- Биполярный кремниевый;
- Структура NPN;
- Корпус ТО-92;
- С транзистором SS8550 образуют комплементарную пару.
Корпус, цоколевка и маркировка
- SS8050 – наименование транзистора,
- Z – группа, классификация по hFE, смотри раздел «Модификации транзистора»
- ХХХ – маркировочный код.
В нижнем торце корпуса имеются три гибких вывода. Если смотреть на переднюю часть корпуса с информацией, вывода слева направо — эмиттер, база, коллектор.
Применение
По совокупности технических параметров является среднечастотным транзистором средней мощности универсального применения. Используется в источниках питания, устройствах управления нагрузкой низкого напряжения небольшой мощности, переключающих схемах разнообразного назначения и усилителях НЧ и СЧ диапазона.
Таблица предельно допустимых значений
Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.
Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | Величина | Ед.изм. |
|---|---|---|---|
| VCBO | Напряжение коллектор-база | 40 | V |
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер | 25 | V |
| VEBO | Напряжение эмиттер-база | 5 | V |
| IC | Постоянный ток коллектор | 1,5 | A |
| PD | Мощность рассеяния | 625 | W |
| RθJA | Тепловое сопротивление корпус-воздух | 200 | °С/W |
| TJ, TSTG | Температурный диапазон хранения и функционирования | -55…+150 | °С |
Электрические характеристики
Параметры действительны при температуре воздуха 25℃.
| Обозначение | Параметр | Условия измерения | Мин. | Макс. | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|---|
| V(BR)CBO | Пробивное напряжение коллектор-база | IC=100uA, IE=0 | 40 | V | |
| V(BR)CEO | Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IC=0.1mA, IB=0 | 25 | V | |
| V(BR)EBO | Пробивное напряжение эмиттер-база | IE=100μA, IC=0 | 5 | V | |
| ICBO | Ток отсечки коллектора | VCB=40V, IE=0 | 0,1 | μA | |
| ICEO | Ток отсечки эмиттера | VCE=20V, IE=0 | 0,1 | μA | |
| IEBO | Ток отсечки эмиттера | VEB=5V, IC=0 | 0,1 | μA | |
| hFE(1) | Коэффициент усиления по постоянному току | VCE=1V, IC=100mA | 85 | ||
| hFE(2) | VCE=1V, IC=800mA | 40 | |||
| VCE(sat) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=800mA, IB=80mA | 0,5 | V | |
| VBE(sat | Напряжение насыщения база-эмиттер | IC=800mA, IB=80mA | 1,2 | V | |
| VBE | Напряжение база-эмиттер | VCE=1V, IC=10mA | 1 | V | |
| fT | Граничная частота | VCE=10V, IC=50mA, f=30MHz | 100 | MHz |
Модификации транзистора
По диапазону коэффициента усиления по току транзисторы подразделяются на 4 модификации. В маркировке это отражается латинской буквой. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.
| типы | B | C | D | D3 |
|---|---|---|---|---|
| hFE1 | 85…160 | 120…200 | 160…300 | 300…400 |
Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| SS8050 | 25 | 1,5 | 1 | 85 | 100 |
| Отечественное производство | |||||
| КТ698В | 50 | 2 | 0,6 | 50 | 150 |
| КТ6117А | 160 | 0,6 | 0,625 | 80 | 100 |
| Импорт | |||||
| MPS8050 | 25 | 1,5 | 0,625 | 85 | 190 |
| MPS650 | 40 | 2 | 0,625 | 75 | 75 |
| MPS651 | 60 | 2 | 0,625 | 75 | 75 |
| 2SC4145 | 2 | 1,2 | 200 | ||
| 2SD1207 | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1207R | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1207S | 50 | 2 | 1 | 140 | 150 |
| 2SD1207T | 50 | 2 | 1 | 200 | 150 |
| 2SD1207U | 50 | 2 | 1 | 280 | 150 |
| 2SD1347 | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1347R | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| 2SD1347S | 50 | 3 | 1 | 140 | 150 |
| 2SD1347T | 50 | 3 | 1 | 200 | 150 |
| 2SD1347U | 50 | 3 | 1 | 280 | 150 |
| 2STL1360 | 60 | 3 | 1,2 | 160 | 130 |
| 2STX1360 | 60 | 3 | 1 | 160 | 130 |
| CD1207 | 50 | 2 | 1 | 100 | 150 |
| KTC3205 | 30 | 2 | 1 | 100 | |
| KTD1347 | 50 | 3 | 1 | 100 | 150 |
| SK3849 | 50 | 1,5 | 1 | 120 | 200 |
| SM2283 | 25 | 8 | 1 | 100 | 100 |
| STC4250L | 50 | 2 | 2 | 120 | 240 |
| STSA1805 | 60 | 5 | 1,1 | 85 | 150 |
| STSA851 | 60 | 5 | 1,1 | 85 | 130 |
| STX112 | 100 | 2 | 1,2 | 1000 | |
| TSC5988CT | 60 | 5 | 1 | 120 | 130 |
Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.
Графические данные (эксплуатационные характеристики)
Рис.1. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения коллектор-эмиттер (VCE).
Рис.2. Зависимость коэффициента усиления (hFE) от тока коллектора (IC).
Рис.3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) от тока коллектора (IC).
Рис.4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (VBE(sat)) от тока коллектора (IC).
Рис.5. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения база-эмиттер (VBE).
Рис.6. Зависимость емкости (C) от обратного напряжения (V).
Рис.7. Зависимость граничной частоты (fT) от тока коллектора (IC).
Рис.8. Зависимость мощности рассеяния (РС) от температуры воздуха (Та).
Автор публикации
