Главная » Транзистор

Транзистор 13007

Просмотров 82.1k. Опубликовано

13007 — кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S, TO263, TO3P). 

Основная информация представленна для модели FJP13007. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Содержание
  1. Корпус, цоколевка
  2. Предназначение
  3. Характерные особенности
  4. Предельные эксплуатационные характеристики
  5. Электрические параметры
  6. Классификация по величине hFE
  7. Модификации транзистора 13007
  8. Аналоги
  9. Отечественное производство
  10. Зарубежное производство
  11. Графические иллюстрации характеристик

Корпус, цоколевка

Транзистор 13007

Предназначение

Транзистор разработан для использования в высокочастотных электронных схемах преобразователей, инверторов, импульсных модуляторов, систем электропривода и схем электронного балласта.

Характерные особенности

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 2,0 В при IC = 5 А.
  • Высокая скорость переключений: tf ≤ 0,7 мкс.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикиОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO9
Ток коллектора постоянный, АIC8
Ток коллектора импульсный, АICP16
Ток базы постоянный, АIB4
Предельная рассеиваемая мощность, ВтTa = 25°CPC2
Tc = 25°CPC80
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-65…+150

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВU(BR)CEOIC = 10 мА, IB = 0≥ 400
Ток эмиттера выключения, мАIEBOUEB = 9 В, IC = 0≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) (1)IC = 2,0А, IB = 0,4 А≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) (2)IC = 5,0А, IB = 1,0 А≤ 2,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) (3)IC = 8,0А, IB = 2,0 А≤ 3,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) (1)IC = 2,0А, IB = 0,4 А≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) (2)IC = 5,0А, IB = 1,0 А≤ 1,6
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE (1) UCE = 5,0 В, IC = 2,0 А8…60
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А5…30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГцfTIC = 1,0 мА, UCE = 10 В≥ 4
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц110
Временные характеристики при резистивной нагрузке
Время нарастания импульса тока, мксtonUCC = 125 В, IC = 5 А,
IB1 = -IB2 = 1,0 А, RL = 25 Ом		1,6
Время сохранения импульса, мксts (tstg)3
Время спадания импульса, мксtf0,7

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Классификация по величине hFE

Группа по величине hFEH1H2
Величина hFE15…2826…39
 

Модификации транзистора 13007

Данные по временным параметрам (ton, ts, tf) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

ТипPCUCBUCEUEBIC/ICMTJfTCobhFEUCE(sat)ton / ts / tfКорпусПримечания
130072/8570040099/-150≥ 5-8…35≤ 0,80,5/5,5/0,5TO220
13007DL2/80400200912/-150≥ 4-8…30≤ 1,01,0/6,0/0,5TO220
13007S2/7550035098/-150≥ 4-8…35≤ 0,60,9/6,0/0,5TO220
13007T2/8070040098/-150≥ 5-8…35≤ 0,80,5/5,0/0,5TO220
3DD130072/-70040098/-150≥ 4805…40≤ 1,0-/3,0/0,7TO263
3DD13007B82/8070040098/16150≥ 5-20…30≤ 1,00,5/5,0/0,5TO220AB
3DD13007B8D2/8070040097/14150≥ 5-15…30≤ 1,00,5/5,0/0,5TO220AB
3DD13007H8D2/9070040099/18150≥ 5-15…30≤ 1,01,0/6,0/0,5TO220AB
3DD13007K-/8070040098/16150≥ 4-8…50≤ 1,2-/4,0/0,7TO220
3DD13007X12/8070040098/16150≥ 5-20…35≤ 1,01,0/6,0/0,3TO220AB
3DD13007Y82/8052034097/14150≥ 4-20…35≤ 0,80,6/5,0/0,4TO220AB
3DD13007Z71,5/5035020098/16150≥ 4-15…30≤ 1,01,0/4,0/1,0TO126F
3DD13007Z82/7535020098/16150≥ 4-15…30≤ 1,01,0/4,0/1,0TO220AB
BR3DD13007
HV7R		2/4590050097/1415018808…40≤ 2,0-/8,0/0,6TO220
BR3DD13007
V8F		2/8070040098/16150≥ 8-8…40≤ 2,0-/9,0/0,6TO220F
BR3DD13007
V9P		2/8070040098/-150≥ 8-10…40≤ 0,9-/9,0/0,6TO3P
BR3DD13007
X7R		2/9070040098/16150≥ 51105…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220
BR3DD13007
X8F		2/9070040098/-150≥ 5-10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220F
BR3DD13007
X9P		2/9070040098/-150≥ 5-10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO3P
CDL130072/8070040098/-150≥ 4-8…40≤ 1,5-/3,6/0,8TO220 Группы по hFE: A/B/C/E
CDL13007D2/7570040094/-150≥ 5-10…50≤ 0,6-/3,6/0,8TO220Группы по hFE: A/B/C/E
CJE130072/8070040098/-150≥ 4-8…40≤ 1,5-/3,6/0,8TO220 Гр. по hFE: A/B
FJP130072/8070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220 Группы по hFE: H1/H2
FJPF13007-/4070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F Группы по hFE: H1/H2
HMJE13007-/8070040098/-150--5…48≤ 3,0-TO220
HMJE13007A-/8070040098/-150--13…25≤ 3,0-TO220
KSE13007-/8070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220
KSE13007F-/4070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F
KSH13007-/8070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220
KSH13007A-/8070040098/16150≥ 4805…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220
KSH13007AF-/4070040098/16150≥ 4805…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F
KSH13007F-/4070040098/16150≥ 41105…60≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F
KSH13007W-/8070040098/16150≥ 41105…40≤ 3,01,6/3,0/0,7TO263
(D2PAK)		 Группы по hFE: H1/H2/…/H5
MJE13007-/8070040098/16150≥ 4805…40≤ 3,01,5/3,0/0,7TO220AB
MJE13007A-/8070040098/16150≥ 41106…40≤ 3,00,7/3,0/0,7TO220
MJE13007D-/8070040098/16150≥ 4805…40≤ 3,01,5/3,0/0,7TO220
MJE13007DV72/8070040097/16150≥ 81105…40≤ 2,0-/9,0/0,6TO220
MJE13007F-/4070040098/16150≥ 411010…39≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220IS Группы по hFE: R/O
MJE13007HV72/4590050097/1415018808…40≤ 2,0-/8,0/0,6TO220
MJE13007M-/8570040098/16150≥ 4-5…40≤ 1,0-/7,0/0,3TO220/S
MJE13007M-/4570040098/16150≥ 4-5…40≤ 1,0-/7,0/0,3TO220FP
MJE13007V72/8070040098/16150≥ 81105…40≤ 2,0-/9,0/0,6TO220
MJE13007V82/8070040098/16150≥ 8-8…40≤ 2,0-/9,0/0,6TO220F
MJE13007V92/8070040098/-150≥ 8-10…40≤ 0,9-/9,0/0,6TO3P
MJE13007X72/90
70040098/16150≥ 51105…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220
MJE13007X82/9070040098/-150≥ 5-10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220F
MJE13007X92/9070040098/-150≥ 5-10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO3P
MJF13007-/4070040098/16150--5…40≤ 3,0-TO220F
PHE13007-/8070040098/16150--5…40≤ 3,0-/3,0/0,7TO220AB٭
SBF13007-O-/4070040098/16150≥ 4-5…40≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F
SBP13007D-/8070040098/16150≥ 46,510…40≤ 3,0-/3,6/1,6TO220
SBP13007-K2,05/8070040098/16150--5…40≤ 2,0-/3,0/0,4TO220٭
SBP13007-O2,05/8070040098/16150--5…40≤ 3,0-/3,0/0,4TO220٭
SBP13007-S2,1/8070040098/16150--5…40≤ 2,5-/3,0/0,4TO220٭
SBP13007-X-/100600400912/24150--6…40≤ 3,0-/3,0/0,4TO220٭
ST13007FP-/3670040098/16150--5…40≤ 3,0-/2,5/0,11TO220FP Гр. по hFE: A/B
٭٭
ST13007DFP-/3670040098/16150--8…40≤ 2,0-/2,3/0,15TO220FP٭٭
ST13007D-/8070040098/16150--8…40≤ 2,0-/2,3/0,15TO220٭٭
STB13007DT4-/8070040098/1615014805…45≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220AB
STD13007F-/4070040098/1615014805…45≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F-3L Гр. по hFE: A/B
STD13007FC-/4070040098/1615014805…45≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220F-3SL Гр. по hFE: A/B
STD13007P-/8770040098/1615014805…45≤ 3,01,6/3,0/0,7TO220AB
SXW13007-/80700400-8/---10…40--/4,0/-TO220
TS13007B-/8070040098/16150≥ 41805…40≤ 3,01,0/3,0/0,7TO220
WBP13007-K2,05/8070040098/16150--5…40≤ 2,0-/3,0/0,4TO220٭
UMT13007-/8070040088/-150≥ 42006--TO220

٭ — кроме того, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (ton, ts, tf) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (ts, tf) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные, предназначенные для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, пускорегулирующих устройствах, схемах строчной развертки ТВ-приемников и во вторичных источниках электропитания.

Отечественное производство

ТипPCUCBUCE UEBIC/ICMTJfTCobhFEUCE(sat)ton / ts / tfКорпусПримечания
130072/8570040099/-150≥ 5-8…35≤ 0,80,5/5,5/0,5TO220
КТ8126А1-/8070040098/16150≥ 41205…40≤ 3,01,6/3,0/0,7КТ-28 (TO220)
2Т856А-/125950950510/12-- -10…60≤ 1,5-/-/0,5КТ-9(TO3)
Б750750
Г850850
КТ872А-/10070070068/151507-6≤ 1,0-/6,7/0,8КТ-43(TO218)
КТ878А2/100900900625/30150≥ 1050012…50≤ 1,5-/3,0/-КТ-9(TO3)
КТ8107А-/100150070055/7150≥ 7≤ 75≥ 2,25≤ 1,0-/3,5/0,5КТ-43-2(TO218)
В1200
КТ8108А/Б/В-/7085085055/7150≥ 15≤ 7510…50≤ 1,0-/3,0/0,3КТ-9(TO3)
КТ8114А-/125150070068/15150 --≥ 6≤ 1,0-/-/0,5КТ-43-2(TO218)
Б1200
КТ8118А-/5090075053/-150≥ 15 -10---
КТ8121А-/7570040054/8150≥ 4-8…60≤ 1,0-/3,0/0,4-
КТ8164А-/7570040094/8150≥ 41108…60≤ 1,00,8/4,0/0,9КТ-28(TO220)

Зарубежное производство

ТипPCUCBUCEUEBIC/ICMTJfTCobhFEUCE(sat)ton / ts / tfКорпус Примечания
130072/8570040099/-150≥ 5-8…35≤ 0,80,5/5,5/0,5TO220
13009T2/95700400911/-150≥ 5-8…40≤ 0,80,4/6,0/0,4TO220
BLD137D-/9070040098/-150--5…40≤ 1,5-/7,0/0,8TO220/S
BR3DD13009
X7R		2/9070040098/-150≥ 5-10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220
BR3DD13009
X8F		2/9070040098/-150≥ 5-10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220F
BUJ105A-/80700400-8/16150--10…36≤ 1,01,0/2,5/0,5TO220AB٭
BUJ106A-/80700400-10/20150--10…33≤ 1,00,75/3,3/0,75TO220AB٭
BUL67-/100700400910/18150--10…50≤ 1,5-/3,2/0,18TO220٭٭
BUL87-/110700400912/24150--8…40≤ 1,5-/3,4/0,165TO220٭٭
FJP3307D-/8070040098/16150-605…40≤ 3,0-/3,0/0,7TO220
MJE13009X72/9070040098/-150≥ 5-10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220
MJE13009X82/9070040098/-150≥ 5-10…40≤ 1,5-/9,0/0,8TO220F
MJE13009ZJ2/90700400912/-150≥ 5-10…40≤ 1,2-/12,0/0,5TO220S
PHE13009-/80700400-12/24150--8…40≤ 2,0-/3,3/0,7TO220AB٭
SBP5307DO-/8070040098/16150--10…40≤ 3,0-/3,6-1,6TO220
SGSF341-/80850400-10/-175---≤ 1,51,2/3,5/0,4TO220٭
TSC148D-/8070040098/16150--8…40≤ 2,00,6/1,6/0,3TO220
TO263

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Зависимость статического коэффициентаусиления от величины коллекторной нагрузки

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при коллекторном напряжении UCE = 5 В.

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при соотношении токов IC/IB = 3.

Зависимость влияния напряжения коллектор-база на величину емкости коллекторного перехода

Рис. 3. Зависимость влияния напряжения коллектор-база UCB на величину емкости коллекторного перехода Cob.

Ограничение предельной тепловой нагрузки

Рис. 4. Ограничение предельной тепловой нагрузки транзистора (максимально допустимой рассеиваемой мощности PC) при возрастании температуры корпуса Tc.

Влияние величины коллекторной нагрузки на время задержки и время нарастания

Рис. 5. Влияние величины коллекторной нагрузки IC на время задержки tD и время нарастания tR.

tD + tR = ton – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

  • UCC = 125 В напряжение питания.
  • UBE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.
  • IС/IB = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).
Влияние величины коллекторной нагрузки на время сохранения импульса и время спадания импульса

Рис. 6. Влияние величины коллекторной нагрузки IC на время сохранения импульса ts (tstg) и время спадания импульса tf.

Характеристики сняты при условиях:

  • UCC = 125 В напряжение питания.
  • IС/IB = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Ограничения нагрузок:

  • по величине предельного тока коллектора IC ≤ 8 А, ICP ≤ 16 А;
  • по величине напряжения коллектор-эмиттер UCEO ≤ 400 В;
  • по общему перегреву п/п структуры;
  • по вторичному пробою п/п структуры.

Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

При индуктивном характере нагрузки могут возникать перенапряжения, значительно превышающие напряжение питания. Повысить запирающую способность транзистора и устойчивость к перенапряжениям удается введением отрицательного смещения по управляющему электроду (IB2 = -IB1 = -1А). В этом случае предельное напряжение коллектор-эмиттер повышается до уровня 700 В.

При снятии характеристик: напряжение питания UCC = 50 В, индуктивность L = 1 мГн.

Оцените статью
radiosvod.ru
Добавить комментарий
Главная
Регистрация
Регистрация
Авторизация
Регистрация
*
*

15 + 13 =

Вход Потеряли пароль ?
Регистрация
*
*
*

четырнадцать + два =

Зарегистрироваться
Регистрация
Генерация пароля
Получить новый пароль
Этот сайт использует cookie для хранения данных. Продолжая использовать сайт, Вы даете свое согласие на работу с этими файлами.