BC547 транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, отечественный аналог

Транзистор BC547

BC547 – биполярный n-p-n транзистор общего назначения (general purpose), представляющий группу, в составе которой, например, компания Farchild Semiconductor выпускает еще четыре прибора, имеющих близкие характеристики, – BC546, BC548, BC549 и BC550.

Корпус и цоколевка


Транзистор выпускается в пластмассовом корпусе ТО-92, представляющем из себя усеченный с одной стороны цилиндр, с одного из торцов которого выведены три ножки прибора, находящиеся в одной плоскости и соединенные с электродами в следующем порядке: коллектор, база, эмиттер (если смотреть со стороны надписи и перечислять слева направо).

Транзистор BC547

Особенности и применение

Высокий коэффициент усиления и небольшой собственный шум позволяют применять эти детали во входных каскадах усилителей, а малое значение напряжения насыщения – в качестве переключателя.

Комплементарные пары

Два транзистора являются комплементарными, или дополняющими, если имеют различную проводимость и очень близкие характеристики. Такие пары часто используются в усилительных каскадах. Для BC546–550 комплементарными являются, соответственно, транзисторы BC556–560.

Группировка транзисторов в зависимости от коэффициента усиления

Наличие в названии транзистора после цифр буквы означает, что  величина параметра hFE находится в определенном диапазоне. Для BC547-550 принята следующая разбивка:

  • А (hFE = 110… 220);
  • В (hFE = 220… 450);
  • С (hFE = 420… 800).

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

ОбозначениеПараметрЗначение
VCBOНапряжение коллектор-база, ВBC54680
(UCB max)BC547/55050
BC548/54930
VCEOНапряжение коллектор-эмиттер, ВBC54665
(UCE max)BC547/55045
BC548/54930
VEBO (UEB max)Напряжение эмиттер-база (обратное), ВBC546/5476
BC548-5505
IC (ICmax)Ток коллектора, А0,1
PC (PC max)Рассеиваемая мощность, Вт0,5
Tj (tjmax)Температура кристалла, °С150
TstgТемпература хранения, °С-65…+150

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.

Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.

Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.

Граничная частота – частота сигнала, при которой hFE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 fT.

Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.

Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. RG – выходное сопротивление источника сигнала.

ОбозначениеПараметрУсловия измеренийЗначение
Мин.Тип.Макс.
ICBOОбратный ток коллектора, nAVCB =30В, IE =015
hFE (h21)Коэффициент усиленияVCE =5В, IC =2мА110800
VCE(sat) (UBEsat)Напряжение насыщения к-э, мВIC=10 мA, IB =0,5мA 90250
IC=100 мA, IB =5мA 200600
VBE(sat) (UBEsat)Напряжение насыщения б-э, мВIC =10 мA, IB =0,5мA
700
IC =100 мA, IB =5мA900
VBE (UBE)Напряжение б-э (прямое), ВVCE =5 В, IC =2 мA
580660700
VCE =5 В, IC =10 мA720
fTГраничная частота, МГцVCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц300
CobВыходная емкость, пФVCB =10В, IE =0,
f= 1MГц
3,56
CibВходная емкость, пФVEB =0,5В, IС =0,
f= 1MГц
9
NF (F)Коэффициент шума, дБ ВС546-548VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц,
Δf=200Гц
210
ВС549, 5501,24
ВС549VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц 1,44
ВС5501,43

Примечания:

  1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
  2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Типовые характеристики

Выходная характеристика

Рис. 1. Выходная характеристика IC = f(VCE) при IB = 50… 400 мкА.

 

Передаточная характеристика

Рис.2. Передаточная характеристика IC = f(VBE) при VCE =5 В.

 

Коэффициент усиления

Рис.3. Коэффициент усиления hFE = f(IC) при VCE = 5 В.

 

Зависимость напряжений насыщения от тока коллектора

Рис.4. Зависимость напряжений насыщения VCE(sat) и VBE(sat) от тока коллектора IC (IC = 10 IB).

 

Зависимость выходной емкости от напряжения К-Б

Рис.5. Зависимость выходной емкости от напряжения К-Б (f = 1 кГц, эмиттер свободен).

Модификации транзистора

ТипPcUcbUceUebTjCcIchfeftКорпус
BC547 0.5 W 50 V 50 V 6 V 150 °C 6 pf 0.1 A 110 300 MHz TO92
BC547A 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92
BC547ABK 0.5 W 50 V 45 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.1 A 90 300 MHz TO92
BC547AP 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92
BC547B 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 200 200 MHz TO92
BC547BA3 0.625 W 60 V 50 V 6 V 150 °C 2.1 pf 0.2 A 200 100 MHz TO92
BC547BBK 0.5 W 50 V 45 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.1 A 150 300 MHz TO92
BC547BP 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 200 200 MHz TO92
BC547C 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 420 200 MHz TO92
BC547CBK 0.5 W 50 V 45 V 5 V 150 °C 3.5 pf 0.1 A 270 300 MHz TO92
BC547VI 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 75 150 MHz TO92
LBC547 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92
LBC547A 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92
LBC547AP 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92
LBC547B 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 200 200 MHz TO92
LBC547BP 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 200 200 MHz TO92
LBC547C 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 420 200 MHz TO92
LBC547VI 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 75 150 MHz TO92
SBC547 0.625 W 50 V 45 V 5 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 150 MHz TO92
TBC547 0.5 W 50 V 45 V 6 V 150 °C 4.5 pf 0.1 A 110 200 MHz TO92

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

ТипVCEO, ВIC, мAPC, мВтhFEfT, МГцЦоколевка (слева направо)
BC54750100500110-800300кбэ
Отечественное производство
КТ310220-50100250100-1000от 150+ (кбэ)
Импорт
BC17145100350120-800150+ (кбэ)
BC18250100350120-500100+ (кбэ)
BC23745100500120-460100+ (кбэ)
BC41445100300120-800200+ (кбэ)
BC4478030062550-460от 100+ (кбэ)
BC55045200500110-800300+ (кбэ)
2SC247430100310202000+ (кбэ)
2SC828A45100400130-520220- (экб)
2SC94550100250150-450от 150- (экб)

Примечания:

  1. У КТ3102 значения VCEO и hFE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
  2. В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
  3. Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Источник:  datasheet Fairchild Semiconductor.

radiosvod.ru
Добавить комментарий