Транзистор BC547

BC547 – биполярный n-p-n транзистор общего назначения (general purpose), представляющий группу, в составе которой, например, компания Farchild Semiconductor выпускает еще четыре прибора, имеющих близкие характеристики, – BC546, BC548, BC549 и BC550.

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в пластмассовом корпусе ТО-92, представляющем из себя усеченный с одной стороны цилиндр, с одного из торцов которого выведены три ножки прибора, находящиеся в одной плоскости и соединенные с электродами в следующем порядке: коллектор, база, эмиттер (если смотреть со стороны надписи и перечислять слева направо).

Особенности и применение

Высокий коэффициент усиления и небольшой собственный шум позволяют применять эти детали во входных каскадах усилителей, а малое значение напряжения насыщения – в качестве переключателя.

Комплементарные пары

Два транзистора являются комплементарными, или дополняющими, если имеют различную проводимость и очень близкие характеристики. Такие пары часто используются в усилительных каскадах. Для BC546–550 комплементарными являются, соответственно, транзисторы BC556–560.

Группировка транзисторов в зависимости от коэффициента усиления

Наличие в названии транзистора после цифр буквы означает, что  величина параметра hFE находится в определенном диапазоне. Для BC547-550 принята следующая разбивка:

• А (hFE = 110… 220);
• В (hFE = 220… 450);
• С (hFE = 420… 800).

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение	Параметр		Значение
VCBO	Напряжение коллектор-база, В	BC546	80
(UCB max)		BC547/550	50
		BC548/549	30
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер, В	BC546	65
(UCE max)		BC547/550	45
		BC548/549	30
VEBO (UEB max)	Напряжение эмиттер-база (обратное), В	BC546/547	6
		BC548-550	5
IC (ICmax)	Ток коллектора, А		0,1
PC (PC max)	Рассеиваемая мощность, Вт		0,5
Tj (tjmax)	Температура кристалла, °С		150
Tstg	Температура хранения, °С		-65…+150

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обозначение	Параметр		Условия измерений	Значение
				Мин.	Тип.	Макс.
ICBO	Обратный ток коллектора, nA		VCB =30В, IE =0			15
hFE (h21)	Коэффициент усиления		VCE =5В, IC =2мА	110		800
VCE(sat) (UBEsat)	Напряжение насыщения к-э, мВ		IC=10 мA, IB =0,5мA		90	250
			IC=100 мA, IB =5мA		200	600
VBE(sat) (UBEsat)	Напряжение насыщения б-э, мВ		IC =10 мA, IB =0,5мA		700
			IC =100 мA, IB =5мA		900
VBE (UBE)	Напряжение б-э (прямое), В		VCE =5 В, IC =2 мA	580	660	700
			VCE =5 В, IC =10 мA			720
fT	Граничная частота, МГц		VCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц		300
Cob	Выходная емкость, пФ		VCB =10В, IE =0, f= 1MГц		3,5	6
Cib	Входная емкость, пФ		VEB =0,5В, IС =0, f= 1MГц		9
NF (F)	Коэффициент шума, дБ	ВС546-548	VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц		2	10
		ВС549, 550			1,2	4
		ВС549	VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц		1,4	4
		ВС550			1,4	3

Примечания:

1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Типовые характеристики

Рис. 1. Выходная характеристика I_C = f(V_CE) при I_B = 50… 400 мкА.

 

Рис.2. Передаточная характеристика I_C = f(V_BE) при V_CE =5 В.

 

Рис.3. Коэффициент усиления h_FE = f(I_C) при V_CE = 5 В.

 

Рис.4. Зависимость напряжений насыщения V_CE(sat) и V_BE(sat) от тока коллектора I_C (I_C = 10 I_B).

 

Рис.5. Зависимость выходной емкости от напряжения К-Б (f = 1 кГц, эмиттер свободен).

Модификации транзистора

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Tj	Cc	Ic	hfe	ft	Корпус
BC547	0.5 W	50 V	50 V	6 V	150 °C	6 pf	0.1 A	110	300 MHz	TO92
BC547A	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
BC547ABK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	90	300 MHz	TO92
BC547AP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
BC547B	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
BC547BA3	0.625 W	60 V	50 V	6 V	150 °C	2.1 pf	0.2 A	200	100 MHz	TO92
BC547BBK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	150	300 MHz	TO92
BC547BP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
BC547C	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	420	200 MHz	TO92
BC547CBK	0.5 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.1 A	270	300 MHz	TO92
BC547VI	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	75	150 MHz	TO92
LBC547	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547A	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547AP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92
LBC547B	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
LBC547BP	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	200	200 MHz	TO92
LBC547C	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	420	200 MHz	TO92
LBC547VI	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	75	150 MHz	TO92
SBC547	0.625 W	50 V	45 V	5 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	150 MHz	TO92
TBC547	0.5 W	50 V	45 V	6 V	150 °C	4.5 pf	0.1 A	110	200 MHz	TO92

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тип	VCEO, В	IC, мA	PC, мВт	hFE	fT, МГц	Цоколевка (слева направо)
BC547	50	100	500	110-800	300	кбэ
Отечественное производство
КТ3102	20-50	100	250	100-1000	от 150	+ (кбэ)
Импорт
BC171	45	100	350	120-800	150	+ (кбэ)
BC182	50	100	350	120-500	100	+ (кбэ)
BC237	45	100	500	120-460	100	+ (кбэ)
BC414	45	100	300	120-800	200	+ (кбэ)
BC447	80	300	625	50-460	от 100	+ (кбэ)
BC550	45	200	500	110-800	300	+ (кбэ)
2SC2474	30	100	310	20	2000	+ (кбэ)
2SC828A	45	100	400	130-520	220	- (экб)
2SC945	50	100	250	150-450	от 150	- (экб)

Примечания:

1. У КТ3102 значения V_CEO и h_FE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
2. В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
3. Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Источник:  datasheet Fairchild Semiconductor.