Транзистор КТ827А: характеристики и аналоги

КТ827А это низкочастотный npn кремниевый составной мощный транзистор. Изготовлен по эпитаксиальной меза-планарной технологии. Используется в повторителях, выходных каскадах усилителей, стабилизаторах тока и напряжения, схемах управления электродвигателями и защиты автоматики, различных переключателях. Функциональная эквивалентная схема состоит из двух биполярных npn транзисторов — КТ815 и КТ819 и разработана Дарлингтоном. Схема широко применяется в радиосхемах благодаря высокому коэффициенту h21Э. Отсортированные военной приемкой по максимальным параметрам транзисторы, обозначаются 2Т827А. Существовали партии транзисторов в пластиковом корпусе КТ-43, но выпускаемые в девяностых годах эти изделия чрезвычайно редки.

Распиновка

Транзистор выпущен в металлостеклянном корпусе TO-3 (в советской кодировке КТ-9). Маркировка произведена цифрами и буквами на поверхности металла корпуса. Выводы КТ827А не имеют ключей и смещены от центра, База и эмиттер прибора окружены изолятором из стекломассы. Корпус имеете электрический контакт на коллектор. Обозначение включает наименование транзистора и логотип вендора, месяц и год выпуска, ромбик приёмки военным представительством если она была. Габариты корпуса описаны на схеме ниже. Он содержит пару отверстий для крепления радиатора и конструктива.

Распиновка КТ827А

Характеристики

Список максимальных параметров КТ827А перечислен ниже:

  • Коллекторный ток Iк макс постоянный максимальный =20 А;
  • Коллекторный ток Iки макс импульсный максимальный =40 А;
  • Сопротивление коллектор-эмиттер насыщения Rкэ нас не более =0,4 Ом;
  • Напряжение пробоя база-эмиттер Uбэо макс =5 В;
  • Напряжение Uкби импульсное (при tФ=2 мкс) =100 В;
  • Напряжение Uкэ макс длительное (при RБЭ = 1000 Ом и UЭБ = 1,5 В) =100 В;
  • Ток базы Iб макс длительно протекающий =500 mА;
  • Ток коллектора обратный <=3 мА;
  • Шумовой коэффициент транзистора менее 2 дБ.

Электрические параметры

Характеристики измерены при температуре +25 ОС и с указанными значениями сопутствующих параметров.

ПараметрыОбозначенияПоказатели
Uэб вх напряжение база-эмиттер входноеВ1,6÷2,8
Uэб нас (напряжение насыщения между эмиттером и базой транзистора) при Iк20А, Iб=200мАВ2,6÷4
Напряжение насыщения Uкэ при Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мАВ  1÷2 1,8÷3
f гp — частота коэффициента передачи тока граничнаяМГц<4
СЭ — емкость эмиттерного перехода при UЭБ=5,0 ВпФmin 160 пФ  max 350 пФ
СК — емкость коллекторного перехода при U КБ=10,0 ВпФmin 200 пФ  max 400 пФ
Время включениямкс0,3÷1
Время выключениямкс3÷6
Обратный ток коллектор-эмиттер при Т=Тк максмА5
Ток эмиттера обратный при UЭБ=5ВмА2

Коэффициент hfe

Этот параметр один из важнейших для схем усиления сигналов. Коэффициент усиления h21Э по току в схеме Дарлингтона очень высокий, по факту он представляет собой произведение коэффициентов двух транзисторов находящихся в ней. В нашем случае h21Э находится в диапазоне от 750 до 18000. Коэффициент передачи тока зависит от температуры прямо и линейно. Предельная частота работы ограничена емкостью составного транзистора. Коэффициент передачи тока для транзисторов, включённых по схеме с общим эмиттером при Uкэ=3В, Iк=10А и Тк=25°С составляет от 750 до 6000; при том же напряжении и токе Iк=20А он падает до 3500, и до 100 при Тк=-60°С.

Тепловые и др. параметры

Корпус транзистора КТ827А рассеивает тепло до 3 Вт без радиатора и до 100 Вт с радиатором охлаждения, или 125 Вт для транзистора 2Т827А. Широкий диапазон температуры среды в которой предполагается использование изделия рассчитан на применение как в тропиках, так и в арктических условиях.

РК макс — постоянная допустимая мощность, рассеиваемая на коллектореВт3
РКт макс — постоянная допустимая мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводомВт125
Т макс — температура окружающей среды допустимая           °С-60 ÷+100
TП макс  — температура pn перехода допустимая°С200
fгр  — частота граничная коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером МГц4
Масса транзистора в металлостеклянном (ТО-3) корпусе        грамм20
Cопротивление тепловое кристалл—корпус (при IК = 12.5 А UКЭ= 10 В)°С/Вт4

Комплементарная пара (транзисторы имеющие одинаковые значения параметров, с разным типом проводимости) для КТ827А состоит из комплекса с КТ825 с pnp структурой. Изделие КТ827А содержит драгметаллы — серебро и золото. Информация по содержанию драгметаллов для аффинажа показывает зависимость от года выпуска и производителя и колеблется на уровне 0,01–0,02 грамма в одном изделии.

Пример использования

Блок питания на КТ827А

Блок питания на комплиментарной паре КТ825Г-КТ827А:

Аналоги

Аналог КТ827А, идентичный абсолютно по электропараметрам, особенностям корпуса и геометрии расположения выводов отсутствует. Однако возможно использование таких транзисторов как: BDX63, BDX65A, 2N6284, 2N6059, BDX67, MJ4035, MJ3521, BDX87C. Если доступ к аналогам затруднен, то допустимо использование его эквивалентной схемы.

Datasheet

Выпускаются изделия КТ827А в республике Беларусь и Российской Федерации. В Российской Федерации их выпускает АО «Элиз» (г.Фрязино) и АО «Группа Кремний» (г.Брянск). Республика Беларусь производит их на заводе Акционерного Общества «Интеграл» (г.Минск). Ссылка на Datasheet с названием вендора приведена здесь.

0

Автор публикации

не в сети 1 месяц

Антон ИТ

0
Комментарии: 0Публикации: 495Регистрация: 02-12-2020
Оцените статью
radiosvod.ru
Добавить комментарий
Авторизация
*
*

три × 3 =

Регистрация
*
*
*

3 × один =

Генерация пароля