P55NF06, по своим характеристикам, является мощным n-канальным МОП-транзистором. Впервые был разработан компанией ST Microelectronics и изготовлен с использованием новейшей технологии STripFET, позволяющей добиться уменьшения ёмкости и заряда на затворе. Это делает его подходящим для применения в качестве первичного переключателя, в усовершенствованных высокоэффективных изолированных преобразователях постоянного тока, для телекоммуникационных и компьютерных приложений, а также для других конструкций, в которых необходим небольшой заряд на затворе. Кроме этого его используют в схемах управления электродвигателями, преобразователями и других.
Цоколевка
Обычно P55NF06 выпускают в корпусе ТО-220, но иногда его можно встретить также в упаковке D2PAK. Если взять транзистор и повернуть его так, чтобы он был повёрнут стороной с маркировкой, то слева будет затвор, потом сток и с правого края исток. На картинке можно увидеть P55NF06, расположение и габаритные размеры данного транзистора.
Технические характеристики
Начнём рассмотрение P55NF06 с максимальных характеристик. Они были измерены при т-ре +25˚С. В нашем случае они равны:
- напряжение между стоком (Drain) и истоком (Sourse) VDS = 60 В;
- напряжение между затвором (Gate) и истоком (Sourse) VGS = ±20 В;
- мощность, которую может быть рассеяна PD = 110 Вт;
- ток идущий по стоку (Drain) (VGS = 10 В):
- — +25 ОС ID = 50 А;
- +100ОС ID = 35 А;
- ток, текущий по стоку (Drain) небольшой промежуток времени IDМ = 200 А;
- к-т изменения мощности при увеличении температуры 0,73 Вт/ ОС;
- энергия единичного импульса (измерено при следующих параметрах: Tj = 25°C, VDD = 30 В, ID =25 А) EAS = 340 мДж;
- коэффициент восстановления диода после воздействия пикового напряжения (измерено при следующих значениях параметров: ISD ≤ 50 А, di/dt ≤ 400 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX) dv/dt = 7 В/нс;
- термосопротивление переход-корпус Rthj-case = 1,36˚С/Вт;
- термосопротивление переход-окружающая среда Rthj-amb = 62,5˚С/Вт;
- диапазон рабочих т-р TJ = -55 ОC … +175ОC.
Также следует рассмотреть электрические параметров, так как они влияют на возможности P55NF06 и сферу его использования. Их замеры, как обычно, были проведены при т-ре +25˚С, если отдельно не оговорены другие значения. Другие имеющие важные для тестирования значения, можно узнать в таблице.
| Электрические х-ки P55NF06 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Наименование | Параметры | Обозначения | мин | норм | макс | Ед. изм |
| Напряжение между стоком (Drain) и истоком (Sourse), нужное для пробоя | VGS= 0,0 В, ID= 0,250 А | V(BR)DSS | 60 | В | ||
| Ток, идущий по стоку, при 0 потенциале на затворе (Gate) | VDS=60 В | IDSS | 1 | мкА | ||
| VDS = 60В, TJ= 125°C | 0,01 | мА | ||||
| Ток утечки через затвор(Gate) | VGS= ± 20 В | IGSS | ±100 | нА | ||
| К-т изменения потенциала между стоком (Drain) и истоком (Sourse) при повышении или понижении т-ры | ID = 250 мкА | ∆V(BR)DSS/∆TJ | 0,07 | В/°С | ||
| Пороговое напр. между затвором (Gate) и истоком (Sourse) | VDS= VGS, ID=0,25 мА | VGS(th) | 2,0 | 4,0 | В | |
| Сопротивление на участке цепи от стока (Drain) до истока (Sourse) при открытом переходе | VGS= 10 В, ID= 25 A | RDS(on) | 18 | 23 | мОм | |
| Электрическая ёмкость на выходе | VGS= 0 В, VDS= 25 В, f = 1000 кГц | Ciss | 900 | 1220 | пФ | |
| Электрическая ёмкость на входе | Coss | 430 | 550 | пФ | ||
| Электрическая ёмкость затвором (Gate) и истоком (Sourse) | Crss | 80 | 100 | пФ | ||
| Время, требуемое для открытия | VDD=30 В, ID=25 A, Rg=50 Ом | td(on) | 40 | 60 | нс | |
| Время за которое повышается импульс при открытии | tr | 100 | 200 | нс | ||
| Время, требуемое для закрытия | td(off) | 90 | 180 | нс | ||
| Время, нужное для уменьшения импульса | tf | 80 | 160 | нс | ||
| Заряд З | VGS= 10 В, ID= 16 A, VDS= 80 В | Qg | 71 | нКл | ||
| Заряд между затвором (Gate) и истоком (Sourse) | Qgs | 14 | нКл | |||
| Заряд между затвором (Gate) и стоком (Drain) | Qgd | 21 | нКл | |||
| Максимальный потенциал на внутреннем диоде | IS= 50 A, VGS= 0 В | VSD | 1,5 | В | ||
| Продолжительный ток, проходящий по внутреннему диоду | IS | 50 | А | |||
| Предельный ток через внутренний диод (текущий небольшой промежуток времени) | ISM | 200 | А | |||
| Время, необходимое для обратного восстановления | IS= 50 A, VGS= 0 В, dIF/dt = 100 A/мкc | trr | 54 | нс | ||
| Заряд, нужный для восстановления | Qrr | 81 | нКл | |||
Аналоги
Перечислим устройства, которые практически полностью являются аналогами P55NF06:
- HUF75332P3;
- IRFZ46N;
- IRFZ48R;
- SUP60N06-18.
Можно рассмотреть, как кандидатов на замену: 2SK3434, IRLZ44, IRLZ44N, IRLZ44Z. Но тогда нужно проверить параметры обеих транзисторов.
Datasheet
Крупнейшими производителями P55NF06 являются следующие зарубежные компании:
В магазинах можно приобрести транзистор, выпущенный фирмой ST Microelectronics.
Автор публикации
