
SM4007MH1000/700/1000125-55°C...+150°C-65°C...+175°C1,1550-/6015SOD-123MHA7
SM4007PL1000/700/1000125-65°C...+175°C-65°C…+175°C1,1550-/5015SOD-123FLA7
SM4007WS1000/700/10000,310-65°C...+150°C-65°C...+150°C1550-/5015SOD-323T7
SM4007SPT1000/700/1000130-65°C...+175°C-65°C...+175°C155020/5015SOD-123S -
SM4007LFR1000/700/1000130-55°C...+175°C-55°C...+175°C1,15 - -15MELF -

٭ — в таблице диоды SM4007 одинакового обозначения – от различных производителей.

Те же данные представленны в виде картинки.

Модификации диодов типа M7

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Аналоги

Для замены M7 могут подойти диоды кремниевые, диффузионные, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и преобразовательных устройствах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производсто

ТипURRMIF(AV)IFSMTJUFMIRM
TA = 25°C
IRM
TA = 125°C
Корпус
SM40071000130-55°C.…+125°C12,550SMA-W
(DO-214AB)
КД210В10001050≤ 140°С1≤ 4,5 мАКД-11
2Д220Г/И1000360-1,2/1,045 мкА1,5 мАКД-10
2Д230Г/И1000360-60°C.…+125°C1,5/1,345 мкА1,5 мАКД-11
КД243Ж100016-60°C....+125°C1,110 мкА0,1 мАКД-4Б
КД248А/Б/К10003,0/1,0/1,59,6/3,2/4,8-60°C…+125°C1,440 мкАКД-16
2Д254100013,2-1,5---
КД257Д1000315-60°C....+85°C1,50,2 мА-КД-29С
КД258Д100037,5-60°C....+85°C1,62 мкА-КД-29А

Зарубежное производство

ТипURRM/URSM/UDC, ВIF(AV), АIFSM, АTJ, °СUFM, ВIRM, мкА
TA = 25°C
IRM, мкА
TA = 125°C
RƟJL, °C/ВтRƟJA, °C/ВтCJ, пФКорпус
SM40071000/700/1000130-55°C.…+125°C12,550-5512SMA-W
(DO-214AB)
1N41451000/700/10003300-55°C....+150°C110100-2035DO-27
1N42491000/700/1000140-65°C…+200°C1,2125-- - GPR-1A
1N49481000/700/1000130-65°C....+150°C1,3550-5015DO-41
1N50541000/700/10001,548-65°C....+170°C1,3500-- -DO-41
1N54081000/700/10003200-65°C....+200°C15100-4050DO-201AD
1N56221000/700/1000150-65°C....+200°C1,20,525--35GPR-1A
BY1331300/940/1300130-55°C…+150°C1,15200-5015DO-41
BY2551300/- /13003100-50°C....+150°C1,120--25 -DO-201
BY227MGP1250/875/1250260-65°C....+175°C1,55100--25DO-15
BYD57M1000/-/100015-65°C…+175°C2,151003015020SOD87
BYT-11 URRM = 1000135-55°C....+150°C1,320--60 -F126
BYT51M URRM = 1000150-55°C…+175°C1,11100-45 -DO-15
BYT54M1000/700/10001,2530-55°C....+175°C1,55150-45 -DO-41
BYV36E1000/700/10001,630-55°C…+150°C1,455100-4518DO-15
BYV96E1000/700/10001,535+175°C1,65150-50 -DO-15
BYW56GP1000/700/1000250-65°C....+175°C15100-3550DO-15
DO-204AC
GP2101000/700/1000270-65°C…+175°C1,1550--40-
GPP15M1000/700/10001,560-65°C....+175°C1,15---25DO-15
GPP10M1000/700/1000130-65°C…+125°C1550-5015DO-41
GPP20M1000/700/1000270-65°C....+125°C1550-4020DO-15
GP15M1000/700/10001,550-55°C…+150°C1,15100--20DO-15
GP1101000/700/1000150-65°C....+175°C10,530-3010DO-41
MUR1100F1000/700/1000135-55°C....+150°C1,75550--20SOD-123F
RGP15M1000/700/10001,550-65°C....+175°C1,35200-3025DO-15
RGP1101000/700/1000150-65°C....+175°C1,20,525-5515DO-41

Те же данные представленны в виде картинки.

Зарубежные аналоги диода M7

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристи

Ограничение анодного тока в открытом состоянии

Рис. 1. Ограничение анодного тока в открытом состоянии IF(AV) (среднеквадратичное значение) при увеличении температуры подводящих контактов TL.

Характеристика снята при однофазном токе, полуволне 60 Гц. Нагрузка резистивная или индуктивная. Длина подводящих контактов составляет 9,5 мм (надпись на поле рисунка).

Ограничение амплитуды ударного прямого тока

Рис. 2. Ограничение амплитуды ударного прямого тока IFSM при увеличении количества прошедших через диод полуволн ударного тока длительностью 8,3 мс.

Метод испытания JEDEC: одиночная синусоидальная полуволна длительностью 8,3 мс (надпись на поле рисунка).

N [60 Гц] – количество циклов по методу JEDEC.

Вольтамперная характеристика диода в проводящем направлении

Рис. 3. Вольтамперная характеристика диода в проводящем направлении (прямая ветвь) – зависимость мгновенного значения анодного тока IF от приложенного прямого напряжения анод-катод UF (мгновенное значение).

Характеристика снята при температуре p-n перехода TJ = 25°C.

Длительность испытательного импульса (Pulse Width) = 300 мкс. Скважность (Duty Cycle) = 1%.

Вольтамперные характеристики диода в непроводящем направлении

Рис. 4. Вольтамперные характеристики диода в непроводящем направлении (обратная ветвь) – зависимость мгновенного значения обратного тока (тока утечки) IRM от обратного приложенного напряжения URM (в процентах от пикового значения).

Характеристика снята при двух значениях температуры p-n перехода: 25°С и 100°С.

Типичная зависимость емкости p-n перехода диода от величины приложенного обратного напряжения

Рис. 5. Типичная зависимость емкости p-n перехода диода CJ от величины приложенного обратного напряжения UR.

radiosvod.ru