S9013 транзистор: характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

Транзистор S9013

Биполярный кремниевый транзистор S9013 обратной проводимости (структура n-p-n) выпускается по эпитаксиально-планарной технологии в пластиковом корпусе ТО-92. Он имеет цилиндрическую форму с размерами не более 5мм в любой плоскости. Производитель наносит маркировку о марке полупроводникового элемента и дате выпуска на технологическую плоскую поверхность, расположенную на лицевой стороне корпуса.

Цоколевка

В нижнем торце располагаются три вывода. Если смотреть на маркировку, то слева направо: эмиттер, база, коллектор.

Транзистор S9013

 

Особенности и применение транзистора

Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт. Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления hFE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц.

Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.

Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.

Характеристики (предельные значения)

ПараметрОбозначениеМаксимальное значение
Напряжение коллектор-базаVCBO40В
Напряжение коллектор-эмиттерVCEO20В
Напряжение эмиттер-базаVEBO
Ток коллекторIC0,5А
Постоянная рассеиваемая мощностьPС0,63Вт
Температурный диапазонTmin-maxот −55 до 150 град. Цельсия
Напряжение пробоя коллектор-базаBVCBO40В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттерBVCEO20В
Напряжение пробоя эмиттер-базаBVEBO
Обратный ток коллектораICBO100нА
Обратный ток эмиттераIEBO100нА
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =50мА)hFE1от 64 до 202,
тип. 120
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =500мА)hFE2120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерVCE (нас)0,6В
Напряжение насыщения база-эмиттерVBE (нас)1,2В
Напряжение база-эмиттерVBE (on)0,7В

Классификация по величине hFE

Производители выпускают 5 модификаций транзистора. Между собой они отличаются диапазоном коэффициента усиления по току. Каждому типу присваивается латинская буква, которая добавляется в маркировке после основных цифр 9013. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.

ТипыDEFGH
hFE164 ~ 9178 ~ 11296 ~135112 ~166144 ~ 202

Маркировка и параметры

ТипPcUcbUceUebTjCcIchfeftКорпус
CS9013 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 1 A 64 200 MHz TO-92
CS9013D 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 64 200 MHz TO-92
CS9013E 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 78 200 MHz TO-92
CS9013F 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 96 200 MHz TO-92
CS9013G 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 118 200 MHz TO-92
CS9013H 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 144 200 MHz TO-92
CS9013I 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 180 200 MHz TO-92
FCS9013 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 64 200 MHz TO-92
FCS9013D 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 64 200 MHz TO-92
FCS9013E 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 78 200 MHz TO-92
FCS9013F 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 96 200 MHz TO-92
FCS9013G 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 118 200 MHz TO-92
FCS9013H 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 144 200 MHz TO-92
FCS9013I 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 180 200 MHz TO-92
GS9013 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 1 A 64 200 MHz TO-92
GS9013D 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 64 200 MHz TO-92
GS9013E 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 78 200 MHz TO-92
GS9013F 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 96 200 MHz TO-92
GS9013G 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 118 200 MHz TO-92
GS9013H 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 144 200 MHz TO-92
GS9013I 0.6 W 25 V 25 V 3 V 150 °C 20 pf 0.1 A 180 200 MHz TO-92
MMS9013-H 0.3 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 200 150 MHz SOT23
MMS9013-L 0.3 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 120 150 MHz SOT23
S9013 0.3 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 120 150 MHz SOT23
S9013G 0.625 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 112 150 MHz TO-92
S9013H 0.625 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 144 150 MHz TO-92
S9013I 0.625 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 190 150 MHz TO-92
S9013LT1 0.225 W 40 V 20 V 5 V 150 °C 0.5 A 100 SOT23
S9013T 0.625 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 0.5 A 64 150 MHz TO-92
S9013W 0.2 W 40 V 25 V 5 V 150 °C 8 pf 0.5 A 120 150 MHz SOT323
SS9013 0.625 W 40 V 20 V 150 °C 0.5 A 64 TO-92
STS9013 0.625 W 40 V 30 V 5 V 150 °C 7 pf 0.5 A 96 140 MHz TO-92

Аналоги и комплементарная пара

АналогVCEOICPChFEfT
S9013250,50,62564150
Отечественное производство
КТ315Г350,10,1550250
КТ3102А500,10,25100150
КТ680А250,60,3585120
Импорт
2SC1008600,750,7560100
BC5376010,62550120
BC5388010,62550120
KSC1008600,70,84030
KSC10091400,70,84030
KSP05600,50,62550100
KSP06800,50,62550100
KSP423000,50,6254050
KSP432000,50,6254050
MPS6532300,60,3130200
MPSA423000,50,6252550
MPSA432000,50,6252550
MPSW01A40115050
MPSW01AG50116050
MPSW05600,516050
MPSW05G600,516050
MPSW06800,518050
MPSW06G800,516050
MPSW423000,514050
MPSW42G3000,514050

Примечание: все характеристики транзисторов аналогов взяты из даташип производителя.

Для комплементарной пары рекомендуется использовать транзистор прямой проводимости S9012.

Зависимость тока коллектора от выходного напряжения

Зависимость тока коллектора от выходного напряжения

На графике представлена выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора. Он интересен тем, что на форму кривых влияют практически все основные электрические параметры полупроводникового элемента. Семейство линий представляет собой ступенчатое открытие транзистора по мере увеличения тока базы. Это активный (усилительный) режим работы элемента. На графике это последовательность практически горизонтальных линий, свидетельствующих о нарастании тока коллектора с ростом тока базы.

Режим отсечки на графике – это область, граничащая с осью Х (напряжение коллектор-эмиттер). Транзистор закрыт – ток коллектора практически отсутствует.

Режим насыщения – это вертикальная зона семейства кривых, в непосредственной близости от оси Y. Падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер минимально.

radiosvod.ru