КТ817Г – усилительный кремниевый транзистор, производимый по мезаэпитаксиально-планарной технологии. Обладает N-P-N структурой. Учитывая небольшие размеры, считается самым мощным из линейки советских устройств КТ817 (РК до 25 Вт), способным работать с напряжением до 100 В. Встречается в схемах УНЧ, преобразователях и импульсных приборах. Также транзистор устанавливают для регулирования тока вентилятора охлаждения современных АТХ-источников питания. Однако самым актуальном вариантом использование считается ремонт старой бытовой техники и приборов.
Распиновка
КТ817Г выпускается в разных форматах корпуса – от этого и зависит расположение контактов. Выбор изделия зависит от предпочтительного способа установки:
- Для дырочного – подойдет модель в корпусе КТ-27 (ТО-126);
- Для поверхностного – КТ-89 (DPAK).
Оба корпуса собираются из пластмассы. Расположение контактов КТ817 (КТ-27) с разъемом для крепления теплоотвода:
- Эмиттер (Э).
- Коллектор (К).
- База (Б).
В таком варианте задняя металлическая подложка подключена к коллекторному выводу. У КТ817Г (КТ-89) нет разъема для фиксации радиатора. Вывод коллектора также подключен к задней металлической основе. Если рассматривать устройства с передней стороны, то расположение контактов идет в следующем порядке:
- Внизу: 1 – база (Б), 2 – эмиттер (Э).
- Сверху: коллектор (К).
Часто этот транзистор маркируется как КТ817Г, что указывает на формат корпуса, предназначенный для поверхностного монтажа. Внешние буквенные обозначения на упаковку не наносятся.
Характеристики
Максимальные рабочие значения устройства необходимы, если нужно подобрать замену для сломанного модуля или при проектировании новой схемы. Не стоит превышать предельные значения, обозначенные производителем – это может стать причиной повреждения транзистора. Допустимые параметры позволяют определить нагрузку на устройство, которую он способен выдержать в течение непродолжительного временного отрезка.
Максимальные технические характеристики КТ817Г:
- Предельное напряжение на участке К-Э, выдерживаемое в течение длительного временного отрезка (при неограниченно сопротивлении Б-Э, температуре окружающей среды Тк – от 233 до 373 К) – 80 В;
- Допустимое постоянное (на протяжении долгого воздействия) напряжение К-Э (если сопротивление Б-Э больше или равно RБЭ – 1000 Ом, температура окружения не превышает 233-373 К) – 100 В;
- Разрешенное постоянно действующее напряжение Б-Э (температура окружения не должна превышать 233-373 К) – 5 В;
- Ток коллектора – 3 А;
- Предельный импульсный (кратковременный) ток коллектора (температура – от 233 до 373 К, длительность импульса – не более 20 мс) – 40 А;
- Допустимый постоянный ток базы – 1 А;
- Предельная постоянная рассеиваемая коллектором мощность: с радиатором – 25 Вт, без него – 1 Вт;
- Допустимый нагрев кристалла – 423 К;
- Температура вокруг корпуса – от 233 до 373 К.
Также нужно учитывать электрические характеристики изделия. В таблице представлены значений, полученные при тестировании в условиях температуры окружающей среды до +25 °C.
Содержание драгоценных металлов
Если рассматривать КТ817Г в корпусе КТ-27, то в справочниках указано, что в нем содержится до 0,0041488 грамм золота. Информация подтверждена в разных советских и российских источниках. Золотые элементы находятся под корпусом и металлическим основанием. Однако для их извлечения придется использовать специальные вещества и приложить усилия.
Способы проверки
Проверка транзистора структуры N-P-N полностью противоположна тестирования устройств P-N-P. Для работы с модулем нужен мультиметр. Способ проверки:
- Подать на контакт Б плюс (красный щуп), а на остальные два вывода – минус. При открытом переходе на экране тестера должны появиться значения от 600 до 800 мВ.
- Если щупы переставить: плюс на К и Э, минус – на Б, то переходы будут закрыты и ток не пройдет.
- Если дотронуться щупом к эмиттеру и коллектору, то ток все еще не должен проходить.
Для проверки работоспособности транзистора нужно точно знать его тип. Это поможет протестировать устройство мультиметром, не выпаивая его с платы.
Схема простого усилителя ЗЧ
Учитель построен на элементарной схеме с использованием трех транзисторов: КТ3102, КТ816, КТ817. При нагрузке сопротивлением в 4 Ом он выдает мощность в 2W при питании от источника с напряжением в 12V. Такое значение позволяет устройству работать с выходами портативного оборудования.
Аналоги
В datasheet от завода «Интеграл» предложен прототип для транзистора – иностранный BD237. В качестве комплементарной пары используется КТ816. Также можно использовать другие зарубежные модели, близкие по технических характеристикам к КТ817Г:
- MJE31C;
- 2N5192;
- 2N6123;
- 2SC1827;
- 2SD1356;
- 2SD1408;
- BD220;
- BD619;
- BD937;
- TIP31C.
Производители
Производством транзистора занимаются в России и Белоруссии. В Брянске расположен завод «Кремний», а в Минске – «Интеграл». В магазинах чаще всего встречаются изделия именно этих торговых марок.
Автор публикации
