Характеристики транзистора BF422

BF422, согласно характеристикам, составленным производителями, является кремниевым n-p-n транзистором, изготовленным по эпитаксиально-планарной технологии. Он выделяется невысокой ёмкостью обратной связи, высоким напряжением пробоя и небольшой разностью потенциала К-Э.

Цоколевка

Все фирмы изготовители выпускают BF422 в корпусе ТО-92. При расположении его ножками вниз, так чтобы срез с маркировкой вы могли видеть перед собой, то выводы будут расположены в таком порядке: эмиттер, коллектор, база. Внешний вид устройства, а также его наиболее важные характеристики и габариты имеются на следующем рисунке.

BF422 и F422 транзисторы — это один и тот же только с разной маркировкой.

Технические характеристики

Вначале мы рассмотрим – максимально возможные характеристики. Их нужно учитывать в первую очередь, так при выходе рабочих режимов за эти пределы устройство сломается и выйдет из строя.

Для BF422 их значения равны:

• напряжение (предельное) К –Э V_CE = 250 В;
• напряжение (предельное) К — Б V_CB = 250 В;
• напряжение (предельное) Э -Б V_EB = 5 В;
• ток коллектора (предельно допустимый) I_C = 500 мА;
• мощность (без радиатора) P_C = 625 мВт;
• скорость уменьшения мощности (без радиатора) при росте т-ры 5,0 мВт/°С;
• мощность (с радиатором) P_C = 1,5 мВт;
• скорость уменьшения мощности (с радиатором) при повышении т-ры 12 мВт/°С;
• диапазон температур T_STG = -55°С … +150°С.

Также требуется рассмотреть электрические параметры, так как они влияют на возможности и сферу применения BF422. Их значения могут зависеть от режимов, в которых производятся измерения. В большинстве случаев они определяются при т-ре, равной +25 ^оC. Остальные важные параметры можно найти в следующей таблице.

Электрические х-ки  BF422 (при Т = +25 оC)
Название	Режим прведения измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
напряжение К – Э (нужное для осуществления пробоя)	IC = 1 мA, IВ= 0	V(BR)CEО	300		В
напряжение К – Б (нужное для осуществления пробоя)	IC = 100 мкA, IЕ = 0	V(BR)CВO	250		В
напряжение Э – Б (нужное для осуществления пробоя)	IE= 100 мкA, IC= 0	V(BR)EBO	5,0		В
ток (текущий в противоположном направлении) К – Б	VCВ = 200 В, IЕ = 0	ICВO		0,01	мкА
ток (текущий в противоположном направлении) Э –Б	VEB = 5 В, IC = 0	IEBO		100	нА
к-т усиления транзистора IRF730	VCE= 25 В, IC= 20 мA	hfe	50
напряжение К-Э (нужный для насыщения)	IC = 20 мA, IB = 2 мA	V CE(sat)		0,5	В
напряжение Б-Э (нужный для насыщения)	IC = 20 мA, IB = 2 мA	V ВE(on)		2,0	В
Предельная частота к-та передачи тока	VCE = 10 В, IC= 10мA, f=20 МГц	fT	60		МГц
коллекторная ёмкость (вых.)	VCВ = 30 В, IЕ = 0 мA, f = 1,0 МГц	Cob		1,6	пФ

Для транзисторов, работающих под высокой нагрузкой, нужно также рассмотреть термические значения. Они показывают, как быстро отводится тепло от устройства. Поэтому их нужно учитывать, чтобы избежать перегрева. Для BF422 они равны:

• термосопротивление кристалл – окружающая среда R_ΘJA = 200 °C/Вт;
• термосопротивление кристалл – корпус среда R_ΘJС = 83,3 °C/Вт.

Некоторые транзисторы из данной серии используются в системах управления насосами, двигателями которые представлены на странице Pro-Azs, большинство из них обычно запитывают от резервного дизельного генератора помимо стационарной линии питания.

Аналоги

В качестве аналогов BF422 для замены можно рассмотреть следующий зарубежные устройства: 2SC1473, KSC2330Y, 2SC1473AQ, KSC2330O, 2SC2271, BF420, 2SC3468, 2SC2551. Может применяться в качестве компланарной пары для BF423.

Производители

Среди производителей следует отметить такие фирмы:

• New Jersey Sem-Conductor Products;
• Micro Commercal Components;
• Motorola;
• Siemens Semconductor Group;
• Dc Components;
• SHENZHEN KOO CHN ELECTRONCS;
• Micro Electroncs;
• Foshan Blue Rocket Electroncs;
• General Semconductor.

В магазинах можно имеются устройства, выпущенные следующими компаниями:

• Unisonc Technologes;
• ON Semconductor;
• KEC(Korea Electroncs);
• Contnental Device India Limted;
• NXP Semconductors.