Транзистор КТ815: характеристики (параметры), зарубежные аналоги

Транзистор КТ815

КТ815 — биполярный транзистор на кремниевой основе, изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии со структурой перехода NPN.

Корпус, цоколевка и размеры

Корпус компонента исполнен в стандарте КТ-27, который является аналогом ТО-126. Транзистор также встречается в корпусе КТ-89 для поверхностного монтажа. 

Транзистор КТ815

Применение

КТ815 — низкочастотный и мощный транзистор, что позволяет его применять во многих линейных или ключевых схемам. Компонент может использоваться в операционных схемах, дифференциальных или низкочастотных усилителях, различных импульсных электрических устройствах и преобразователях.

Наличие у транзистора комплементарной пары обуславливает частое их применение в схемах предкаскадах усилителей мощности и стабилизаторов напряжения небольших нагрузок.

Особенности транзистора

  • Низкая частота;
  • Высокая мощность;
  • Наличие комплементарной пары;
  • Несколько модификаций.

Маркировка

Транзисторы серии КТ815 имеют два основных метода маркировки:

  1. Первый заключается в нанесении на корпус полного названия, например КТ815А;
  2. Второй заключается в нанесении четырехзначной маркировки, где первым символом будет 5, вторым модель, а последние два символа — дата выпуска. Например 5ВU2 это транзистор КТ815В.

Модификации

Транзистор имеет несколько модификаций, которые имеют небольшие, но важные различия:

  • КТ815А — Uкбо(и) = 40 В, Uкэо(и) = 30 В;
  • КТ815Б — Uкбо(и) = 50 В, Uкэо(и) = 45 В;
  • КТ815В — Uкбо(и) = 70 В, Uкэо(и) = 65 В;
  • КТ815Г — Uкбо(и) = 100 В, Uкэо(и) = 85 В.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеКТ815АКТ815БКТ815ВКТ815Г
Значение напряжения коллектор-эмиттерUкэ макс, В405070100
Значение напряжения эмиттер-базаUэб макс, В5
Значение постоянного тока на коллектореIк макс, А1.5
Значение импульсного тока на коллектореIки макс, А3
Максимальный рабочий ток на базеIб макс, А0.5
Значение рассеиваемой мощности на коллектореPк макс, Вт10
Максимальная рабочая температура на переходеTмакс, °C150
Диапазон температуры окружающей средыTокр, °C-60..+125

Стоит отметить, что граничная частота для данных транзисторов находится в районе 3 МГц, и редко указывается в документации.

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначение КТ815А  КТ815Б  КТ815В  КТ815Г 
Значение граничного напряжения на коллекторе-эмиттереUкэо гp. , В30456585
Значение обратного тока на коллектореIкбо, мкА50
Значение обратного тока на коллекторе-эмиттереIкэr, мкА100
Коэффициент усиления h21э40..27530..275
Значение напряжения насыщения коллектор-эмиттерUкэ нас, В0.6
Емкость коллекторного переходаСк, пФ60
Емкость эмиттерного переходаСэ, 75 пФ75

Условия монтажа

При применении транзисторов КТ815 и их монтаже, следует придерживаться следующих правил:

  • Изгиб выводов транзистора должен находиться минимум в 5 мм от корпуса, при этом радиус закругления должен быть в районе от 1.5 до 2 мм;
  • Не допускается установка, при которой на корпус будет передаваться усилие;
  • При пайке транзистора необходимо держать жало паяльника на расстоянии не менее 5 мм от корпуса;
  • Выводы должны подвергаться пайке при температуре не выше 250 °C не более 2 секунд.

Комплементарная пара

Для всех моделей транзистора КТ815 имеется своя комплементарная пара серии КТ814, с соответствующей буквой в маркировке. Например: для КТ815В комплементарной парой является КТ814В.

Аналоги

ТипUкбо(и), ВUкэо(и), ВIкmax(и), АPкmax(т), Втh21эfгр., МГц
Оригинал
КТ815А40251.5 (3)10403
КТ815Б50401.5 (3)10403
КТ815В70601.5 (3)10403
КТ815Г100801.5 (3)10303
Зарубежное производство
BD13545451.5 (3)863-
BD13760601.5 (3)863-
BD13980801.5 (3)863-
Отечественное производствто
КТ817от 40от 40 3 (6)25253

Стоит отметить, что транзистор КТ817 имеет широкий модельный ряд, позволяющий подобрать замену для каждой из модификации КТ815.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Графические зависимости

Основные зависимости на которые стоит обращать внимание при проектировании устройств с применением транзисторов КТ815

Зависимость коэффициента усиления от значения тока на эмиттере

Рис 1. Зависимость коэффициента усиления от значения тока на эмиттере.

Зависимость значений напряжений насыщения КЭ и БЭ от тока на коллекторе

Рис 2. Зависимость значений напряжений насыщения КЭ и БЭ от тока на коллекторе.

radiosvod.ru
Добавить комментарий