Транзистор 13003: характеристики, цоколевка, отечественные аналоги

Транзистор 13003

13003 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения.

Основной материал представлен на основе характеристик транзистора MJE13003-P, выпускаемого в нескольких конструктивных исполнений: в корпусах TO-92 (NL), TO-126 (C/S), TO-251, TO-252.

Корпус и цоколевка

Транзистор 13003

Выводы:

  • TO-92(NL) – 1 Эмиттер, 2 Коллектор, 3 База.
  • TO126(C/S), TO-251/252 – 1 База, 2 Коллектор, 3 Эмиттер.

Предназначение

Прибор разработан для высоковольтных и высокоскоростных силовых переключений в индуктивных цепях, где критичной является величина времени спадания импульса коллекторного тока. Эти транзисторы хорошо подходят для работы в ключевых режимах в цепях 115 и 220 В.

Области применения

  • Импульсные регуляторы и инверторы.
  • Устройства управления двигателями, соленоидами и реле.
  • Отклоняющие системы в телеаппаратуре.

Характерные особенности

Представлены области безопасной работы с обратным смещением при индуктивной нагрузке и температуре корпуса транзистора TC = 100°C.

Типичные диапазоны параметров индуктивных переключений: диапазон тока коллектора – 0,5…1,5 А; температура корпуса 25°С и 100°С; типичное время коммутационного процесса tC = 290 нс при токе 1 А и температуре 100°С.

Выдерживаемые напряжения до 700 В.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO (SUS)400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO9
Ток коллектора постоянный, АIC1,5
Ток коллектора импульсный, АICM 3
Ток базы постоянный, АIB0,75
Ток базы импульсный, АIBM1,5
Рассеиваемая мощность, ВтTa = 25°CTO-126, TO-126C, TO-126SPC1,4
TO-92, TO-92NL1,1
TO-251, TO-2521,56
Tc = 25°CTO-126, TO-126C, TO-126S20
TO-92, TO-92NL1,5
TO-251, TO-25225
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭UCEO(SUS) IC = 10 мА, IB = 0 А.400
Ток коллектора выключения, мА ٭Ta = 25°CICEOUCEO = номинальное значение,
UBE(OFF) = 1,5 В
1
Tc = 25°C5
Ток эмиттера выключения, мА ٭IEBOUEB = 9,0 В, IC = 01
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭UCE(sat) IC = 0,5 А, IB = 0,1 А0,5
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А1
IC = 1,2 А, IB = 0,4 А3
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C1
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭UBE(sat) IC = 0,5 А, IB = 0,1 А1
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А1,2
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C1,1
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE (1) UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А14….57
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А5…30
Выходная емкость коллектора, pF CobUCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц21
Частота среза, МГц fTUCE = 10 В, IC = 0,1 А10
Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку
Время задержки, мксtdСм. схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%0,05
Время нарастания импульса тока, мксtr0,5
Время сохранения импульса, мксts2
Время спадания импульса тока, мксtf0,4
Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений
Время сохранения импульса, мксtsIC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.1,7
Коммутационный промежуток, мксtc0,29
Время спадания импульса тока, мксtf0,15

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Классификация по величине параметра hFE

Обозначение группыABCDEFGH
Диапазон hFE14…2221…2726…3231…3736…4241…4746…5251…57

Модификации (версии) транзисторов серии 13003

Конструктивное исполнение — TO-92. Ta = 25°C.

Тип, маркировка на корпусе PC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
TS13003HU
Маркировка TSC13003H
0,59005301,51- / 4 / 0,7
3DD13003S1D
3DD13003V1D
0,83502001,50,451 / 4,5 / 1
3DD13003ULD0,83502001,80,41 / 4,5 / 1
13003DE0,86004001,30,221 / 5 /1
13003DF / DH0,86004001,50,31 / 5 /1
3DD13003H1D0,86004001,80,251 / 5 /1
BU13003D0,87004001,50,60,7 / 2,5 /0,9
APT13003LZ
Маркировка 13003LZ-G1
0,87004500,80,5-
3DD13003B0,97004001,50,8- / 4 / 0,7
CS130030,970048010,5-
13003DW135020020,211 / 4,5 / 1
MJE13003LF1
MJE13003VF1
14002001,20,8- / 4 / 0,6
MJE13003VG114002001,50,6- / 3,5 / 0,6
MJE13003VH1140020021- / 3,5 / 0,6
MJE13003VI114002002,51,3- / 3,5 / 0,6
MJE13003VK1
BR3DD13003VK1K
Маркировка BR13003V
140020031,5- / 3,5 / 0,6
MJE13003G1 / F116004000,750,5- / 3,5 / 0,6
MJE13003H116004001,20,8- / 3,5 / 0,6
MJE13003DG116004001,30,5- / 3,5 / 0,6
MJE13003DI1 / I116004001,50,8- / 3,5 / 0,6
MJE13003DK116004001,750,5- / 4 / 0,5
MJE13003B170040011- / - / 0,3
MJE13003M117004001,80,8- / 4 / 0,8
R13003F1
MJE13003E1
17004500,5 (0,45)0,5- / 4 / 0,6
13003ADA17004501,50,18- / 4 / 0,7
13003BS180045020,82 / 5 / 2
13003EDA18505001,30,21 / 5 / 1
SBN13003HB1850850 (530)111 / 4 / 0,7
MJE13003T1
MJE13003J1G
19005301,51- / 6 / 1,2
MJE13003L119005301,50,8- / 5 / 1,2
CSL13003
TSL13003
1,16004001,511,1 / 4 / 0,7
SBN13003A11,1 (1,14)7004001,51 0,25 / 1,32 / 0,23
STD13003Q
FJN13003
MJE13003A
MJE13003D-P
MJE13003E
KSB13003AR
KSB13003A
KSB13003ER
1,17004001,511 / 4 / 0,7
R13003F11,17004500,5 (0,45)0,5- / 4 / 0,6
MJE13003E1
APT13003SZ
Маркировка 13003SZ-G1
1,17004501,30,61 / 3 / 0,5
APT13003DZ
APT13003EZ
Маркировка 3003DZ
1,17004501,50,41 / 3 / 0,4
KSB13003CB
KSB13003C
1,18004501,50,51,1 / 4 / 0,7
APT13003HZ
Маркировка 13003HZ-G1
1,18004501,50,41 / 3 / 0,4
KSB13003H1,19005301,50,81,1 / 4 / 0,7
13003DF1,256004001,50,31 / 5 / 1
13003DH1,256004001,80,31 / 5 / 1
STX13003
Маркировка X13003
1,5700400111 / 4 / 0,7
TS13003CT
TS13003BCT
Маркировка TSC13003B
1,57004001,511 / 4 / 0,7
ST13003H1,59005001,511 / 4 / 0,7
TS13003HV1,59005301,511,1 / 2 / 0,4
PHE13003A2,17004001--
PHD13003C
PHE13003C
2,17004001,5--
TS13003MVCT
Маркировка TSC13003H
5,88004001,50,81 / 4 / 0,6
WBN13003B2D156004001,20,31 / 4 / 0,4
WBN13003A1186004001,20,8- / 4 / 0,7
WBN13003B186004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15

Конструктивное исполнение ТО-126 (D/F/S). Tc = 25°C.

Тип транзистораPC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
13003DE0,86004001,30,221 / 4 / 1
MJE13003HT1,385050010,5-
3N13003GP
BD13003B
1,57004001,50,61 / 4 / 0,5
MJE13003D-P1,57004001,511 / 4 / 0,7
P130031270040010,60,7 / 3,5 / 0,9
H13003H129006001,60,61 / 3,0 / 0,8
S13003AD-H158005001,60,61 / 3,5 / 0,8
WBR13003B31860045010,30,2 / - / 0,15
J13003187004001,20,60,7 / 4 / 0,9
WBR13003LD2035020030,5- / 4 / 0,8
MJE13003LF5204002001,20,8- / 4 / 0,6
MJE13003VH52040020020,5- / 3,5 / 0,6
MJE13003VI5204002002,50,5- / 3,5 / 0,6
MJE13003VK52040020030,5- / 3,5 / 0,6
MJE13003F6206004000,50,5- / 4 / 0,6
MJE13003F5206004000,80,5- / 4 / 0,6
MJE13003BR2060040010,3- / 2,4 / 1
WBR13003B2
WBR13003B2D
206004001,20,30,2 / - / 0,18
WBR13003X206004001,20,8- / 4 / 0,7
WBR13003B1206004001,21,61 / 5 / 1
S13003206004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9
WBR13003206004001,50,18- / 4 / 0,7
13003207004001,50,51 / 4 / 0,7
13003D207004001,51,31 / 4 / 0,7
KSE13003207004001,511,1 / 4 / 0,7
MJE13003E207004001,52,50,5 / 2 / 0,4
P13003D207004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9
SBR13003BD207004001,50,20,2 / 1,5 / 0,15
APT13003SU
Маркировка EU13003S/GU13003S
207004501,30,61 / 3 / 0,5
13003ADA207004501,50,18- / 4 / 0,7
APT13003DU
Маркировка GU13003D
207004501,50,40,7 / 3 / 0,35
APT13003EU
Маркировка EU13003E/GU13003E
207004651,50,290,3 / 1,8 / 0,28
APT13003HU
Маркировка GU13003H
208004651,50,40,3 / 1,8 / 0,28
13003BS2080045020,82 / 5 / 2
13003EDA208505001,30,21 / 5 / 1
KSC13003H209005301,511,1 / 4 / 0,7
SBR13003H209005301,510,25 / 1,32 / 0,23
MJE13003HV209005301,52,51,1 / 3 / 0,7
S13003DL2240020030,60,7 / 2,5 / 0,9
13003A-D227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
13003A227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
S13003A227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
H13003AH228807002,50,60,5 / 3,5 / 0,5
S13003ADL254002003,50,61 / 2,5 / 0,9
13003F
BU13003F
S13003AD
2565040020,61 / 3,1 / 0,8
SBR13003B1257004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15
H130032665040020,60,9 / 3,3 / 0,9
H13003D2665040020,60,5 / 3,3 / 0,5
H13003ADL2840020040,60,6 / 2,9 / 0,6
H13003AD287004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8
H13003DL2940020040,60,3 / 3 / 0,3
H13003VG5304002001,50,6- / 4 / 0,6
MJE13003G5/G6306004000,750,5- / 3,5 / 0,6
NJM13003-1.63306004001,50,35- / 3 / 0,8
WBR13003306004001,50,50,2 / 1,5 / 0,3
MJE13003BR3060040020,35- / 3 / 0,8
MJE13003DG5307004001,30,5- / 3 / 0,8
SBR13003B307004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15
TS13003307004001,510,5 / 2 / 0,4
MJE13003HN63014008001,50,6- / 6 / 4
3DD13003U6D353502001,50,451 / 4,3 / 1
3DD13003V6D353502001,80,41 / 4,5 / 1
13003DW3535020020,211 / 4,5 / 1
13003C357004002--
WBR13003L2403502001,50,8- / 3 / 0,8
3DD13003W6D4035020020,41 / 4,5 / 1
MJE13003H5/H6406004001,20,8- / 3,5 / 0,6
3DD13003E6D406004001,30,41/ 4/ 1
MJE13003I6406004001,50,8- / 3,5 / 0,6
C13003406004001,511 / 4 / 0,7
WBR13003D4060040021,6- / 3 / 0,8
CR13003407004001,511 / 4 / 0,7
MJE13003407004001,510,5 / 2 / 0,4
SBR13003A407004001,50,5 0,2 / 1,5 / 0,15
SBR13003D407004001,51,6- / 3 / 0,8
MJE13003DJ5408004801,50,8- / 3,5 / 0,6
CD13003
CD13003D
456004001,511,1 / 4 / 0,7
13003E457004002,5--
MJE13003VN55040020050,6- / 4 / 0,6
13003DF
13003DH
3DD13003F6D
506004001,50,31 / 5 / 1
MJE13003DK5506004001,750,9- / 4 / 0,8
3DD13003H6D506004001,80,251 / 5 / 1
3DD13003K6507004001,8--
3DD13003I6D
3DD13003I7D
5070040020,51 / 5 / 0,8
3DD13003N55070040020,8- / 6 / 0,8
MJE13003DN55070040020,6- / 6 / 0,8
3DD13003X15070040020,31 / 4,5 / 2
3DD13003D507004002,50,51 / 5 / 0,8
MJE13003M5/M6507004501,80,8- / 4 / 0,8
MJE13003HK5509005301,20,8- / 5 / 1,2
MJE13003L5/L6509005301,50,8- / 6 / 1,2

Конструктивное исполнение ТО-220 (AB/HW/F). Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусе PC, ВтUCB, В UCE, ВIC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
ST130031,56004001,511 / 4 / 0,7
SBP13003207004001,50,5- / 4 / 0,8
13003B2865040020,60,5 / 3,3 / 0,5
13003AD307004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8
KSE13003T
KSH13003H
307004001,50,51,1 / 4 / 0,7
SBP13003H309005301,50,5 0,2 / 1,32 / 0,23
HMJE13003E357004001,50,5-
WBP13003D4060040020,5- / 4 / 0,8
MJE13003D407004001,50,51 / 4 / 0,7
SBP13003D407004001,50,5- / 4 / 0,8
SBP13003O407004001,50,5- / 4 / 0,3
XW13003-220456004001,5--
BR3DD13003VK7R
Маркировка BR13003V
5040020030,5- / 3,5 / 0,6
MJE13003VK75040020030,5- / 3,5 / 0,6
MJE13003VN75040020050,6- / 4 / 0,6
MJE13003I7506004001,50,8- / 3,5 / 0,6
MJE13003K7
MJE13003K8
506004001,50,9- / 4 / 0,8
MJE13003DK7506004001,750,9- / 4 / 0,8
CDT13003506004001,80,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003M7
MJE13003M8
507004001,80,8- / 4 / 0,8
MJE13003N85070040020,8- / 6 / 0,8
3DD13003M8D606004001,80,251 / 5 / 1
3DD13003K8607004001,80,31 / 5 / 1
3DD13003J8D6070040020,51 / 4 / 1
3DD13003M8D6070040020,51 / 4 / 1

Конструктивное исполнение ТО-251. Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусеPC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), ВВременные параметры ton / ts / tf мкс
MJE13003HT1,085050020,5-
MJE13003K3107004501,50,9- / 4 / 0,8
13003ADA107004501,50,18- / 4 / 0,7
13003BS1080045020,82 / 5 / 2
13003EDA108505001,30,21 / 5 / 1
MJD13003157004001,50,51 / 4 / 0,7
SBU13003BD207004001,50,61 / 3 / 0,4
STD13003207004001,50,91 / 4 / 0,7
APT13003DI247004501,50,30,7 / 3 / 0,35
ALJ13003
ALJ13003-251
256004001,20,8- / 6 / 1
KSU13003E
KSU13003ER
257004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K257004001,50,51 / 4 / 0,7
MJE13003P257004001,50,51 / 4 / 0,7
KSU13003H
KSU13003HR
2590053020,81,1 / 4 / 0,7
3DD13003U3D303502001,80,41 / 4,5 / 1
MJE13003VK33040020031,5- / 3,5 / 0,6
3DD13003F3D306004001,50,31 / 4,5 / 1
MJE13003DK3307004001,750,9- / 4 / 0,8
MJE13003DI3308004801,50,8- / 3,5 / 0,6
13003DW3535020020,211 / 4,5 / 1
3DD13003W3D3535020020,41 / 4,5 / 1
3DD13003H3D356004001,80,251 / 5 / 1
HI13003407004001,50,5-
MJE13003M3407004001,80,8- / 4 / 0,8
MJE13003H3407004501,20,8- / 3,5 / 0,6
MJE13003L3409005301,50,8- / 6 / 1,2
13003DH506004001,80,31 / 5 / 1
MJE13003I506004001,50,8- / 3,5 / 0,6

Конструктивное исполнение ТО-252. Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусеPC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
MJE13003HT1,085050020,5-
CZD130031,257004001,51- / 2,5 / 0,5
DXT13003DK
Маркировка 13003D
3,97004501,50,30,35 / 2,3 / 0,21
DXT13003EK
Маркировка 13003E
3,97004601,50,30,43 / 1,64 / 0,28
WBD13003D1060040020,5- / 4 / 0,8
HJ13003157004001,5--
STD13003D157004001,50,51,1 / 4 / 0,7
CJD13003157004001,50,51,1 / 4 / 0,7
STD13003207004001,50,51 / 4 / 0,7
KSD13003E
KSD13003ER
257004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K257004001,50,51 / 4 / 0,7
MJE13003P257004001,50,51 / 4 / 0,7
KSH13003
KSH13003I
407004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K4506004001,50,9- / 4 / 0,8

Конструктивные исполнения ТО-826, SOT23, SOT223, SOT89, LSTM. Tc = 25°C (если не указано иное).

PC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мксТип, маркировка на корпусе
0,53502001,50,451 / 3,5 / 13DD13003SUD
Корпус SOT23, TO89S
0,53502001,50,451 / 4 / 13DD13003SUD
Корпус SOT23, TO89S
0,57004001,50,6- / 4 / 0,53DD13003/A/C/E/F
Корпус SOT89
0,96004001,510,4 / 1,4 / 0,2TTC13003L, LSTM
Маркировка 13003L
1,06004000,50,5- / 4 / 0,6MJE13003FT, SOT89
Маркировка H03F
1,257004501,511 / 4 / 0,7PZT13003
3,07004501,30,40,7 / 3 / 0,35DXT13003DG
Маркировка 13003D
206004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9S13003, TO826
207004000,51,2- / 2,5 / 0,18ST13003N, SOT32
Маркировка 13003N
207004000,51,2- / 2,5 / 0,18 ST13003DN, SOT32 Маркировка 13003DN
227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9S13003A
2565040020,612 / 3,1 / 0,8S13003AD
2665040020,60,5 / 3,3 / 0,5H13003D
287004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8H13003AD
407004001,511 / 4 / 0,7ST13003D-K, SOT32
Маркировка 13003D
407004001,511 / 4 / 0,7ST13003K, SOT32
Маркировка 13003
407004001,511 / 4 / 0,7STK13003, SOT82

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Диаграмма входного сигнала

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Схема измерения при резистивной нагрузке

Параметры режима:

  • UCC = 125 В.
  • RC = 125 Ом.
  • RB = 47 Ом.
  • D1 диод 1N5820 или подобный.
  • SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный.
  • tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%.

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке

  • Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс. Скважность импульсов 10%.
  • Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC.
  • UCC подбирается из требуемой величины IC.
  • RB подбирается из требуемой величины IB1.
  • Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ.
  • Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

Диаграммы выходных токов и напряжений

На рисунке:

  • tf CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне UCLAMPED.
  • IC(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение UCC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t1 = L × IC(PK) / UCC; t2 = L × IC(PK) / UCLAMP.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

ТипPC, ВтUCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мксКорпус
MJE1300340700400920,615045…40- / 3,5 / 1TO-126
КТ8170А4070040092,25315045…401,1 / 4 / 0,7TO-126
КТ859А408008001031,5150˃ 3,3˃ 100,35 / 3,3 / 0,35TO-220AB
КТ841А/В50600/8003505101,51501012…450,08 / 0,8 / 0,2TO-3
КТ8118А50900800-3˂ 2,0150˃ 1510…40-TO-220
КТ8120А6060045058115020˃ 10- / 2 / 0,2TO-220
КТ840А/Б/В60900/750/800400/350/375560,61508…1510…600,2 / 3,5 / 0,6TO-3
КТ868А/Б70900/750400/375561,5150˃ 810…100-TO-3PML

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

ТипPC, ВтUCB, ВUCE, В UBE, В IC, АUCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мксКорпус
MJE1300340700400920,615045…40- / 3,5 / 1TO-126
3DD19104070040092,51150515…301 / 5 / 0,8TO-126A
3DD13005A740800400930,6150515…351 / 5 / 1TO-126F
WBR13005D140700400941150410…40- / 3,6 / 1,6TO-126
BTN3A60T340900700930,6150410…40-TO-126
HLD133D35700400921150-5…40- / 4 / 0,8TO-126
ST13007DFP3670040098315048…40- / 2,2 / 0,15TO-220FP
BUL310FP361000500951,1150-10- / 1,8 / 0,5TO-220FP

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

ТипPC, ВтUCB, В UCE, ВUBE, В IC, А UCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003BR30600400920,85150-5…40- / 3 / 0,8TO-126
BLD123D30600400920,9150-5…40- / 4 / 0,8TO-126
KSE13003T3070040091,5315045…401,1 / 4 / 0,7TO-220
FJPE33053070040094115048…400,8 / 4 / 0,9TO-220F
KSH13005AF3070040094115048…600,8 / 4 / 0,9TO-220F
MJE13005AF30800400105115048…350,15 / 5 / 0,8TO-220IS
MJE13005F30700400941150410…350,8 / 4 / 0,9TO-220IS
STD13005F/FC3070040094115048…400,8 / 4 / 0,9TO-220F-3L
STL128DFP30700400-41,5150-10…32- / 0,6 / 0,1TO-220FP
TS13005CI3070040094115048…400,7 / 3 / 0,5ITO-220
TSC236CI30700400941,3150-8…320,5 / 3 / 0,5ITO-220
BUL128FP31700400941,5150-10…45- / 2,9 / 0,4TO220FP

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Зависимость времени задержки и времени нарастания импульса от коллекторной нагрузки

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Зависимость времени сохранения и времени спадания импульса от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Зависимость статического коэффициента усиления

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Изменение падения напряжения на транзисторе при изменении управляющего тока базы

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Изменение напряжения насыщения на базовом переходе при разных нагрузках и разных температурах структуры

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от коллекторного тока

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Область выключения транзистора

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Зависимости входной емкости перехода эмиттер-база и выходной емкости коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Ограничение величины рассеиваемой мощности

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Область безопасной работы транзистора с обратным смещением

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

radiosvod.ru
Добавить комментарий