КТ815 — биполярный транзистор на кремниевой основе, изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии со структурой перехода NPN.
Корпус, цоколевка и размеры
Корпус компонента исполнен в стандарте КТ-27, который является аналогом ТО-126. Транзистор также встречается в корпусе КТ-89 для поверхностного монтажа.
Применение
КТ815 — низкочастотный и мощный транзистор, что позволяет его применять во многих линейных или ключевых схемам. Компонент может использоваться в операционных схемах, дифференциальных или низкочастотных усилителях, различных импульсных электрических устройствах и преобразователях.
Наличие у транзистора комплементарной пары обуславливает частое их применение в схемах предкаскадах усилителей мощности и стабилизаторов напряжения небольших нагрузок.
Особенности транзистора
- Низкая частота;
- Высокая мощность;
- Наличие комплементарной пары;
- Несколько модификаций.
Маркировка
Транзисторы серии КТ815 имеют два основных метода маркировки:
- Первый заключается в нанесении на корпус полного названия, например КТ815А;
- Второй заключается в нанесении четырехзначной маркировки, где первым символом будет 5, вторым модель, а последние два символа — дата выпуска. Например 5ВU2 это транзистор КТ815В.
Модификации
Транзистор имеет несколько модификаций, которые имеют небольшие, но важные различия:
- КТ815А — Uкбо(и) = 40 В, Uкэо(и) = 30 В;
- КТ815Б — Uкбо(и) = 50 В, Uкэо(и) = 45 В;
- КТ815В — Uкбо(и) = 70 В, Uкэо(и) = 65 В;
- КТ815Г — Uкбо(и) = 100 В, Uкэо(и) = 85 В.
Предельные эксплуатационные характеристики
Характеристика | Обозначение | КТ815А | КТ815Б | КТ815В | КТ815Г |
---|---|---|---|---|---|
Значение напряжения коллектор-эмиттер | Uкэ макс, В | 40 | 50 | 70 | 100 |
Значение напряжения эмиттер-база | Uэб макс, В | 5 | |||
Значение постоянного тока на коллекторе | Iк макс, А | 1.5 | |||
Значение импульсного тока на коллекторе | Iки макс, А | 3 | |||
Максимальный рабочий ток на базе | Iб макс, А | 0.5 | |||
Значение рассеиваемой мощности на коллекторе | Pк макс, Вт | 10 | |||
Максимальная рабочая температура на переходе | Tмакс, °C | 150 | |||
Диапазон температуры окружающей среды | Tокр, °C |
Стоит отметить, что граничная частота для данных транзисторов находится в районе 3 МГц, и редко указывается в документации.
Электрические параметры
Характеристика | Обозначение | КТ815А | КТ815Б | КТ815В | КТ815Г |
---|---|---|---|---|---|
Значение граничного напряжения на коллекторе-эмиттере | Uкэо гp. , В | 30 | 45 | 65 | 85 |
Значение обратного тока на коллекторе | Iкбо, мкА | 50 | |||
Значение обратного тока на коллекторе-эмиттере | Iкэr, мкА | 100 | |||
Коэффициент усиления | h21э | ||||
Значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас, В | 0.6 | |||
Емкость коллекторного перехода | Ск, пФ | 60 | |||
Емкость эмиттерного перехода | Сэ, 75 пФ | 75 |
Условия монтажа
При применении транзисторов КТ815 и их монтаже, следует придерживаться следующих правил:
- Изгиб выводов транзистора должен находиться минимум в 5 мм от корпуса, при этом радиус закругления должен быть в районе от 1.5 до 2 мм;
- Не допускается установка, при которой на корпус будет передаваться усилие;
- При пайке транзистора необходимо держать жало паяльника на расстоянии не менее 5 мм от корпуса;
- Выводы должны подвергаться пайке при температуре не выше 250 °C не более 2 секунд.
Комплементарная пара
Для всех моделей транзистора КТ815 имеется своя комплементарная пара серии КТ814, с соответствующей буквой в маркировке. Например: для КТ815В комплементарной парой является КТ814В.
Аналоги
Тип | Uкбо(и), В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax(т), Вт | h21э | fгр., МГц |
---|---|---|---|---|---|---|
Оригинал | ||||||
КТ815А | 40 | 25 | 1.5 (3) | 10 | 40 | 3 |
КТ815Б | 50 | 40 | 1.5 (3) | 10 | 40 | 3 |
КТ815В | 70 | 60 | 1.5 (3) | 10 | 40 | 3 |
КТ815Г | 100 | 80 | 1.5 (3) | 10 | 30 | 3 |
Зарубежное производство | ||||||
BD135 | 45 | 45 | 1.5 (3) | 8 | 63 | - |
BD137 | 60 | 60 | 1.5 (3) | 8 | 63 | - |
BD139 | 80 | 80 | 1.5 (3) | 8 | 63 | - |
Отечественное производствто | ||||||
КТ817 | от 40 | от 40 | 3 (6) | 25 | 25 | 3 |
Стоит отметить, что транзистор КТ817 имеет широкий модельный ряд, позволяющий подобрать замену для каждой из модификации КТ815.
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.
Графические зависимости
Основные зависимости на которые стоит обращать внимание при проектировании устройств с применением транзисторов КТ815
Рис 1. Зависимость коэффициента усиления от значения тока на эмиттере.
Рис 2. Зависимость значений напряжений насыщения КЭ и БЭ от тока на коллекторе.