Транзистор КТ815

КТ815 — биполярный транзистор на кремниевой основе, изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии со структурой перехода NPN.

Корпус, цоколевка и размеры

Корпус компонента исполнен в стандарте КТ-27, который является аналогом ТО-126. Транзистор также встречается в корпусе КТ-89 для поверхностного монтажа. 

Применение

КТ815 — низкочастотный и мощный транзистор, что позволяет его применять во многих линейных или ключевых схемам. Компонент может использоваться в операционных схемах, дифференциальных или низкочастотных усилителях, различных импульсных электрических устройствах и преобразователях.

Наличие у транзистора комплементарной пары обуславливает частое их применение в схемах предкаскадах усилителей мощности и стабилизаторов напряжения небольших нагрузок.

Особенности транзистора

• Низкая частота;
• Высокая мощность;
• Наличие комплементарной пары;
• Несколько модификаций.

Маркировка

Транзисторы серии КТ815 имеют два основных метода маркировки:

1. Первый заключается в нанесении на корпус полного названия, например КТ815А;
2. Второй заключается в нанесении четырехзначной маркировки, где первым символом будет 5, вторым модель, а последние два символа — дата выпуска. Например 5ВU2 это транзистор КТ815В.

Модификации

Транзистор имеет несколько модификаций, которые имеют небольшие, но важные различия:

• КТ815А — U_кбо(и) = 40 В, U_кэо(и) = 30 В;
• КТ815Б — U_кбо(и) = 50 В, U_кэо(и) = 45 В;
• КТ815В — U_кбо(и) = 70 В, U_кэо(и) = 65 В;
• КТ815Г — U_кбо(и) = 100 В, U_кэо(и) = 85 В.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Значение напряжения коллектор-эмиттер	Uкэ макс, В	40	50	70	100
Значение напряжения эмиттер-база	Uэб макс, В	5
Значение постоянного тока на коллекторе	Iк макс, А	1.5
Значение импульсного тока на коллекторе	Iки макс, А	3
Максимальный рабочий ток на базе	Iб макс, А	0.5
Значение рассеиваемой мощности на коллекторе	Pк макс, Вт	10
Максимальная рабочая температура на переходе	Tмакс, °C	150
Диапазон температуры окружающей среды	Tокр, °C	-60..+125

Стоит отметить, что граничная частота для данных транзисторов находится в районе 3 МГц, и редко указывается в документации.

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Значение граничного напряжения на коллекторе-эмиттере	Uкэо гp. , В	30	45	65	85
Значение обратного тока на коллекторе	Iкбо, мкА	50
Значение обратного тока на коллекторе-эмиттере	Iкэr, мкА	100
Коэффициент усиления	h21э	40..275			30..275
Значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас, В	0.6
Емкость коллекторного перехода	Ск, пФ	60
Емкость эмиттерного перехода	Сэ, 75 пФ	75

Условия монтажа

При применении транзисторов КТ815 и их монтаже, следует придерживаться следующих правил:

• Изгиб выводов транзистора должен находиться минимум в 5 мм от корпуса, при этом радиус закругления должен быть в районе от 1.5 до 2 мм;
• Не допускается установка, при которой на корпус будет передаваться усилие;
• При пайке транзистора необходимо держать жало паяльника на расстоянии не менее 5 мм от корпуса;
• Выводы должны подвергаться пайке при температуре не выше 250 °C не более 2 секунд.

Комплементарная пара

Для всех моделей транзистора КТ815 имеется своя комплементарная пара серии КТ814, с соответствующей буквой в маркировке. Например: для КТ815В комплементарной парой является КТ814В.

Аналоги

Тип	Uкбо(и), В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h21э	fгр., МГц
Оригинал
КТ815А	40	25	1.5 (3)	10	40	3
КТ815Б	50	40	1.5 (3)	10	40	3
КТ815В	70	60	1.5 (3)	10	40	3
КТ815Г	100	80	1.5 (3)	10	30	3
Зарубежное производство
BD135	45	45	1.5 (3)	8	63	-
BD137	60	60	1.5 (3)	8	63	-
BD139	80	80	1.5 (3)	8	63	-
Отечественное производствто
КТ817	от 40	от 40	3 (6)	25	25	3

Стоит отметить, что транзистор КТ817 имеет широкий модельный ряд, позволяющий подобрать замену для каждой из модификации КТ815.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Графические зависимости

Основные зависимости на которые стоит обращать внимание при проектировании устройств с применением транзисторов КТ815