Транзистор S8050: характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

Транзистор S8050 (J3Y)

S8050 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиально-планарный малосигнальный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – ТО-92 и SMD (SOT-23).

Корпус и цоколевка

Транзистор S8050

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных аудио усилителях двухтактной связи класса В и аппаратуре общего назначения.

Характерные особенности

  • Высокий коллекторный ток: IC до 1,5 А.
  • Высокая рассеиваемая мощность: PC до 2 Вт при TC = 25°C.
  • Комплементарная пара: транзистор S8550.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO25
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO6
Ток коллектора, АIC1,5
Рассеиваемая мощность, ВтPC1
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-65…+150

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 35 В В, IE = 0≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкА IEBOUEB = 6 В, IC = 0≤ 0,1
Напряжение пробоя коллектор-база, ВUCBOIC = 100 мкА, IE = 0≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВUCEOIC = 2 мА, IB = 0≥ 25
Напряжение пробоя база-эмиттер, ВUEBOIE = 100 мкА, IC = 0≥ 6
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)IC = 0,8 А, IB = 0,08 А≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat)IC = 0,8 А, IB = 0,08 А≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 1 В, IC = 0,005 мА135
hFE (2)UCE = 1 В, IC = 0,1 мА160
hFE (3)UCE = 1 В, IC = 0,8 мА110
Частота среза, МГцfT UCE = 10 В, IC = 0,05 мА190
Выходная емкость, pFCob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц9

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

КлассификацияBCD
hFE (2)85…160120…200160…300

Модификации и маркировка транзистора S8050

МодельPC UCBUCEUBEICTJfT CobhFEКорпус Маркировка
S8050A0,625402560,8150100985TO-92-
GS8050T0,625402560,8150100945TO-92-
GSTSS80501402551,5150100-85TO-92-
MPS80500,625402561,5150190985TO-92-
S8050A/B/C/D/G0,625402560,8/0,5150100/150985…300TO-92-
S8050T0,625402560,5150150-85TO-92-
SPS80500,62515126,51,51502605200TO-92-
SS8050/C/D/G1402551,5150100-85…400TO-92-
SS8050T1402551,5150100-85TO-92-
STS80500,625302560,81501201985TO-92-
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L0,2402551,515010015120…400SOT-323Y1
S8050W0,25402560,8150100985SOT-323Y1
SS8050W0,2402551,5150100-120SOT-323Y1
GSTSS8050LT10,225402551,5150100-100SOT-231HA
MMSS8050-L/H0,3402550,5150150-120…350SOT-23Y1
MPS8050S0,35402561,5150190-85SOT-23-
MPS8050SC0,35402551,2150150-85…300SOT-23-
MS8050-H/L0,2402560,8150150-80…300SOT-23Y11
S80500,3402550,5150150-120SOT-23-
S8050M-/B/C/D0,45402560,8150100985…300SOT-23 HY3B/C/D
SS8050LT10,225402551,5150150-120SOT-23KEY
KST8050D0,25505061,2150100-100…320SOT-23Y1C, Y1D
KST8050M0,3402560,8150150-40…400SOT-23Y11
KST8050X0,3402051,51501002040…350SOT-23Y1+
KST90130,3402550,5150150-200…400SOT-23J3
KST9013C0,3402550,5150150-40…200SOT-23J3Y
S8050LT10,3402550,5150150-120SOT-23J3Y
MMS8050-L/H0,3402550,5150150-50…350SOT-23J3Y
DMBT80500,3402550,8150100-120SOT-23J3Y
KST8050S0,3402550,5150150-50…400SOT-23J3Y
KTD1304S0,22520120,3150501020…800SOT-23J3Y
KTD13040,22520120,315060-20…1000SOT-23J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

МодельPC Ta = 25°CUCBUCEUBEICTJfTCobhFEКорпус
S8050A0,625402560,8150100985TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г1402560,11501001,745…630TO-92
КТ6114 А/Б/В0,45504550,11501503,560…1000TO-92
КТ968 В430020050,1150902,835…220TO-39

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCobhFEКорпус
S8050A0,625402560,8150100985TO-92
3DG8050A0,625402560,8150100985TO-92
BC517S0,6254030101150200-33000TO-92
BTN8050A30,625402561,51501006160TO-92
BTN8050BA30,625402561,5150100-160TO-92
CX908B/C/D0,625402561150100-120…260TO-92
KTC32030,625-30-0,8150190-100TO-92
KTC32110,625402561,5150190985TO-92
KTS80500,625-25-0,8175--100TO-92
M8050-C/D0,62540256-150150-120…160TO-92
S80500,34092550,5150150-120SOT-23
8050HQLT10,3402551,5150--150SOT-23
8050QLT10,3402550,8150--150SOT-23
8050SLT10,3402550,5150150-120SOT-23
CHT9013GP0,3452550,5150150-120SOT-23
F8050HPLG0,3402550,5150150-120SOT-23
KTC9013SC0,35403050,5150150-200SOT-23
MMBT8050D0,3402550,5150150-200SOT-23
MMS9013-H/L0,3402550,5150150-200SOT-23
NSS40201L0,544025-4150150-120SOT-23
NSS40201LT1G0,54404062-150-200SOT-23
NSV40201LT1G0,54404062150150-200SOT-23
PBSS4140T0,3404051150150-300SOT-23
S90130,3402550,8150150-120SOT-23
ZXTN2040F0,35-40-1-150-300SOT-23
ZXTN25040DFL0,35-40-1,5-190-300SOT-23
ZXTN649F0,5-25-3---200SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах (управления) базы IB.

ависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 1 В.

Зависимость выходного тока (тока коллектора IC) от входного напряжения (управления) база-эмиттер UBE

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость выходного тока (тока коллектора IC) от входного напряжения (управления) база-эмиттер UBE.

Зависимость снята при напряжении коллектор — эмиттер UCE = 1 В.

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и эмиттер-база UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 10.

Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора fT при возрастании коллекторной нагрузки IC

Рис. 5. Изменение полосы пропускания (частоты среза) транзистора fT при возрастании коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В.

Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) Cob от приложенного напряжения коллектор-база UCB

Рис. 6. Зависимость изменения выходной емкости (коллекторного перехода) Cob от приложенного напряжения коллектор-база UCB при непроводящей коллекторной цепи IE = 0.

Частота процесса измерения составляет 1 МГц.

radiosvod.ru
Добавить комментарий