Характеристики и аналоги транзистора P55NF06

P55NF06, по своим характеристикам, является мощным n-канальным МОП-транзистором. Впервые был разработан компанией ST Microelectronics и изготовлен с использованием новейшей технологии STripFET, позволяющей добиться уменьшения ёмкости и заряда на затворе. Это делает его подходящим для применения в качестве первичного переключателя, в усовершенствованных высокоэффективных изолированных преобразователях постоянного тока, для телекоммуникационных и компьютерных приложений, а также для других конструкций, в которых необходим небольшой заряд на затворе. Кроме этого его используют в схемах управления электродвигателями, преобразователями и других.

Цоколевка

Обычно P55NF06 выпускают в корпусе ТО-220, но иногда его можно встретить также в упаковке D2PAK. Если взять транзистор и повернуть его так, чтобы он был повёрнут стороной с маркировкой, то слева будет затвор, потом сток и с правого края исток. На картинке можно увидеть P55NF06, расположение и габаритные размеры данного транзистора.

P55NF06 распиновка

Технические характеристики

Начнём рассмотрение P55NF06 с максимальных характеристик. Они были измерены при т-ре +25˚С. В нашем случае они равны:

  • напряжение между стоком (Drain) и истоком (Sourse) VDS = 60 В;
  • напряжение между затвором (Gate) и истоком (Sourse) VGS = ±20 В;
  • мощность, которую может быть рассеяна PD = 110 Вт;
  • ток идущий по стоку (Drain) (VGS = 10 В):
    • — +25 ОС ID = 50 А;
    • +100ОС ID = 35 А;
  • ток, текущий по стоку (Drain) небольшой промежуток времени I = 200 А;
  • к-т изменения мощности при увеличении температуры 0,73 Вт/ ОС;
  • энергия единичного импульса (измерено при следующих параметрах: Tj = 25°C, VDD = 30 В, ID =25 А) EAS = 340 мДж;
  • коэффициент восстановления диода после воздействия пикового напряжения (измерено при следующих значениях параметров: ISD ≤ 50 А, di/dt  ≤  400 A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX) dv/dt = 7 В/нс;
  • термосопротивление переход-корпус Rthj-case = 1,36˚С/Вт;
  • термосопротивление переход-окружающая среда Rthj-amb = 62,5˚С/Вт;
  • диапазон рабочих т-р TJ = -55 ОC … +175ОC.

Также следует рассмотреть электрические параметров, так как они влияют на возможности P55NF06 и сферу его использования. Их замеры, как обычно, были проведены при т-ре +25˚С, если отдельно не оговорены другие значения. Другие имеющие важные для тестирования значения, можно узнать в таблице.

Электрические х-ки P55NF06 (при Т = +25 оC)
НаименованиеПараметрыОбозначенияминнорммаксЕд. изм
Напряжение между стоком (Drain) и истоком (Sourse), нужное для пробояVGS= 0,0 В, ID= 0,250 АV(BR)DSS60  В
Ток, идущий по стоку, при 0 потенциале на затворе (Gate)VDS=60 ВIDSS  1мкА
VDS = 60В, TJ= 125°C  0,01мА
Ток утечки через затвор(Gate)VGS= ± 20 ВIGSS  ±100нА
К-т изменения потенциала между стоком (Drain) и истоком (Sourse) при повышении или понижении т-рыID = 250 мкА∆V(BR)DSS/∆TJ 0,07 В/°С
Пороговое напр. между затвором (Gate) и истоком (Sourse)VDS= VGS, ID=0,25 мАVGS(th)2,0 4,0В
Сопротивление на участке цепи от стока (Drain) до истока (Sourse) при открытом переходеVGS= 10 В, ID= 25 ARDS(on) 1823мОм
Электрическая ёмкость на выходеVGS= 0 В, VDS= 25 В, f = 1000 кГцCiss 9001220пФ
Электрическая ёмкость на входеCoss 430550пФ
Электрическая ёмкость затвором (Gate) и истоком (Sourse)Crss 80100пФ
Время, требуемое для открытияVDD=30 В, ID=25 A, Rg=50 Омtd(on) 4060нс
Время за которое повышается импульс при открытииtr 100200нс
Время, требуемое для закрытияtd(off) 90180нс
Время, нужное для уменьшения импульсаtf 80160нс
Заряд ЗVGS= 10 В, ID= 16 A, VDS= 80 ВQg  71нКл
Заряд между затвором (Gate) и истоком (Sourse)Qgs  14нКл
Заряд между затвором (Gate) и стоком (Drain)Qgd  21нКл
Максимальный потенциал на внутреннем диодеIS= 50 A, VGS= 0 ВVSD  1,5В
Продолжительный ток, проходящий по внутреннему диоду IS  50А
Предельный ток через внутренний диод (текущий небольшой промежуток времени) ISM  200А
Время, необходимое для обратного восстановленияIS= 50 A, VGS= 0 В, dIF/dt = 100 A/мкctrr 54 нс
Заряд, нужный для восстановленияQrr 81 нКл

Аналоги

Перечислим устройства, которые практически полностью являются аналогами P55NF06:

  • HUF75332P3;
  • IRFZ46N;
  • IRFZ48R;
  • SUP60N06-18.

Можно рассмотреть, как кандидатов на замену: 2SK3434, IRLZ44, IRLZ44N, IRLZ44Z. Но тогда нужно проверить параметры обеих транзисторов.

Datasheet

Крупнейшими производителями P55NF06 являются следующие зарубежные компании:

В магазинах можно приобрести транзистор, выпущенный фирмой ST Microelectronics.

0

Автор публикации

не в сети 1 месяц

Антон ИТ

0
Комментарии: 0Публикации: 495Регистрация: 02-12-2020
Оцените статью
radiosvod.ru
Добавить комментарий
Авторизация
*
*

2 × 2 =

Регистрация
*
*
*

4 + 17 =

Генерация пароля