Транзистор 13009

13009 — кремниевый, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор для мощных переключающих цепей. Конструктивное исполнение: TO220 (TO220AB/F/S), TO3P, TO247.

Основная информация представленна для модели FJP13009. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Корпус, цоколевка

Предназначение

Транзистор разработан для использования в электронных схемах преобразователей напряжения, импульсных источников питания, схемах управления электродвигателями и реле, систем развертки ТВ-приемников.

Характерные особенности

• Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: U_(BR)CEO ≥ 400 В.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1,5 В при I_C = 8 А.
• Высокая скорость переключений: t_f ≤ 0,7 мкс.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		UCBO	700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		UCEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		UEBO	9
Ток коллектора постоянный, А		IC	12
Ток коллектора импульсный, А		ICP	24
Ток базы постоянный, А		IB	6
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	Ta = 25°C	PC	2
	Tc = 25°C	PC	100
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg	-65…+150

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO(sus)	IC = 10 мА, IB = 0	≥ 400
Ток эмиттера выключения, мА	IEBO	UEB = 9,0 В, IC = 0	≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (1)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (2)	IC = 8,0А, IB = 1,6 А	≤ 1,5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭	UCE(sat) (3)	IC = 12,0А, IB = 3,0 А	≤ 3,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	UBE(sat) (1)	IC = 5,0А, IB = 1,0 А	≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭	UBE(sat) (2)	IC = 8,0А, IB = 1,6 А	≤ 1,6
Статический коэффициент усиления по току ٭	hFE (1)	UCE = 5,0 В, IC = 5,0 А	8…40
	hFE (2)	UCE = 5,0 В, IC = 8,0 А	6…30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	fT	IC = 0,5 А, UCE = 10,0 В	≥ 4
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	Cob	UCB = 10,0 В, f = 0,1 МГц	180
Временные характеристики при резистивной нагрузке
Время нарастания импульса тока, мкс	ton	UCC = 125 В, IC = 8,0 А, IB1 = -IB2 = 1,6 А, RL = 15,6 Ом	1,1
Время сохранения импульса, мкс	ts (tstg)		3
Время спадания импульса, мкс	tf		0,7

٭ — получено при импульсном тесте: длительность импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%.

Классификация по величине h_FE

Группа по величине hFE	H1	H2
Величина hFE	8…17	15…28

Модификации (версии) транзистора 13009

Данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) в таблице приведены для резистивной нагрузки (если не указано иное).

Тип	PC Ta=25°C/Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	-	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
13009A	2/110	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	-	≤ 0,8	0,5/8,0/0,4	TO220
13009SDL	2/100	400	200	9	15/-	150	8…30	≥ 4	-	≤ 1,0	1,0/6,0/1,0	TO220
13009T	2/95	700	400	9	11/-	150	8…40	≥ 5	-	≤ 0,8	0,4/6,0/0,4	TO220
3DD13009	2/-	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	-	≤ 1,5	-/4,0/0,9	TO220
3DD13009A8	2/100	700	400	9	12/24	150	20…35	≥ 4	-	≤ 1,0	0,6/7,0/0,25	TO220AB
3DD13009AN	3/120	700	400	9	12/24	150	20…35	≥ 4	-	≤ 1,0	0,6/7,0/0,25	TO3P(N)
3DD13009C8	2/100	700	400	9	12/24	150	20…30	≥ 5	-	≤ 1,0	0,3/6,0/0,3	TO220AB
3DD13009K	-/100	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	-	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO220C
3DD13009K	-/120	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	-	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO3PB
3DD13009X8D	2/100	350	200	9	12/24	150	15…30	≥ 4	-	≤ 1,0	1,0/4,0/1,0	TO220AB
BR3DD13009 X7R	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	-	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220	MJE13009X7
BR3DD13009 X8F	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	-	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO220F	MJE13009X8
BR3DD13009X9F	2/90	700	400	9	8/-	150	10…40	≥ 5	-	≤ 1,5	-/9,0/0,8	TO3P	MJE13009X9
BR3DD13009 Z8F	2/100	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	-	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220F	MJE13009Z8
FJA13009	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P
FJP13009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220
FJP13009H2TU	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: H1, H2
FJPF13009	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: H1, H2
HMJE13009A	2/100	700	400	9	12/24	150	5…22	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220AB	٭
KSE13009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO20F
KSH13009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009A	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009AF	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009AL	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F	Группы по hFE: R, O, Y1, Y2
KSH13009L	-/130	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	Группы по hFE: R, O, Y
KSH13009W	-/100	700	400	9	12/-	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO263	(D2PAK)
MJE13009	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220AB	٭
MJE13009-3PN	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3PN
MJE13009A	-/130	700	400	12	12/-	150	5…40	-	-	≤ 0,8	-/9,0/0,15	TO3P
MJE13009D	2/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	٭
MJE13009F	-/50	700	400	9	12/24	150	6…28	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220IS
MJE13009-K	2/-	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/4,0/0,7	TO220	٭
MJE13009-K	-/80	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/4,0/0,7	TO3P	٭
MJE13009-P	2/-	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220	٭
MJE13009-P	-/80	700	400	9	12/24	150	≤ 40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO3P	٭
MJE13009Z9	2/100	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	-	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO3P	3DD13009Z9
MJE13009ZJ	2/80	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	-	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO220S	BR3DD13009ZJ
MJF13009	-/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,0/0,7	TO220F
P13009	3/120	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	-	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO3PB
P13009A	3/130	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	-	≤ 0,8	0,5/10,0/0,4	TO3PB
PHE13009	-/80	700	400	-	12/24	150	8…40	-	-	≤ 2,0	-/3,3/0,7	TO220AB	٭
SBF13009-O	2,2/50	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	-	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO220F
SBP13009-K	2,2/100	700	400	9	12/25	150	5…40	-	-	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13009-O	-/100	700	400	9	12/25	150	6…40	-	-	≤ 1,5	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBP13009-S	2,2/100	700	400	9	12/25	150	6…40	-	-	≤ 1,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SBW13009-K	-/120	700	400	9	12/25	150	5…40	≥ 4	-	≤ 2,0	-/10,0/0,8	TO3P(B)
SBW13009-O	-/110	700	400	9	12/25	150	6…40	≥ 4	-	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO3P(B)
SBW13009-S	-/120	700	400	9	12/25	150	6…40	≥ 4	-	≤ 1,5	-/10,0/0,8	TO3P(B)
ST13009	-/100	700	400	12	12/24	150	10…39	-	-	≤ 1,25	-/2,5/0,11	TO220	٭٭
STW13009	-/125	700	400	12	12/24	150	10…36	-	-	≤ 1,25	-/2,5/0,11	TO247	٭٭
STWH13009	-/125	700	400	12	12/24	150	11…30	-	-	≤ 1,0	-/2,5/0,14	TO247	٭٭
TS13009	-/100	700	400	9	12/24	150	6…40	≥ 4	180	≤ 1,5	1,1/3,3/0,5	TO220
WBP13009-K	2,2/100	700	400	9	12/25	150	5…40	-	-	≤ 2,0	-/3,0/0,4	TO220	٭
SXW13009	-/100	700	400	-	12/-	-	8…40	-	-	-	-/4,0/-	TO220

٭ — кроме указанных в таблице, в даташит производителя также приводятся данные по временным параметрам (t_on, t_s, t_f) для случаев индуктивной нагрузки.

٭٭ — в даташит производителя (и в этой таблице) приводятся данные по временным параметрам (t_s, t_f) только для индуктивной нагрузки.

Аналоги

Для замены могут подойти кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, мощные, переключательные, высоковольтные транзисторы предназначенные для работы в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, переключающих устройствах, преобразователях постоянного напряжения и других схемах аппаратуры общего назначения.

Отечественное производство

Тип	PC Ta=25°C//Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус	Примечания
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	-	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
КТ840А	60	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	-	≤ 0,6	0,2/3,5/0,6	КТ-9	(ТО3)
КТ840Б		750	350				≥ 10		-
КТ840В		800	375				10…100
КТ841А, В	50	600	350	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	300	≤ 1,6	0,08/1,0/0,5	-	-
КТ854А	60	600	500	5	10/15	150	≥ 20	≥ 10	102	≤ 2,0	-	КТ-28-2	(ТО220АВ)
КТ856А	50	800	800	5	10/12	150	10…60	≥ 10	≤ 100	≤ 1,5	-	КТ-9	(ТО3)
КТ856Б		600	600								-
2Т856А	125	950	950	5	10/12	-	≤ 60	-	-	≤ 1,5	-/-/0,5	КТ-9	(ТО3)
2Т856Б		750	750			-		-	-
2Т856В		550	550			-		-	-
2Т856Г		850	850			-		-	-
КТ868А	70	900	400	5	6/8	150	10…60	≥ 8	≤100	≤ 1,5	-	КТ-9	(ТО3)
КТ868Б		750	375				10…100				-
КТ8107А	100	1500	-	5	8/15	-	≥ 2,25	≥ 7	-	≤ 1,0	-/3,5/0,5	КТ-9	(ТО3)
КТ8107Б	125	1500	-	5	5/7,5	-	≥ 2,25		-	≤ 3,0
КТ8107В	50	1500	-	5	5/8	-	8…12		-	≤ 1,0
КТ8107Г	100	1500	-	6	10	-	-		-	≤ 3,0
КТ8107Д	100	1200	-	6	10	-	-		-	≤ 1,0
КТ8107Е	100	1000	-	6	10	-	-		-	≤ 1,0
КТ8118А	50	900	800	-	3/10	-	10…40	≥ 15	-	≤ 2,0	-	КТ-28	(ТО220)
КТ8121А	75	700	400	-	4/8	-	8…60	≥ 4	-	≤ 1,0	-	КТ-28	(ТО220)
КТ8121Б		600	300	-		-			-		-
КТ8126А1	80	700	400	9	8/16	-	5…40	-	120	≤ 3,0	1,6/3,0/0,7	КТ-28	(ТО220)
КТ8126Б1		600	300			-		-
КТ8145В	100	500	500	8	15/-	150	≥ 10	10	-	-	-	КТ-27	(SOT32)
КТ8164А	75	700	400	9	4/8	150	10…60	≥ 4	≤110	≤ 1,0	0,8/4,0/0,9	КТ-28	(ТО220)
КТ8164Б		600	300				8…40		-

Зарубежное производство

Тип	PC Ta=25°C/Tc=25°C	UCB	UCE	UEB	IC/ICM	TJ	hFE	fT	Cob	UCE(sat)	ton / ts / tf	Корпус
13009	2/100	700	400	9	12/-	150	8…40	≥ 4	-	≤ 0,8	0,4/7,0/0,4	TO220
2SC2335	1,5/40	500	400	7	7/15	150	10…80	-	-	≤ 1,0	1,0/2,5/1,0	TO220AB
2SC2898	-/50	500	400	7	8/16	150	≥ 7	-	-	≤ 1,0	0,8/2,0/0,8	TO220C
2SC5057	-/100	900	-	-	20/-	150	38	-	-	-	-	TO3PL
2SD2625Z9	2/120	700	400	9	12/-	150	10…40	≥ 5	-	≤ 1,2	-/12,0/0,5	TO3P
3DD209L	-/120	700	400	9	12/24	150	5…40	≥ 4	-	≤ 1,8	-/3,0/0,7	TO3PN(B)
3DD3320AN	3/120	700	400	9	15/30	150	15…30	≥ 4	-	≤ 1,0	0,6/3,0/0,35	TO3P(N)
3DD13012A8	2/100	750	400	9	15/30	150	20…35	≥ 5	-	≤ 1,0	1,0/5,0/0,5	TO220AB
BUL743	-/100	1200	500	-	12/24	150	24…80	-	-	≤ 1,5	-/3,8/0,5	TO220
BU941	-/150	500	400	5	15/30	175	≥ 300	-	-	≤ 1,8	-/15,0/0,5	TO220AB
D4515	-/120	700	400	9	15-/	150	8…50	≥ 4	-	≤ 1,5	-/3,0/0,7	TO3PN
ECG379	-/100	700	400	-	12/-	175	20	≥ 4	-	-	-	TO220
MJE13007/A	-/80	700	400	9	8/-	150	5…45	-	-	≤ 3,0	-	TO220
MJE340	-/20,8	300	300	3	0,5/-	150	50…240	-	-	-	-	SOT32*
P1488	3/150	750	450	9	15/-	150	8…40	≥ 5	-	≤ 0,8	0,6/5,0/0,4	TO3PB

* — (TO126)

Примечание: данные в таблицах взяты и даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик транзистора