Транзистор S9013

Биполярный кремниевый транзистор S9013 обратной проводимости (структура n-p-n) выпускается по эпитаксиально-планарной технологии в пластиковом корпусе ТО-92. Он имеет цилиндрическую форму с размерами не более 5мм в любой плоскости. Производитель наносит маркировку о марке полупроводникового элемента и дате выпуска на технологическую плоскую поверхность, расположенную на лицевой стороне корпуса.

Цоколевка

В нижнем торце располагаются три вывода. Если смотреть на маркировку, то слева направо: эмиттер, база, коллектор.

 

Особенности и применение транзистора

Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт. Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления h_FE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц.

Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.

Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.

Характеристики (предельные значения)

Параметр	Обозначение	Максимальное значение
Напряжение коллектор-база	VCBO	40В
Напряжение коллектор-эмиттер	VCEO	20В
Напряжение эмиттер-база	VEBO	5В
Ток коллектор	IC	0,5А
Постоянная рассеиваемая мощность	PС	0,63Вт
Температурный диапазон	Tmin-max	от −55 до 150 град. Цельсия
Напряжение пробоя коллектор-база	BVCBO	40В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	BVCEO	20В
Напряжение пробоя эмиттер-база	BVEBO	5В
Обратный ток коллектора	ICBO	100нА
Обратный ток эмиттера	IEBO	100нА
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =50мА)	hFE1	от 64 до 202, тип. 120
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =500мА)	hFE2	120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE (нас)	0,6В
Напряжение насыщения база-эмиттер	VBE (нас)	1,2В
Напряжение база-эмиттер	VBE (on)	0,7В

Классификация по величине hFE

Производители выпускают 5 модификаций транзистора. Между собой они отличаются диапазоном коэффициента усиления по току. Каждому типу присваивается латинская буква, которая добавляется в маркировке после основных цифр 9013. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.

Типы	D	E	F	G	H
hFE1	64 ~ 91	78 ~ 112	96 ~135	112 ~166	144 ~ 202

Маркировка и параметры

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Tj	Cc	Ic	hfe	ft	Корпус
CS9013	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	1 A	64	200 MHz	TO-92
CS9013D	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	64	200 MHz	TO-92
CS9013E	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	78	200 MHz	TO-92
CS9013F	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	96	200 MHz	TO-92
CS9013G	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	118	200 MHz	TO-92
CS9013H	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	144	200 MHz	TO-92
CS9013I	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	180	200 MHz	TO-92
FCS9013	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	64	200 MHz	TO-92
FCS9013D	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	64	200 MHz	TO-92
FCS9013E	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	78	200 MHz	TO-92
FCS9013F	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	96	200 MHz	TO-92
FCS9013G	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	118	200 MHz	TO-92
FCS9013H	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	144	200 MHz	TO-92
FCS9013I	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	180	200 MHz	TO-92
GS9013	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	1 A	64	200 MHz	TO-92
GS9013D	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	64	200 MHz	TO-92
GS9013E	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	78	200 MHz	TO-92
GS9013F	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	96	200 MHz	TO-92
GS9013G	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	118	200 MHz	TO-92
GS9013H	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	144	200 MHz	TO-92
GS9013I	0.6 W	25 V	25 V	3 V	150 °C	20 pf	0.1 A	180	200 MHz	TO-92
MMS9013-H	0.3 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	200	150 MHz	SOT23
MMS9013-L	0.3 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	120	150 MHz	SOT23
S9013	0.3 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	120	150 MHz	SOT23
S9013G	0.625 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	112	150 MHz	TO-92
S9013H	0.625 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	144	150 MHz	TO-92
S9013I	0.625 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	190	150 MHz	TO-92
S9013LT1	0.225 W	40 V	20 V	5 V	150 °C		0.5 A	100		SOT23
S9013T	0.625 W	40 V	25 V	5 V	150 °C		0.5 A	64	150 MHz	TO-92
S9013W	0.2 W	40 V	25 V	5 V	150 °C	8 pf	0.5 A	120	150 MHz	SOT323
SS9013	0.625 W	40 V	20 V		150 °C		0.5 A	64		TO-92
STS9013	0.625 W	40 V	30 V	5 V	150 °C	7 pf	0.5 A	96	140 MHz	TO-92

Аналоги и комплементарная пара

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
S9013	25	0,5	0,625	64	150
Отечественное производство
КТ315Г	35	0,1	0,15	50	250
КТ3102А	50	0,1	0,25	100	150
КТ680А	25	0,6	0,35	85	120
Импорт
2SC1008	60	0,75	0,75	60	100
BC537	60	1	0,625	50	120
BC538	80	1	0,625	50	120
KSC1008	60	0,7	0,8	40	30
KSC1009	140	0,7	0,8	40	30
KSP05	60	0,5	0,625	50	100
KSP06	80	0,5	0,625	50	100
KSP42	300	0,5	0,625	40	50
KSP43	200	0,5	0,625	40	50
MPS6532	30	0,6	0,31	30	200
MPSA42	300	0,5	0,625	25	50
MPSA43	200	0,5	0,625	25	50
MPSW01A	40	1	1	50	50
MPSW01AG	50	1	1	60	50
MPSW05	60	0,5	1	60	50
MPSW05G	60	0,5	1	60	50
MPSW06	80	0,5	1	80	50
MPSW06G	80	0,5	1	60	50
MPSW42	300	0,5	1	40	50
MPSW42G	300	0,5	1	40	50

Примечание: все характеристики транзисторов аналогов взяты из даташип производителя.

Для комплементарной пары рекомендуется использовать транзистор прямой проводимости S9012.

Зависимость тока коллектора от выходного напряжения

На графике представлена выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора. Он интересен тем, что на форму кривых влияют практически все основные электрические параметры полупроводникового элемента. Семейство линий представляет собой ступенчатое открытие транзистора по мере увеличения тока базы. Это активный (усилительный) режим работы элемента. На графике это последовательность практически горизонтальных линий, свидетельствующих о нарастании тока коллектора с ростом тока базы.

Режим отсечки на графике – это область, граничащая с осью Х (напряжение коллектор-эмиттер). Транзистор закрыт – ток коллектора практически отсутствует.

Режим насыщения – это вертикальная зона семейства кривых, в непосредственной близости от оси Y. Падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер минимально.