КТ827А это низкочастотный npn кремниевый составной мощный транзистор. Изготовлен по эпитаксиальной меза-планарной технологии. Используется в повторителях, выходных каскадах усилителей, стабилизаторах тока и напряжения, схемах управления электродвигателями и защиты автоматики, различных переключателях. Функциональная эквивалентная схема состоит из двух биполярных npn транзисторов — КТ815 и КТ819 и разработана Дарлингтоном. Схема широко применяется в радиосхемах благодаря высокому коэффициенту h21Э. Отсортированные военной приемкой по максимальным параметрам транзисторы, обозначаются 2Т827А. Существовали партии транзисторов в пластиковом корпусе КТ-43, но выпускаемые в девяностых годах эти изделия чрезвычайно редки.
Распиновка
Транзистор выпущен в металлостеклянном корпусе TO-3 (в советской кодировке КТ-9). Маркировка произведена цифрами и буквами на поверхности металла корпуса. Выводы КТ827А не имеют ключей и смещены от центра, База и эмиттер прибора окружены изолятором из стекломассы. Корпус имеете электрический контакт на коллектор. Обозначение включает наименование транзистора и логотип вендора, месяц и год выпуска, ромбик приёмки военным представительством если она была. Габариты корпуса описаны на схеме ниже. Он содержит пару отверстий для крепления радиатора и конструктива.
Характеристики
Список максимальных параметров КТ827А перечислен ниже:
- Коллекторный ток Iк макс постоянный максимальный =20 А;
- Коллекторный ток Iки макс импульсный максимальный =40 А;
- Сопротивление коллектор-эмиттер насыщения Rкэ нас не более =0,4 Ом;
- Напряжение пробоя база-эмиттер Uбэо макс =5 В;
- Напряжение Uкби импульсное (при tФ=2 мкс) =100 В;
- Напряжение Uкэ макс длительное (при RБЭ = 1000 Ом и UЭБ = 1,5 В) =100 В;
- Ток базы Iб макс длительно протекающий =500 mА;
- Ток коллектора обратный <=3 мА;
- Шумовой коэффициент транзистора менее 2 дБ.
Электрические параметры
Характеристики измерены при температуре +25 ОС и с указанными значениями сопутствующих параметров.
| Параметры | Обозначения | Показатели |
| Uэб вх напряжение база-эмиттер входное | В | 1,6÷2,8 |
| Uэб нас (напряжение насыщения между эмиттером и базой транзистора) при Iк20А, Iб=200мА | В | 2,6÷4 |
| Напряжение насыщения Uкэ при Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА | В | 1÷2 1,8÷3 |
| f гp — частота коэффициента передачи тока граничная | МГц | <4 |
| СЭ — емкость эмиттерного перехода при UЭБ=5,0 В | пФ | min 160 пФ max 350 пФ |
| СК — емкость коллекторного перехода при U КБ=10,0 В | пФ | min 200 пФ max 400 пФ |
| Время включения | мкс | 0,3÷1 |
| Время выключения | мкс | 3÷6 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер при Т=Тк макс | мА | 5 |
| Ток эмиттера обратный при UЭБ=5В | мА | 2 |
Коэффициент hfe
Этот параметр один из важнейших для схем усиления сигналов. Коэффициент усиления h21Э по току в схеме Дарлингтона очень высокий, по факту он представляет собой произведение коэффициентов двух транзисторов находящихся в ней. В нашем случае h21Э находится в диапазоне от 750 до 18000. Коэффициент передачи тока зависит от температуры прямо и линейно. Предельная частота работы ограничена емкостью составного транзистора. Коэффициент передачи тока для транзисторов, включённых по схеме с общим эмиттером при Uкэ=3В, Iк=10А и Тк=25°С составляет от 750 до 6000; при том же напряжении и токе Iк=20А он падает до 3500, и до 100 при Тк=-60°С.
Тепловые и др. параметры
Корпус транзистора КТ827А рассеивает тепло до 3 Вт без радиатора и до 100 Вт с радиатором охлаждения, или 125 Вт для транзистора 2Т827А. Широкий диапазон температуры среды в которой предполагается использование изделия рассчитан на применение как в тропиках, так и в арктических условиях.
| РК макс — постоянная допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе | Вт | 3 |
| РКт макс — постоянная допустимая мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом | Вт | 125 |
| Т макс — температура окружающей среды допустимая | °С | -60 ÷+100 |
| TП макс — температура pn перехода допустимая | °С | 200 |
| fгр — частота граничная коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | МГц | 4 |
| Масса транзистора в металлостеклянном (ТО-3) корпусе | грамм | 20 |
| Cопротивление тепловое кристалл—корпус (при IК = 12.5 А UКЭ= 10 В) | °С/Вт | 4 |
Комплементарная пара (транзисторы имеющие одинаковые значения параметров, с разным типом проводимости) для КТ827А состоит из комплекса с КТ825 с pnp структурой. Изделие КТ827А содержит драгметаллы — серебро и золото. Информация по содержанию драгметаллов для аффинажа показывает зависимость от года выпуска и производителя и колеблется на уровне 0,01–0,02 грамма в одном изделии.
Пример использования
Блок питания на комплиментарной паре КТ825Г-КТ827А:
Аналоги
Аналог КТ827А, идентичный абсолютно по электропараметрам, особенностям корпуса и геометрии расположения выводов отсутствует. Однако возможно использование таких транзисторов как: BDX63, BDX65A, 2N6284, 2N6059, BDX67, MJ4035, MJ3521, BDX87C. Если доступ к аналогам затруднен, то допустимо использование его эквивалентной схемы.
Datasheet
Выпускаются изделия КТ827А в республике Беларусь и Российской Федерации. В Российской Федерации их выпускает АО «Элиз» (г.Фрязино) и АО «Группа Кремний» (г.Брянск). Республика Беларусь производит их на заводе Акционерного Общества «Интеграл» (г.Минск). Ссылка на Datasheet с названием вендора приведена здесь.
Автор публикации
