Транзистор 13009: характеристики, цоколевка, аналоги

Транзистор 13009

13009 — кремниевый, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S), TO3P, TO247.

Основная информация представленна для модели FJP13009. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Корпус, цоколевкаТранзистор 13009

Предназначение

Транзистор разработан для использования в электронных схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, схемах управления электродвигателями и реле, систем развертки ТВ-приемников.

Характерные особенности

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1,5 В при IC = 8 А.
  • Высокая скорость переключений: tf ≤ 0,7 мкс.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO9
Ток коллектора постоянный, АIC12
Ток коллектора импульсный, АICP24
Ток базы постоянный, АIB6
Предельная рассеиваемая мощность, ВтTa = 25°CPC2
Tc = 25°CPC100
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-65…+150

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Характеристики выключенного состояния
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, ВUCEO(sus)IC = 10 мА, IB = 0≥ 400
Ток эмиттера выключения, мАIEBOUEB = 9,0 В, IC = 0≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭UCE(sat) (1)IC = 5,0А, IB = 1,0 А≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭UCE(sat) (2)IC = 8,0А, IB = 1,6 А≤ 1,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭UCE(sat) (3)IC = 12,0А, IB = 3,0 А≤ 3,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭UBE(sat) (1)IC = 5,0А, IB = 1,0 А≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭UBE(sat) (2)IC = 8,0А, IB = 1,6 А≤ 1,6
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE (1) UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А8…40
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 8,0 А6…30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГцfTIC = 0,5 А, UCE = 10,0 В≥ 4
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФCobUCB = 10,0 В, f = 0,1 МГц180
Временные характеристики при резистивной нагрузке
Время нарастания импульса тока, мксtonUCC = 125 В, IC = 8,0 А,
IB1 = -IB2 = 1,6 А, RL = 15,6 Ом
1,1
Время сохранения импульса, мксts (tstg)3
Время спадания импульса, мксtf0,7

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Классификация по величине hFE

Группа по величине hFEH1H2
Величина hFE8…1715…28
 

Модификации (версии) транзистора 13009

Данные по временным параметрам (ton, ts, tf) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

ТипPC Ta=25°C/Tc=25°CUCBUCE UEBIC/ICMTJhFEfTCobUCE(sat)ton / ts / tfКорпусПримечания
130092/100700400912/-1508…40≥ 4-≤ 0,80,4/7,0/0,4TO220
13009A2/110700400912/-1508…40≥ 4-≤ 0,80,5/8,0/0,4TO220
13009SDL2/100400200915/-1508…30≥ 4-≤ 1,01,0/6,0/1,0TO220
13009T2/95700400911/-1508…40≥ 5-≤ 0,80,4/6,0/0,4TO220
3DD130092/-700400912/-1508…40≥ 4-≤ 1,5-/4,0/0,9TO220
3DD13009A82/100700400912/2415020…35≥ 4-≤ 1,00,6/7,0/0,25TO220AB
3DD13009AN3/120700400912/2415020…35≥ 4-≤ 1,00,6/7,0/0,25TO3P(N)
3DD13009C82/100700400912/2415020…30≥ 5-≤ 1,00,3/6,0/0,3TO220AB
3DD13009K-/100700400912/241505…40≥ 4-≤ 1,8-/3,0/0,7TO220C
3DD13009K-/120700400912/241505…40≥ 4-≤ 1,8-/3,0/0,7TO3PB
3DD13009X8D2/100350200912/2415015…30≥ 4-≤ 1,01,0/4,0/1,0TO220AB
BR3DD13009
X7R
2/9070040098/-15010…40≥ 5-≤ 1,5-/9,0/0,8TO220MJE13009X7
BR3DD13009
X8F
2/9070040098/-15010…40≥ 5-≤ 1,5-/9,0/0,8TO220FMJE13009X8
BR3DD13009X9F2/9070040098/-15010…40≥ 5-≤ 1,5-/9,0/0,8TO3PMJE13009X9
BR3DD13009
Z8F
2/100700400912/-15010…40≥ 5-≤ 1,2-/12,0/0,5TO220FMJE13009Z8
FJA13009-/130700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO3P
FJP13009-/100700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220
FJP13009H2TU-/100700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220Группы по hFE: H1, H2
FJPF13009-/50700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220FГруппы по hFE: H1, H2
HMJE13009A2/100700400912/241505…22≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220AB٭
KSE13009F-/50700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO20F
KSH13009-/100700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009A-/100700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009AF-/50700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220FГруппы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009AL-/130700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO3PГруппы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009F-/50700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220FГруппы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009L-/130700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO3PГруппы по hFE: R, O, Y
KSH13009W-/100700400912/-1506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO263(D2PAK)
MJE130092/100700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220AB٭
MJE13009-3PN2/100700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO3PN
MJE13009A-/1307004001212/-1505…40--≤ 0,8-/9,0/0,15TO3P
MJE13009D2/100700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220٭
MJE13009F-/50700400912/241506…28≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220IS
MJE13009-K2/-700400912/24150≤ 40≥ 4180≤ 1,51,1/4,0/0,7TO220٭
MJE13009-K-/80700400912/24150≤ 40≥ 4180≤ 1,51,1/4,0/0,7TO3P٭
MJE13009-P2/-700400912/24150≤ 40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220٭
MJE13009-P-/80700400912/24150≤ 40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO3P٭
MJE13009Z92/100700400912/-15010…40≥ 5-≤ 1,2-/12,0/0,5TO3P3DD13009Z9
MJE13009ZJ2/80700400912/-15010…40≥ 5-≤ 1,2-/12,0/0,5TO220SBR3DD13009ZJ
MJF13009-/50700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,0/0,7TO220F
P130093/120700400912/-1508…40≥ 4-≤ 0,80,4/7,0/0,4TO3PB
P13009A3/130700400912/-1508…40≥ 4-≤ 0,80,5/10,0/0,4TO3PB
PHE13009-/80700400-12/241508…40--≤ 2,0-/3,3/0,7TO220AB٭
SBF13009-O2,2/50700400912/241506…40≥ 4-≤ 1,5-/10,0/0,8TO220F
SBP13009-K2,2/100700400912/251505…40--≤ 2,0-/3,0/0,4TO220٭
SBP13009-O-/100700400912/251506…40--≤ 1,5-/3,0/0,4TO220٭
SBP13009-S2,2/100700400912/251506…40--≤ 1,0-/3,0/0,4TO220٭
SBW13009-K-/120700400912/251505…40≥ 4-≤ 2,0-/10,0/0,8TO3P(B)
SBW13009-O-/110700400912/251506…40≥ 4-≤ 1,5-/10,0/0,8TO3P(B)
SBW13009-S-/120700400912/251506…40≥ 4-≤ 1,5-/10,0/0,8TO3P(B)
ST13009-/1007004001212/2415010…39--≤ 1,25-/2,5/0,11TO220٭٭
STW13009-/1257004001212/2415010…36--≤ 1,25-/2,5/0,11TO247٭٭
STWH13009-/1257004001212/2415011…30--≤ 1,0-/2,5/0,14TO247٭٭
TS13009-/100700400912/241506…40≥ 4180≤ 1,51,1/3,3/0,5TO220
WBP13009-K2,2/100700400912/251505…40--≤ 2,0-/3,0/0,4TO220٭
SXW13009-/100700400-12/- -8…40----/4,0/-TO220

٭ — кроме указанных в таблице, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (ton, ts, tf) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (ts, tf) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производство

ТипPC
Ta=25°C//Tc=25°C
UCBUCE UEBIC/ICMTJhFEfTCobUCE(sat)ton / ts / tfКорпусПримечания
130092/100700400912/-1508…40≥ 4-≤ 0,80,4/7,0/0,4TO220
КТ840А6090040056/815010…60≥ 8-≤ 0,60,2/3,5/0,6КТ-9(ТО3)
КТ840Б750350≥ 10-
КТ840В80037510…100
КТ841А, В50600350510/15150≥ 20≥ 10300≤ 1,60,08/1,0/0,5--
КТ854А60600500510/15150≥ 20≥ 10102≤ 2,0-КТ-28-2(ТО220АВ)
КТ856А50800800510/1215010…60≥ 10≤ 100≤ 1,5-КТ-9(ТО3)
КТ856Б600600-
2Т856А125950950510/12-≤ 60--≤ 1,5-/-/0,5КТ-9(ТО3)
2Т856Б750750---
2Т856В550550---
2Т856Г850850---
КТ868А7090040056/815010…60≥ 8≤100≤ 1,5-КТ-9(ТО3)
КТ868Б75037510…100-
КТ8107А1001500-58/15-≥ 2,25≥ 7-≤ 1,0-/3,5/0,5КТ-9(ТО3)
КТ8107Б1251500-55/7,5-≥ 2,25-≤ 3,0
КТ8107В501500-55/8-8…12-≤ 1,0
КТ8107Г1001500-610---≤ 3,0
КТ8107Д1001200-610---≤ 1,0
КТ8107Е1001000-610---≤ 1,0
КТ8118А50900800-3/10-10…40≥ 15-≤ 2,0-КТ-28(ТО220)
КТ8121А75700400-4/8-8…60≥ 4-≤ 1,0-КТ-28(ТО220)
КТ8121Б600300----
КТ8126А18070040098/16-5…40-120≤ 3,01,6/3,0/0,7КТ-28(ТО220)
КТ8126Б1600300--
КТ8145В100500500815/-150≥ 1010---КТ-27(SOT32)
КТ8164А7570040094/815010…60≥ 4≤110≤ 1,00,8/4,0/0,9КТ-28(ТО220)
КТ8164Б6003008…40-

Зарубежное производство

ТипPC
Ta=25°C/Tc=25°C
UCBUCE UEBIC/ICMTJhFEfTCobUCE(sat)ton / ts / tfКорпус
130092/100700400912/-1508…40≥ 4-≤ 0,80,4/7,0/0,4TO220
2SC23351,5/4050040077/1515010…80--≤ 1,01,0/2,5/1,0TO220AB
2SC2898-/5050040078/16150≥ 7--≤ 1,00,8/2,0/0,8TO220C
2SC5057-/100900--20/-15038----TO3PL
2SD2625Z92/120700400912/-15010…40≥ 5-≤ 1,2-/12,0/0,5TO3P
3DD209L-/120700400912/241505…40≥ 4-≤ 1,8-/3,0/0,7TO3PN(B)
3DD3320AN3/120700400915/3015015…30≥ 4-≤ 1,00,6/3,0/0,35TO3P(N)
3DD13012A82/100750400915/3015020…35≥ 5-≤ 1,01,0/5,0/0,5TO220AB
BUL743-/1001200500-12/2415024…80--≤ 1,5-/3,8/0,5TO220
BU941-/150500400515/30175≥ 300--≤ 1,8-/15,0/0,5TO220AB
D4515-/120700400915-/1508…50≥ 4-≤ 1,5-/3,0/0,7TO3PN
ECG379-/100700400-12/-17520≥ 4---TO220
MJE13007/A-/8070040098/-1505…45--≤ 3,0-TO220
MJE340-/20,830030030,5/-15050…240----SOT32*
P14883/150750450915/-1508…40≥ 5-≤ 0,80,6/5,0/0,4TO3PB

* — (TO126)

Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик транзистора

Зависимость статического коэффициента усиления от величины коллекторной нагрузки

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер

Рис. 2. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) при различных величинах коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при соотношении токов IC/IB = 3.

Влияние величины коллекторной нагрузки на время задержки и время нарастания

Рис. 3. Влияние величины коллекторной нагрузки IC на время задержки tD и время нарастания tR.

tD + tR = ton – время нарастания импульса (включения транзистора).

Характеристики сняты при условиях:

UCC = 125 В напряжение питания.

UBE(OFF) = 5 В напряжение база-эмиттер перед включением.

IС/IB = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Влияние величины коллекторной нагрузки на время сохранения импульса и время спадания импульса

Рис. 4. Влияние величины коллекторной нагрузки IC на время сохранения импульса ts (tstg) и время спадания импульса tf.

Характеристики сняты при условиях:

UCC = 125 В напряжение питания.

IС/IB = 5 соотношение токов нагрузки (коллектора) и управления (базы).

Изменение емкости коллекторного перехода транзистора при обратном напряжении коллектор-база

Рис. 5. Изменение емкости коллекторного перехода Cob транзистора при обратном напряжении коллектор-база UCB.

Необходимое уменьшение величины предельной рассеиваемой мощности

Рис. 6. Необходимое уменьшение величины предельной рассеиваемой мощности PC при увеличении температуры корпуса транзистора Tc.

Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной или емкостной нагрузки.

Кривые ограничений нагрузки сняты в режиме одиночных импульсов длительностями 10 мкс, 100 мкс и 1 мс, а также в режиме постоянного тока (характеристика обозначена “DC”).

Ограничения нагрузок:

  • по величине предельного тока коллектора IC ≤ 12 А, ICP ≤ 24 А;
  • по величине напряжения коллектор-эмиттер UCEO ≤ 400 В;
  • по общему перегреву п/п структуры;
  • по вторичному пробою п/п структуры.

Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая индуктивной нагрузки.

Характеристика снимается для режима длительности импульса тока коллектора длительностью 10 мкс. Введением обратного смещения базы транзистора (IB2 = -IB1 = -1А) удается повысить устойчивость транзистора по коллекторному напряжению до UCE = 700 В.

Величина индуктивности коллекторной цепи L = 1 мГн.

Характеристики снимаются при температурах внешней среды Ta ≤ 100°C. Величина температуры не оказывает существенного влияния на ход характеристики.

radiosvod.ru