2SD2012 — биполярный, низкочастотный, силовой транзистор, изготовленный на кремниевой основе со структурой перехода NPN. Конструктивное исполнение — TO-220F.
Корпус и цоколевка
Предназначение
Транзистор 2sd2012 может быть использован в качестве:
- Усилителя мощности общего назначения;
- Переключателя общего назначения.
Пример использования: усилитель мощности звуковой частоты.
Характерные особенности
- Высокий коэффициент усиления постоянного тока: минимум hFE= 100;
- Низкое напряжение насыщения: максимум VCE(sat)= 1 В;
- Высокое значение рассеиваемой мощности: максимум PC= 25 Вт.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Пробивное напряжение коллектор-база | VCBO | 60 В DC |
| Граничное напряжение транзистора | VCEO | 60 В DC |
| Пробивное напряжение эмиттер-база | VEBO | 7 В DC |
| Максимальный ток коллектора | IC | 3 A DC |
| Максимальный ток базы | IB | 0.5 A DC |
| Максимальный импульсный ток коллектора | ICM | 6 A DC |
| Рассеиваемая мощность | PC | Max 25 Вт |
| Максимальная температура при переходе | TJ | +150 °C |
| Максимальная температура при хранении | Tstg |
Типовые термические параметры
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Теплопередача от кристалла к корпусу |
Электрические характеристики
Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Величина |
|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IB= 0 | 60 В DC | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | IC= 2A IB= 0.2A | 1 В DC |
| Напряжение на переходе база-эмиттер | VBE(on) | IC= 0.5A VCE= 5V | 1 В DC |
| Обратный ток коллектора | ICBO | VCB= 60V IE=0 | 0.1 мА DC |
| Обратный ток эмиттера | IEBO | VEB= 7V IC=0 | 0.1 мА DC |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE-1 | IC= 0.5A VCE=5V | |
| hFE-2 | IC= 2A VCE=5V | 20 | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | fT | IC= 0.5A VCE=5V | 3 МГц |
| Выходная емкость | COB | IE= 0 VCB= 10V ftest= 1.0MHz | 35 пФ |
Комплементарная пара
Для транзистора d2012 (2sd2012) комплементарной парой выступает PNP транзистор 2SB1375.
Аналоги
| Тип | Uce | Ucb | Ueb | Ic | Pc | hfe | ft |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Оригинал | |||||||
| d2012(2sd2012) | 60 В | 60 В | 7 В | 3 А | 25 Вт | 100…320 | 9 МГц |
| Зарубежные аналоги | |||||||
| 2SC1826 | 60 В | 80 В | 6 В | 4 А | 30 Вт | 40…320 | |
| 2SD613 | 85 В | 100 В | 6 В | 6 А | 40 Вт | 40…320 | 5 МГц |
| BD537 | 80 В | 80 В | 5 В | 8 А | 50 Вт | От 40 | 3 МГц |
| BDT81F | 60 В | 60 В | 36 Вт | От 40 | 10 МГц | ||
| KSD2012 | 60 В | 60 В | 7 В | 3 А | 9 МГц | ||
| 6 В | 5 А | 80 Вт | От 8 | - | |||
| TIP42D | 120 В | 160 В | 5 В | 6 А | 65 Вт | От 15 | 3 МГц |
| Отечественные аналоги | |||||||
| КТ817Б | 45 В | 45 В | 5 В | 3 А | 25 Вт | 25…275 | 3 МГц |
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.
Основные графические зависимости
Рис 1. Область безопасной работы транзистора. В области токов ограничением является максимальное значение тока коллектора, а в области напряжения максимальное напряжение коллектор-эмиттер.
Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.
Рис 5. Кривая снижения мощности. Показывает ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.
Автор публикации
