Транзистор C1815: характеристики, цоколевка, аналоги

Транзистор C1815 (2SC1815)

C1815 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор общего применения. Конструктивное исполнение TO-92, SOT-23 (SMD).

Корпус, цоколевка и размеры

Транзистор C1815

Предназначение

Разработан для применения в схемах усилителей звуковой частоты общего назначения и предоконечных каскадов усилителей мощности.

Характерные особенности

  • Относительно большие коллекторные напряжения и токи: UCEO ≥ 50 В, IC = 0,15 А.
  • Отличная линейность параметра hFE при изменении нагрузки транзистора: hFE (при IC = 0,1 мА) / hFE (при IC = 2 мА) = 0,95.
  • Низкий уровень шума: NF = 1 дБ при f = 1 кГц.
  • Комплементарная пара: 2SA1015 (по группам O, Y, GR).

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикиОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO60
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO50
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO5
Ток коллектора постоянный, АIC0,15
Ток базы постоянный, АIB0,05
Предельная рассеиваемая мощность, ВтTO-92PC0,4
SOT-23 PC0,2
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj125
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+125

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, ВU(BR)CBOIC = 100 мкА, IE = 0≥ 60
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВU(BR)CEOIC = 100 мкА, IB = 0≥ 50
Ток коллектора выключения, мкАICBO UCB = 60 В, IE = 0≤ 0,1
Ток коллектора выключения, мкА ICEOUCE = 50 В, IB = 0≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мкАIEBOUEB = 5 В, IC = 0≤ 0,1
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 100 мА, IB = 10 мА≤ 0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 100 мА, IB = 10 мА≤ 1,0
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 6,0 В, IC = 2,0 мА70…700
hFE (2) UCE = 6,0 В, IC = 150,0 мА≥ 25
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГцfTIC = 1,0 мА, UCE = 10 В≥ 80
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц≤ 3,5
Коэффициент шумаNFIC = 0,1 мА, UCE = 6 В,
RG = 10 кОм, f = 1,0 кГц
1…10

Классификация по величине hFE

Группа по величине hFEO YGRBL
Величина hFE70…140120…240 200…400 350…700

Модификации (версии) транзистора

ТипPCUCBUCEUEBICTJhFEfTCobNFUCE(sat)КорпусПримечание
C18150,625605050,1512525...700≥ 80≤ 3-≤ 0,25TO-92Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC18150,2605050,15150130...400≥ 80--≤ 0,25SOT-23Группы по hFE: L/H
Маркировка: HF
2SC18150,2605050,15125130...400≥ 80--≤ 0,25SOT-23Группа L по hFE: маркировка: HFL.
Группа H маркировка: HF
2SC18150,4605050,1512525...700≥ 80≤ 3,51...10≤ 0,25TO-92Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815(L)0,4605050,1512525...700≥ 80≤ 3,5≤ 6≤ 0,25TO-92Группы по hFE: O/Y/GR/BL
2SC1815LT10,225605050,1515070...700---≤ 0,3SOT-23Маркировка: L6
2SC1815M (BR3DG1815M)0,3605050,1515025...700≥ 80≤ 3,51...10≤ 0,25SOT-23Группы по hFE: O/Y/GR/BL
Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB
2SC1815 M0,3454050,112570...700≥ 80≤ 3,5-≤ 0,4TO-92BГруппы по hFE: O/Y/GR/BL
C18150,2605050,15150130...400≥ 80--≤ 0,25SOT-23Группы по hFE: L/H
Маркировка: HF
C1815T0,4605050,1512570...700≥ 80≤ 3,5≤ 10≤ 0,25TO-92Группы по hFE: O/Y/GR
CSC18150,625605050,1512525...700≥ 80≤ 3≤ 10≤ 0,25TO-92Группы по hFE: O/Y/GR/BL
FTC18150,4605050,1512570...700≥ 80≤ 3,5≤ 10≤ 0,25TO-92Группы по hFE: O/Y/GR/BL
KSC18150,4605050,1512525...700≥ 80≤ 31≤ 0,25TO-92Группы по hFE: O/Y/GR/L
KTC18150,625605050,1515025...700≥ 80≤ 3,5≤ 10≤ 0,25TO-92Группы по hFE: Y/GR

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.

Отечественное производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJhFEfTCobNFUCE(sat)Корпус
C18150,2605050,15150130803,5 -≤ 0,25SOT-23
КТ3102А0,25505050,1 -100…200150≤ 610 -ТО-92, ТО-18
КТ3102Б0,25505050,1 -200…500150≤ 610 -ТО-92, ТО-18
КТ602А/Б0,8512010050,07515020…80150≤ 4-≤ 3,0ТО-126
КТ602В/Г0,85807050,07515015…80150≤ 4-≤ 3,0ТО-126
КТ611А/Б0,820018040,115010…120≥ 60≤ 5-≤ 0,8ТО-126
КТ611В/Г0,818018040,115010…120≥ 60≤ 5-≤ 0,8ТО-126
КТ660А0,5504550,8150110…220 ≥ 200≤ 10-≤ 0,5ТО-92

Зарубежное производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJhFEfTCobNFUCE(sat)КорпусМаркировка
2SC18150,4605050,1515070...70080≤ 3,51...100,25TO-92-
CSC3114/R0,4-50-0,15-100100≤ 3,5≤ 100≤ 0,25TO-92-
CSC3114S0,4-50-0,15-140100---TO-92-
CSC3114V0,4-50-0,15-280100---TO-92-
CSC31990,4-50-0,15-70...70080---TO-92-
CSC3331/R/S/T0,5-50-0,2-70200---TO-92-
CSC3331TU/U/V0,5-50-0,2-70200---TO-92-
C18150,2605050,1515013080--0,25SOT-23HF
2N5551SC0,3518016060,6150150100≤ 6≤ 8≤ 0,5SOT-23ZFC
2PD601BRL0,25605060,2150210100≤ 3-≤ 0,25SOT-23ML٭
2PD601BSL0,25605060,2150290100≤ 3-≤ 0,25SOT-23MM٭
2PD602ASL0,25605050,5150170180≤ 15-≤ 0,6SOT-23SF
2SC2412-R0,2605070,15150180180≤ 3,5-≤ 0,4SOT-23BR
2SC2412-S0,2605070,15150270180≤ 3,5-≤ 0,4SOT-23BS
2SC945LT10,23605050,15150200150≤ 3,5-≤ 0,3SOT-23L6
2STR11600,5605051150250150≤ 3,5-≤ 0,43SOT-23160
BCV470,368060100,515010000170≤ 3,5-≤ 1,0SOT-23DK, FG, FGp, FGs, FGt, W
BTC2412N30,225605070,215018080≤ 3,5-≤ 0,4SOT-23C4
BTD2150N30,22580506415027017514-≤ 0,32SOT-23CF
BTN6427N30,22510060120,515010000≤ 7-≤ 1,5SOT-231N
CMPT38200,35806051150200150≤ 10-≤ 0,28SOT-2338C
CMPT491E0,35806051150200150≤ 10-≤ 0,4SOT-23C49
INC5001AC10,2806051150130240≤ 10-≤ 0,25SOT-23XY
INC5006AC10,2100507315040025013-≤ 0,2SOT-23CER
KMMT6190,35605060,2150250100≤ 20-≤ 0,5SOT-23619, 619H
KST64280,35605060,2150250100≤ 3- -SOT-231K
L2SC1623RLT1G0,225605070,15150180250≤ 3-≤ 0,3SOT-23L6
L2SC1623SLT1G0,225605070,15150270250≤ 3-≤ 0,3SOT-23L7
L2SC2412KRLT1G0,2605070,15150180180≤ 3,5-≤ 0,4SOT-23BR
L2SC2412KSLT1G0,2605070,15150270180≤ 3,5-≤ 0,4SOT-23G1F
L2SC5343RLT1G0,2605050,1515018080≤ 3,5≤ 10≤ 0,25SOT-237R
L2SC5343SLT1G0,2605050,1515027080≤ 3,5≤ 10≤ 0,25SOT-237S
LMBT6428LT1G0,225605060,2150250100≤ 3≤ 0,5SOT-231KM
MMBT5343-G/L0,2605050,1515020080≤ 3,5≤ 10≤ 0,25SOT-235343
MMBT64280,3605060,2150250100≤ 3-≤ 0,6SOT-231K, 1KM
MMBT6428L/LT1/LT1G0,225605060,2150250100≤ 3-≤ 0,6SOT-231KM
MMBT945-H/L0,2605050,15150200/130150≤ 3-≤ 0,3SOT-23CR
MMBTA280,358080120,815010000125≤ 8-≤ 1,5SOT-233SS
K6R
NXP3875G0,2605050,1515020080≤ 3,5≤ 10≤ 0,25SOT-23٭JF
PBSS4041NT0,3606053,815030017517-≤ 0,3SOT-23٭BK
PBSS4160T0,3806051150250150≤ 10-≤ 0,25SOT-23٭U5
PBSS8110T0,312010051150150100≤ 7,5-≤ 0,2SOT-23٭U8
SSTA280,28080120,315010000200≤ 8-≤ 1,5SOT-23
SST3
RAT
TMPS1654N70,2258016050,15150150100≤ 8-≤ 1,5SOT-23N7
TMPT64280,225605060,2150250100≤ 3-≤ 0,2SOT-231K

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Рис. 1. Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.

Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C (Надпись на поле рисунка).

Зависимость статического коэффициента усиления от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды и значении коллекторного напряжения UCE = 6 В. Пунктиром показаны отклонения характеристик при малых значениях коллекторного напряжения UCE = 1 В (надпись на поле рисунка).

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора от величины коллекторной нагрузки

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды Ta и при соотношении токов IC/IB = 10.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора от величины коллекторной нагрузки

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при соотношении токов IC/IB = 10 и температуре внешней среды Ta = 25°C (надпись на поле рисунка).

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 5. Входная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость входного тока (управления) IB от напряжения управления UBE при различных температурах внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.

Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) от величины коллекторной нагрузки

Рис. 6. Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) fT от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при температуре среды Ta = 25°C и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В (надпись на поле рисунка).

Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора при нарастании температуры внешней среды

Рис. 7. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора PC при нарастании температуры внешней среды Ta.

Область безопасной работы транзистора

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора. Характеристики сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме подачи одиночного импульса (Single Pulse) длительностей 80 мкс, 300 мкс и постоянного тока — DC (надпись на поле рисунка Notes: …).

Ограничение по величине коллекторного тока: IC = 150 мА.

Ограничение по величине коллекторного напряжения: UCEO = 50 В.

Ограничения по общему нагреву и вторичному пробою структуры транзистора показаны в виде сплошных и пунктирных линий в диапазонах по напряжению 5…50 В и по току коллектора 30…150 мА.

radiosvod.ru
Добавить комментарий