S9015 – биполярный кремниевый p-n-p транзистор, особенностями которого являются высокий коэффициент усиления, имеющий хорошую линейность, и небольшой собственный шум.
Корпус и цоколевка
Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:
- SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
- ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.
По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.
Применение
Большой коэффициент усиления, обладающий высокой линейностью, а также малый собственный шум делают транзистор незаменимым во входных каскадах усилителей. Он также применяется в переключающих схемах и адаптерах питания бытовой техники.
Комплементарная пара
Комплементарным для S9015, то есть имеющим такие же характеристики, но другую проводимость, является транзистор S9014. Существуют схемы, специально разработанные для комплементарных пар.
Коэффициент усиления
Следующая в названии после цифр буква (A-D для ТО-92 и H, L для SOT-23) означают, что значение параметра hFE находится в определенном диапазоне. Для S9015 принята следующая разбивка:
- А (hFE = 60… 150);
- В (hFE = 100… 300);
- С (hFE = 200… 600);
- D (hFE = 400… 1000);
- L (hFE = 200… 450);
- H (hFE = 450… 1000).
Источником изложенной далее информации на S9015 является даташит компании Weitron Technology.
Предельно допустимые значения
При превышении любого из параметров, приведенных в таблице, не гарантируется не только соблюдение заявленных значений остальных (таблица 2) и типовых характеристик (приведены далее), но также и целостность самой детали. Знак «–» перед значением параметра символизирует о том, что токи в p-n-p транзисторах направлены в сторону, противоположную той, которую можно ожидать, исходя из названия.
Таблица 1. Предельные значения параметров S9015.
| Обозначение | Параметр | Значение | |
|---|---|---|---|
| VCBO (UCB max) | Напряжение коллектор-база, В | -50 | |
| VCEO(UCE max) | Напряжение коллектор-эмиттер, В | -45 | |
| VEBO (UEB max) | Напряжение эмиттер-база (обратное), В | -5 | |
| IC (ICmax) | Ток коллектора, мА | -100 | |
| PC (PC max) | Рассеиваемая мощность, Вт | SOT-23 | 0,2 |
| TO-92 | 0,4 | ||
| Tj (tjmax) | Температура кристалла, °С | 150 | |
| Tstg | Температура хранения, °С | -55…+150 | |
Электрические характеристики
В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.
Таблица 2. Электрические параметры S9015.
| Обозначение | Параметр | Условия измерений | Значение | |
|---|---|---|---|---|
| Мин. | Макс. | |||
| V(BR)CBO | Напряжение пробоя к-б, В | IC=100 µA, IE=0 | -50 | |
| V(BR)CEO | Напряжение пробоя к-э, В | IC=100 µA, IB=0 | -45 | |
| V(BR)EBO | Напряжение пробоя э-б, В | IE=100 µA, IC=0 | -5 | |
| ICBO | Обратный ток коллектора, µA | VCB =50 В, IE=0 | -0,05 | |
| IEBO | Обратный ток эмиттера, µA | VEB =5 В, IC=0 | -0,05 | |
| hFE (h21) | Коэффициент усиления | VCE =-5В, IC =-1мА | 60 | 1000 |
| VCE(sat) (UCEsat) | Напряжение насыщения к-э, мВ | IC=-100 мA, IB =-10мA | -0,3 | |
| VBE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения б-э, мВ | IC=-100 мA, IB =-10мA | -1 | |
| fT | Граничная частота, МГц | VCE =-5В, IC =-10мA, f=30 MГц | 150 | |
Примечание.
- Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25 °С. Предельно допустимые значения (таблица 1) указаны для тех же условий.
- В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.
Аналоги
В таблице приведены пригодные для замены S9015 p-n-p транзисторы и их основные параметры.
| Тип | VCEO, В | IC, мA | PC, мВт | hFE | fT, МГц | Корпус | Цоколевка (слева направо) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S9015 | -45 | -100 | 450 (200) | 200-1000 | 150 | ТО-92, SOT-23 | эбк |
| Российское производство | |||||||
| КТ3107 | 20-45 | 100 | 300 | 70 – 800 | 250 | ТО-92 | кбэ |
| КТ6112 | 45 | 100 | 450 | 60 – 600 | 100 | ТО-92 | кбэ |
| Импорт | |||||||
| 2N5401C | -150 | -600 | 625 | 50 – 240 | 100 – 300 | ТО-92 | экб |
| BC320 | -45 | -150 | 310 | 70 – 800 | 180 | ТО-92 | эбк |
| HS733 | -50 | -150 | 250 | 70 –700 | 180 | ТО-92 | эбк |
| KTC9015 | -50 | -150 | 625 | 60 – 600 | 100 | ТО-92 | эбк |
| 2SA1020 | -50 | -2000 | 900 | 70 – 240 | 100 | TO-92MOD | экб |
| 2SA1318 | -50 | -200 | 500 | 100 – 560 | 200 | ТО-92 | экб |
| KSP56 | -80 | 500 | 625 | от 50 | 50 | ТО-92 | эбк |
| KSA733 | -50 | -150 | 250 | 40 – 700 | 180 | ТО-92 | эбк |
Примечание.
- Значение VCEO КТ3107 определяется буквой, следующей за последней цифрой.
- Корпус TO-92MOD отличается от ТО-92 высотой (8 мм вместо 4 мм) и наличием на ножках расширений – в 2 мм от поверхности корпуса.
- Источником данных для таблицы послужили даташиты компаний-производителей.
Типовые параметры
Рис. 1. Выходная характеристика IC = f(VCE) при IB = 50… 400 мкА.
Рис.2. Передаточная характеристика IC = f(VBE) при VCE = -5 В.
Рис.3. Коэффициент усиления hFE = f(IC) при VCE = -5 В.
Рис.4. Зависимость напряжений насыщения VCE(sat) и VBE(sat) от тока коллектора IC (IC = 20 IB).
Рис.5. Зависимость выходной емкости от напряжения к-б (f = 1 МГц, эмиттер свободен).
Рис.6. Зависимость полосы пропускания от тока коллектора fT = f(IC) при VCE = -6 В.
Автор публикации
