Транзистор d2012 (2sd2012): параметры (характеристики), аналоги

Транзистор d2012 (2sd2012)

2SD2012 — биполярный, низкочастотный, силовой транзистор, изготовленный на кремниевой основе со структурой перехода NPN. Конструктивное исполнение — TO-220F.

Корпус и цоколевка

Транзистор d2012

Предназначение

Транзистор 2sd2012 может быть использован в качестве:

  • Усилителя мощности общего назначения;
  • Переключателя общего назначения.

Пример использования: усилитель мощности звуковой частоты.

Характерные особенности

  • Высокий коэффициент усиления постоянного тока: минимум hFE= 100;
  • Низкое напряжение насыщения: максимум VCE(sat)= 1 В;
  • Высокое значение рассеиваемой мощности: максимум PC= 25 Вт.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Пробивное напряжение коллектор-базаVCBO60 В DC
Граничное напряжение транзистораVCEO60 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-базаVEBO7 В DC
Максимальный ток коллектораIC3 A DC
Максимальный ток базыIB0.5 A DC
Максимальный импульсный ток коллектораICM6 A DC
Рассеиваемая мощностьPCMax 25 Вт
Максимальная температура при переходеTJ+150 °C
Максимальная температура при храненииTstgОт –65 до +150 °C

Типовые термические параметры

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Теплопередача от кристалла к корпусуRthj-case60 В DC

Электрические характеристики

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхВеличина
Пробивное напряжение коллектор-эмиттерV(BR)CEOIC= 50mA
IB= 0
60 В DC
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерVCE(sat)IC= 2A
IB= 0.2A
1 В DC
Напряжение на переходе база-эмиттерVBE(on)IC= 0.5A
VCE= 5V
1 В DC
Обратный ток коллектораICBOVCB= 60V
IE=0
0.1 мА DC
Обратный ток эмиттераIEBOVEB= 7V
IC=0
0.1 мА DC
Статический коэффициент усиления по токуhFE-1IC= 0.5A
VCE=5V
От 100 до 320
hFE-2IC= 2A
VCE=5V
20
Граничная частота коэффициента передачи токаfTIC= 0.5A
VCE=5V
3 МГц
Выходная емкостьCOBIE= 0
VCB= 10V
ftest= 1.0MHz
35 пФ

Комплементарная пара

Для транзистора d2012 (2sd2012) комплементарной парой выступает PNP транзистор 2SB1375.

Аналоги

ТипUceUcbUebIcPchfeft
Оригинал
d2012(2sd2012)60 В60 В7 В3 А25 Вт100…3209 МГц
Зарубежные аналоги
2SC182660 В80 В6 В4 А30 Вт40…32010 МГц
2SD61385 В100 В6 В6 А40 Вт40…3205 МГц
BD53780 В80 В5 В8 А50 ВтОт 40 3 МГц
BDT81F60 В60 В7 В15 А36 ВтОт 40 10 МГц
KSD201260 В60 В7 В3 А25 Вт100…3209 МГц
MJE13070400 В650 В6 В5 А80 ВтОт 8-
TIP42D120 В160 В5 В6 А65 ВтОт 153 МГц
Отечественные аналоги
КТ817Б45 В45 В5 В3 А25 Вт25…2753 МГц

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Основные графические зависимости

Область безопасной работы

Рис 1. Область безопасной работы транзистора. В области токов ограничением является максимальное значение тока коллектора, а в области напряжения максимальное напряжение коллектор-эмиттер.

Зависимость статического коэффициента усиления по току транзистора от величины коллекторной нагрузки

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Передаточная характеристика

Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.

 

Кривая снижения мощности

Рис 5. Кривая снижения мощности. Показывает ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.

radiosvod.ru
Добавить комментарий