C1815 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор общего применения. Конструктивное исполнение TO-92, SOT-23 (SMD).
Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Разработан для применения в схемах усилителей звуковой частоты общего назначения и предоконечных каскадов усилителей мощности.
Характерные особенности
- Относительно большие коллекторные напряжения и токи: UCEO ≥ 50 В, IC = 0,15 А.
- Отличная линейность параметра hFE при изменении нагрузки транзистора: hFE (при IC = 0,1 мА) / hFE (при IC = 2 мА) = 0,95.
- Низкий уровень шума: NF = 1 дБ при f = 1 кГц.
- Комплементарная пара: 2SA1015 (по группам O, Y, GR).
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристики | Обозначение | Величина | |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | 60 | ||
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 50 | |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 5 | |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 0,15 | |
| Ток базы постоянный, А | IB | 0,05 | |
| Предельная рассеиваемая мощность, Вт | TO-92 | PC | 0,4 |
| SOT-23 | PC | 0,2 | |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 125 | |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | ||
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | |||
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | ≥ 60 | ||
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | IC = 100 мкА, IB = 0 | ≥ 50 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 60 В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICEO | UCE = 50 В, IB = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 5 В, IC = 0 | ≤ 0,1 |
| Характеристики включенного состояния | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 100 мА, IB = 10 мА | ≤ 0,25 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 100 мА, IB = 10 мА | ≤ 1,0 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 6,0 В, IC = 2,0 мА | |
| hFE (2) | UCE = 6,0 В, IC = 150,0 мА | ≥ 25 | |
| Характеристики работы в режиме малого сигнала | |||
| Граничная частота усиления (частота среза), МГц | fT | IC = 1,0 мА, UCE = 10 В | ≥ 80 |
| Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | ≤ 3,5 |
| Коэффициент шума | NF | IC = 0,1 мА, UCE = 6 В, RG = 10 кОм, f = 1,0 кГц | 1…10 |
Классификация по величине hFE
| Группа по величине hFE | O | Y | GR | BL |
|---|---|---|---|---|
| Величина hFE | 70…140 | 120…240 | 200…400 | 350…700 |
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Примечание |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | ≤ 3 | - | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL | ||||
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130...400 | ≥ 80 | - | - | ≤ 0,25 | Группы по hFE: L/H | |
| 2SC1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 130...400 | ≥ 80 | - | - | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группа L по hFE: маркировка: HFL. |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25...700 | ≥ 80 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL | ||
| 2SC1815(L) | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25...700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 6 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| 2SC1815LT1 | 0,225 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 70...700 | - | - | - | ≤ 0,3 | SOT-23 | |
| 2SC1815M (BR3DG1815M) | 0,3 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25...700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | 1...10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL Маркировка: HHFO, HHFY, HHFG, HHFB |
| 2SC1815 M | 0,3 | 45 | 40 | 5 | 0,1 | 125 | 70...700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | - | ≤ 0,4 | TO-92B | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130...400 | ≥ 80 | - | - | ≤ 0,25 | SOT-23 | Группы по hFE: L/H |
| C1815T | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70...700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR |
| CSC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25...700 | ≥ 80 | ≤ 3 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| FTC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 70...700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/BL |
| KSC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 25...700 | ≥ 80 | ≤ 3 | 1 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: O/Y/GR/L |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 25...700 | ≥ 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | TO-92 | Группы по hFE: Y/GR |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со струкрурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для применения в схемах усилителей низкой частоты, дифференциальных и операционных усилителей.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130 | 80 | 3,5 | - | SOT-23 | |
| КТ3102А | 50 | 50 | 5 | 0,1 | - | 150 | ≤ 6 | 10 | - | ТО-92, ТО-18 | ||
| КТ3102Б | 0,25 | 50 | 50 | 5 | 0,1 | - | 200…500 | 150 | ≤ 6 | 10 | - | ТО-92, ТО-18 |
| КТ602А/Б | 0,85 | 120 | 100 | 5 | 150 | 20…80 | 150 | ≤ 4 | - | ≤ 3,0 | ||
| КТ602В/Г | 0,85 | 80 | 70 | 5 | 0,075 | 150 | 15…80 | 150 | ≤ 4 | - | ≤ 3,0 | ТО-126 |
| КТ611А/Б | 0,8 | 200 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | 10…120 | ≥ 60 | ≤ 5 | - | ≤ 0,8 | ТО-126 |
| КТ611В/Г | 0,8 | 180 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | 10…120 | ≥ 60 | ≤ 5 | - | ≤ 0,8 | ТО-126 |
| КТ660А | 0,5 | 50 | 45 | 5 | 0,8 | 150 | 110…220 | | - | ≤ 0,5 | ТО-92 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | fT | Cob | NF | UCE(sat) | Корпус | Маркировка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 150 | 80 | 0,25 | TO-92 | - | ||||
| CSC3114/R | 0,4 | - | 50 | - | 0,15 | - | 100 | 100 | ≤ 3,5 | ≤ 100 | TO-92 | - | |
| CSC3114S | 0,4 | - | 50 | - | 0,15 | - | 140 | 100 | - | - | - | TO-92 | - |
| CSC3114V | 0,4 | - | 50 | - | 0,15 | - | 280 | 100 | - | - | - | TO-92 | - |
| CSC3199 | 0,4 | - | 50 | - | 0,15 | - | 70...700 | 80 | - | - | - | TO-92 | - |
| CSC3331/R/S/T | 0,5 | - | 50 | - | 0,2 | - | 70 | 200 | - | - | - | TO-92 | - |
| CSC3331TU/U/V | 0,5 | - | 50 | - | 0,2 | - | 70 | 200 | - | - | - | TO-92 | - |
| C1815 | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 130 | 80 | - | - | 0,25 | HF | |
| 2N5551SC | 0,35 | 180 | 160 | 6 | 0,6 | 150 | 150 | 100 | ≤ 6 | ≤ 8 | ≤ 0,5 | SOT-23 | ZFC |
| 2PD601BRL | 0,25 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 210 | 100 | ≤ 3 | - | ≤ 0,25 | SOT-23 | ML٭ |
| 2PD601BSL | 0,25 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 290 | 100 | ≤ 3 | - | ≤ 0,25 | SOT-23 | MM٭ |
| 2PD602ASL | 0,25 | 60 | 50 | 5 | 0,5 | 150 | 170 | 180 | ≤ 15 | - | ≤ 0,6 | SOT-23 | SF |
| 2SC2412-R | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 180 | ≤ 3,5 | - | ≤ 0,4 | SOT-23 | BR |
| 2SC2412-S | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 180 | ≤ 3,5 | - | ≤ 0,4 | SOT-23 | BS |
| 2SC945LT1 | 0,23 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 150 | ≤ 3,5 | - | ≤ 0,3 | SOT-23 | L6 |
| 2STR1160 | 0,5 | 60 | 50 | 5 | 1 | 150 | 250 | 150 | ≤ 3,5 | - | ≤ 0,43 | SOT-23 | 160 |
| BCV47 | 0,36 | 80 | 60 | 10 | 0,5 | 150 | 10000 | 170 | ≤ 3,5 | - | ≤ 1,0 | SOT-23 | DK, FG, FGp, FGs, FGt, W |
| BTC2412N3 | 60 | 50 | 7 | 0,2 | 150 | 180 | 80 | ≤ 3,5 | - | ≤ 0,4 | SOT-23 | C4 | |
| BTD2150N3 | 0,225 | 80 | 50 | 6 | 4 | 150 | 270 | 175 | 14 | - | ≤ 0,32 | SOT-23 | CF |
| BTN6427N3 | 0,225 | 100 | 60 | 12 | 0,5 | 150 | 10000 | ≤ 7 | - | ≤ 1,5 | SOT-23 | 1N | |
| CMPT3820 | 0,35 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 200 | 150 | ≤ 10 | - | ≤ 0,28 | SOT-23 | 38C |
| CMPT491E | 0,35 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 200 | 150 | ≤ 10 | - | ≤ 0,4 | SOT-23 | C49 |
| INC5001AC1 | 0,2 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 130 | 240 | ≤ 10 | - | ≤ 0,25 | SOT-23 | XY |
| INC5006AC1 | 0,2 | 100 | 50 | 7 | 3 | 150 | 400 | 250 | 13 | - | ≤ 0,2 | SOT-23 | CER |
| KMMT619 | 0,35 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 20 | - | ≤ 0,5 | SOT-23 | 619, 619H |
| KST6428 | 0,35 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | - | - | SOT-23 | 1K |
| L2SC1623RLT1G | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 250 | ≤ 3 | - | ≤ 0,3 | SOT-23 | L6 |
| L2SC1623SLT1G | 0,225 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 250 | ≤ 3 | - | ≤ 0,3 | SOT-23 | L7 |
| L2SC2412KRLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 180 | 180 | ≤ 3,5 | - | ≤ 0,4 | SOT-23 | BR |
| L2SC2412KSLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 7 | 0,15 | 150 | 270 | 180 | ≤ 3,5 | - | ≤ 0,4 | SOT-23 | G1F |
| L2SC5343RLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 180 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 7R |
| L2SC5343SLT1G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 270 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 7S |
| LMBT6428LT1G | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | ≤ 0,5 | SOT-23 | 1KM | |
| MMBT5343-G/L | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | 5343 |
| MMBT6428 | 0,3 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | - | ≤ 0,6 | SOT-23 | 1K, 1KM |
| MMBT6428L/LT1/LT1G | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | - | ≤ 0,6 | SOT-23 | 1KM |
| MMBT945-H/L | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200/130 | 150 | ≤ 3 | - | ≤ 0,3 | SOT-23 | CR |
| MMBTA28 | 0,35 | 80 | 80 | 12 | 0,8 | 150 | 10000 | 125 | ≤ 8 | - | ≤ 1,5 | SOT-23 | 3SS K6R |
| NXP3875G | 0,2 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 200 | 80 | ≤ 3,5 | ≤ 10 | ≤ 0,25 | SOT-23 | ٭JF |
| PBSS4041NT | 0,3 | 60 | 60 | 5 | 3,8 | 150 | 300 | 175 | 17 | - | ≤ 0,3 | SOT-23 | ٭BK |
| PBSS4160T | 0,3 | 80 | 60 | 5 | 1 | 150 | 250 | 150 | ≤ 10 | - | ≤ 0,25 | SOT-23 | ٭U5 |
| PBSS8110T | 0,3 | 120 | 100 | 5 | 1 | 150 | 150 | 100 | ≤ 7,5 | - | ≤ 0,2 | SOT-23 | ٭U8 |
| SSTA28 | 0,2 | 80 | 80 | 12 | 0,3 | 150 | 10000 | 200 | ≤ 8 | - | ≤ 1,5 | SOT-23 SST3 | RAT |
| TMPS1654N7 | 0,225 | 80 | 160 | 5 | 0,15 | 150 | 150 | 100 | ≤ 8 | - | ≤ 1,5 | SOT-23 | N7 |
| TMPT6428 | 0,225 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 100 | ≤ 3 | - | ≤ 0,2 | SOT-23 | 1K |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешние характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.
Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C (Надпись на поле рисунка).
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды и значении коллекторного напряжения UCE = 6 В. Пунктиром показаны отклонения характеристик при малых значениях коллекторного напряжения UCE = 1 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер транзистора UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при различных температурах внешней среды Ta и при соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер транзистора UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята в схеме с общим эмиттером при соотношении токов IC/IB = 10 и температуре внешней среды Ta = 25°C (надпись на поле рисунка).
Рис. 5. Входная характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость входного тока (управления) IB от напряжения управления UBE при различных температурах внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.
Рис. 6. Зависимость граничной частоты усиления (частоты среза) fT от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при температуре среды Ta = 25°C и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В (надпись на поле рисунка).
Рис. 7. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора PC при нарастании температуры внешней среды Ta.
Рис. 8. Область безопасной работы транзистора. Характеристики сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме подачи одиночного импульса (Single Pulse) длительностей 80 мкс, 300 мкс и постоянного тока — DC (надпись на поле рисунка Notes: …).
Ограничение по величине коллекторного тока: IC = 150 мА.
Ограничение по величине коллекторного напряжения: UCEO = 50 В.
Ограничения по общему нагреву и вторичному пробою структуры транзистора показаны в виде сплошных и пунктирных линий в диапазонах по напряжению 5…50 В и по току коллектора 30…150 мА.
Автор публикации
