2N5401 транзистор: характеристики (параметры), datasheet, аналоги, цоколевка

Транзистор 2N5401

2N5401 — кремниевый биполярный транзистор прямой проводимости, со структурой P-N-P. Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии в сплошном пластиковом корпусе ТО-92.

Корпус, цоколевка

Корпус имеет форму цилиндра. Передняя часть усечена плоскостью, на которой отображается информация о марке транзистора и дате выпуска. В нижнем торце корпуса имеются три гибких вывода. Если смотреть на переднюю часть корпуса с информацией, вывода слева направо определяются, как эмиттер, база, коллектор.

Транзистор 2N5401

Отличительные особенности

Транзистор характеризуется низким уровнем собственных шумов, высокой, до 150 градусов Цельсия, рабочей температурой и неплохой частотной характеристикой. Элемент отличается высокой надежностью. Устойчиво работает при напряжениях, близких к максимальным значениям. Конструкция предусматривает тепловую защиту и не допускает превышение максимальных значений по току.

Применение

Транзистор получил широкое распространение в электронной промышленности и радиолюбительской практике, где применяется в усилительных устройствах и схемах коммутации.

Характеристики

Таблица максимальных значений основных параметров транзистора 2N5401 при температуре 25°С

ПараметрЗначение
Напряжение коллектор-эмиттер150 В
Напряжение коллектор-база160 В
Напряжение эмиттер-база5 В
Рассеиваемая мощность625 мВт
Ток коллектора600 мА
Тепловое сопротивление, с теплоотводом83 °С/Вт
Тепловое сопротивление, без теплоотвода200 °С/Вт
Рабочая температураот -55 до 150 °С
Частота коэффициента передачи тока300 МГц
Коэффициент передачи токаот 60 до 240
Ток коллектора0,3А – постоянный
0,6А –пульсирующий
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (ток коллектора – 50мА, ток базы – 5мА)менее 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер (ток коллектора – 50мА, ток базы – 5мА)менее 1 В
Обратный ток коллектор - база при напряжении коллектор-база 160Вменее 50 нА
Обратный ток эмиттера - база при напряжении эмиттер-база 4Вменее 50 нА

Комплементарная пара

Транзисторы 2N5401 и 2N5551 образуют комплементарную пару.

Модификации

PcUcbUceUebTjCcIchfeftКорпус 
2N54010.31 W160 V150 V5 V135 °C6 pf0.6 A60100 MHzTO-92
2N5401AI0.625 W150 V0.6 A50100 MHzTO-92
2N5401C0.625 W160 V150 V5 V150 °C6 pf0.6 A60300 MHzTO-92
2N5401CSM0.31 W150 V0.6 A40100 MHzLCC1
2N5401DCSM0.31 W150 V0.6 A40100 MHzLCC2
2N5401G0.625 W160 V150 V5 V150 °C6 pf0.6 A60100 MHzTO-92
2N5401HR0.36 W160 V150 V5 V200 °C6 pf0.6 A60TO-18
2N5401N0.4 W160 V160 V5 V150 °C6 pf0.6 A60100 MHzTO-92N
2N5401RLRAG0.625 W160 V150 V5 V150 °C6 pf0.6 A60100 MHzTO-92
2N5401S0.35 W160 V150 V5 V150 °C6 pf0.6 A60300 MHzSOT23
2N5401SAM0.625 W150 V0.6 A50100 MHzTO-92
H2N54010.625 W160 V150 V5 V150 °C6 pf0.6 A80100 MHzTO-92

Аналоги

АналогVCEOICPChFEfT
2N54011500,60,3160100
Отечественное производство
КТ6116А1600,60,62560100
КТ502Е800,150,35405
Импорт
2N54001200,60,3140100
ECG2883000,50,6254050
MPSA923000,50,6252550
MPSA932000,50,6253050
MPSL511000,60,314060
BF4912000,50,6252550
ECG2883000,50,6254050
2SB646800,50,96070
2SB646A1000,50,96070
2SB6471500,50,33040
2SB647A8010,96070
2SA63810010,96070
BC526A500,20,625100200
BC404VI600,150,3550150
2SA1015500,150,47080

Таблица отображает аналоги с наиболее близкими техническими характеристиками, взятыми из даташип производителя.

Зависимость коэффициента усиления по току от тока коллектора

Зависимость коэффициента усиления по току от тока коллектора

График отображает зависимость коэффициента усиления транзистора по току (hfe) от тока коллектора (Ic). Большую наглядность добавляет наложение нескольких кривых на один рисунок. На их положение влияют дополнительные параметры:

  • Тj – рабочая температура (градусы Цельсия);
  • Ic – ток коллектора (mA).

Хорошо видно, что все зависимости объединены в три пары. Положение линии в паре определяет дискретное изменение значения напряжения коллектор-эмиттер: 1,0/-5,0 V. Пары на рисунке располагаются в зависимости от изменения рабочей температуры, с шагом: -55, 25 и 125 градусов Цельсия.
Анализируя взаимное расположение кривых и их форму на графике, можно сделать следующие выводы:

  • активный радиокомпонент находится в рабочем состоянии в диапазоне температур, не менее чем от -55 до 125 градусов Цельсия;
  • нагревание корпуса транзистора увеличивает его коэффициент усиления, причем эта зависимость (hfe от Тj) имеет нелинейную форму.

В целом, видно, что транзистор обладает усилительными свойствами во всем диапазоне изменений коллекторного тока, от 0 до 100mA. Зависимость имеет плавно изменяющуюся форму, с явно видимыми спадами в районе малых токов и при приближении к максимальному значению, -100mA. Уменьшение коэффициента усиления имеет сложное физическое обоснование и объясняется структурными изменениями режимов работы полупроводниковых переходов транзистора.

Транзистор 2n5401 может применяться как активный усилительный элемент для качественного усиления электрических сигналов или переключатель для дискретного снятия/подачи напряжения.

radiosvod.ru
Добавить комментарий