S9015 транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, российские аналоги

Транзистор S9015

S9015 – биполярный кремниевый p-n-p транзистор, особенностями которого являются высокий коэффициент усиления, имеющий хорошую линейность, и небольшой собственный шум.

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

  1. SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
  2. ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

Транзистор S9015

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

Применение

Большой коэффициент усиления, обладающий высокой линейностью, а также малый собственный шум делают транзистор незаменимым во входных каскадах усилителей. Он также применяется в переключающих схемах и адаптерах питания бытовой техники.

Комплементарная пара

Комплементарным для S9015, то есть имеющим такие же характеристики, но другую проводимость, является транзистор S9014. Существуют схемы, специально разработанные для комплементарных пар.

Коэффициент усиления

Следующая в названии после цифр буква (A-D для ТО-92 и H, L для SOT-23) означают, что значение параметра hFE находится в определенном диапазоне. Для S9015 принята следующая разбивка:

  • А (hFE = 60… 150);
  • В (hFE = 100… 300);
  • С (hFE = 200… 600);
  • D (hFE = 400… 1000);
  • L (hFE = 200… 450);
  • H (hFE = 450… 1000).

Источником изложенной далее информации на S9015 является даташит компании Weitron Technology.

Предельно допустимые значения

При превышении любого из параметров, приведенных в таблице, не гарантируется не только соблюдение заявленных значений остальных (таблица 2) и типовых характеристик (приведены далее), но также и целостность самой детали. Знак «–» перед значением параметра символизирует о том, что токи в p-n-p транзисторах направлены в сторону, противоположную той, которую можно ожидать, исходя из названия.

Таблица 1. Предельные значения параметров S9015.

ОбозначениеПараметрЗначение
VCBO
(UCB max)
Напряжение коллектор-база, В-50
VCEO(UCE max)Напряжение коллектор-эмиттер, В-45
VEBO (UEB max)Напряжение эмиттер-база (обратное), В-5
IC (ICmax)Ток коллектора, мА-100
PC (PC max)Рассеиваемая мощность, ВтSOT-230,2
TO-920,4
Tj (tjmax)Температура кристалла, °С150
TstgТемпература хранения, °С-55…+150

Электрические характеристики

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Таблица 2. Электрические параметры S9015.

ОбозначениеПараметрУсловия измеренийЗначение
Мин.Макс.
V(BR)CBOНапряжение пробоя к-б, ВIC=100 µA, IE=0-50
V(BR)CEOНапряжение пробоя к-э, ВIC=100 µA, IB=0-45
V(BR)EBOНапряжение пробоя э-б, ВIE=100 µA, IC=0-5
ICBOОбратный ток коллектора, µAVCB =50 В, IE=0-0,05
IEBOОбратный ток эмиттера, µAVEB =5 В, IC=0-0,05
hFE (h21)Коэффициент усиленияVCE =-5В, IC =-1мА601000
VCE(sat) (UCEsat)Напряжение насыщения к-э, мВIC=-100 мA, IB =-10мA -0,3
VBE(sat) (UBEsat)Напряжение насыщения б-э, мВIC=-100 мA, IB =-10мA-1
fTГраничная частота, МГцVCE =-5В, IC =-10мA, f=30 MГц150

Примечание.

  1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25 °С. Предельно допустимые значения (таблица 1) указаны для тех же условий.
  2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Аналоги

В таблице приведены пригодные для замены S9015 p-n-p транзисторы и их основные параметры.

ТипVCEO, ВIC, мAPC, мВтhFEfT, МГцКорпусЦоколевка (слева направо)
S9015-45-100450 (200)200-1000150ТО-92, SOT-23эбк
Российское производство
КТ310720-4510030070 – 800250ТО-92кбэ
КТ61124510045060 – 600100ТО-92кбэ
Импорт
2N5401C-150-60062550 – 240100 – 300ТО-92экб
BC320-45-15031070 – 800180ТО-92эбк
HS733-50-15025070 –700180ТО-92эбк
KTC9015-50-15062560 – 600100ТО-92эбк
2SA1020-50-200090070 – 240100TO-92MODэкб
2SA1318-50-200500100 – 560200ТО-92экб
KSP56-80500625от 5050ТО-92эбк
KSA733-50-15025040 – 700180ТО-92эбк

Примечание.

  1. Значение VCEO КТ3107 определяется буквой, следующей за последней цифрой.
  2. Корпус TO-92MOD отличается от ТО-92 высотой (8 мм вместо 4 мм) и наличием на ножках расширений – в 2 мм от поверхности корпуса.
  3. Источником данных для таблицы послужили даташиты компаний-производителей.

Типовые параметры

Выходная характеристика

Рис. 1. Выходная характеристика IC = f(VCE) при IB = 50… 400 мкА.

 

Передаточная характеристика

Рис.2. Передаточная характеристика IC = f(VBE) при VCE = -5 В.

 

Коэффициент усиления

Рис.3. Коэффициент усиления hFE = f(IC) при VCE = -5 В.

 

Зависимость напряжений насыщения от тока коллектора

Рис.4. Зависимость напряжений насыщения VCE(sat) и VBE(sat) от тока коллектора IC (IC = 20 IB).

 

Зависимость выходной емкости от напряжения к-б

Рис.5. Зависимость выходной емкости от напряжения к-б (f = 1 МГц, эмиттер свободен).

 

Зависимость полосы пропускания от тока коллектора

Рис.6. Зависимость полосы пропускания от тока коллектора fT = f(IC) при VCE = -6 В.

radiosvod.ru
Добавить комментарий