SS8050 транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, отечественные аналоги

Транзистор SS8050

  • Биполярный кремниевый;
  • Структура NPN;
  • Корпус ТО-92;
  • С транзистором SS8550 образуют комплементарную пару.

Корпус, цоколевка и маркировка

  • SS8050 – наименование транзистора,
  • Z – группа, классификация по hFE, смотри раздел «Модификации транзистора»
  • ХХХ – маркировочный код.

В нижнем торце корпуса имеются три гибких вывода. Если смотреть на переднюю часть корпуса с информацией, вывода слева направо — эмиттер, база, коллектор.

Транзистор SS8050

Применение

По совокупности технических параметров является среднечастотным транзистором средней мощности универсального применения. Используется в источниках питания, устройствах управления нагрузкой низкого напряжения небольшой мощности, переключающих схемах разнообразного назначения и усилителях НЧ и СЧ диапазона.

Таблица предельно допустимых значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

ОбозначениеПараметрВеличинаЕд.изм.
VCBOНапряжение коллектор-база40V
VCEOНапряжение коллектор-эмиттер25V
VEBOНапряжение эмиттер-база5V
ICПостоянный ток коллектор1,5A
PDМощность рассеяния625W
RθJAТепловое сопротивление корпус-воздух200°С/W
TJ, TSTGТемпературный диапазон хранения и функционирования-55…+150°С

Электрические характеристики

Параметры действительны при температуре воздуха 25℃.

ОбозначениеПараметрУсловия измеренияМин.Макс.Ед. изм.
V(BR)CBOПробивное напряжение коллектор-базаIC=100uA, IE=040V
V(BR)CEOПробивное напряжение коллектор-эмиттерIC=0.1mA, IB=025V
V(BR)EBOПробивное напряжение эмиттер-базаIE=100μA, IC=05V
ICBOТок отсечки коллектораVCB=40V, IE=00,1μA
ICEOТок отсечки эмиттераVCE=20V, IE=00,1μA
IEBOТок отсечки эмиттераVEB=5V, IC=00,1μA
hFE(1)Коэффициент усиления по постоянному токуVCE=1V, IC=100mA85
hFE(2)VCE=1V, IC=800mA40
VCE(sat)Напряжение насыщения коллектор-эмиттерIC=800mA, IB=80mA0,5V
VBE(satНапряжение насыщения база-эмиттерIC=800mA, IB=80mA1,2V
VBEНапряжение база-эмиттерVCE=1V, IC=10mA1V
fTГраничная частотаVCE=10V, IC=50mA, f=30MHz100MHz

Модификации транзистора

По диапазону коэффициента усиления по току транзисторы подразделяются на 4 модификации. В маркировке это отражается латинской буквой. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.

типыBCDD3
hFE185…160120…200160…300300…400

Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L

АналогVCEOICPChFEfT
SS8050251,5185100
Отечественное производство
КТ698В5020,650150
КТ6117А1600,60,62580100
Импорт
MPS8050251,50,62585190
MPS6504020,6257575
MPS6516020,6257575
2SC4145 2 1,2 200
2SD1207 50 2 1 100 150
2SD1207R 50 2 1 100 150
2SD1207S 50 2 1 140 150
2SD1207T 50 2 1 200 150
2SD1207U 50 2 1 280 150
2SD1347 50 3 1 100 150
2SD1347R 50 3 1 100 150
2SD1347S 50 3 1 140 150
2SD1347T 50 3 1 200 150
2SD1347U 50 3 1 280 150
2STL1360 60 3 1,2 160 130
2STX1360 60 3 1 160 130
CD1207 50 2 1 100 150
KTC3205 30 2 1 100
KTD1347 50 3 1 100 150
SK3849 50 1,5 1 120 200
SM2283 25 8 1 100 100
STC4250L 50 2 2 120 240
STSA1805 60 5 1,1 85 150
STSA851 60 5 1,1 85 130
STX112 100 2 1,2 1000
TSC5988CT 60 5 1 120 130

Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.

Графические данные (эксплуатационные характеристики)

Зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер

Рис.1. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения коллектор-эмиттер (VCE).

 

Зависимость коэффициента усиления от тока коллектора

Рис.2. Зависимость коэффициента усиления (hFE) от тока коллектора (IC).

 

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Рис.3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) от тока коллектора (IC).

 

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Рис.4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (VBE(sat)) от тока коллектора (IC).

 

Зависимость тока коллектора от напряжения база-эмиттер

Рис.5. Зависимость тока коллектора (IC) от напряжения база-эмиттер (VBE).

 

Зависимость емкости от обратного напряжения

Рис.6. Зависимость емкости (C) от обратного напряжения (V).

 

Транзистор SS8050

Рис.7. Зависимость граничной частоты (fT) от тока коллектора (IC).

 

Транзистор SS8050

Рис.8. Зависимость мощности рассеяния (РС) от температуры воздуха (Та).

radiosvod.ru
Добавить комментарий