Транзистор IRF640

IRF640 — мощный МОП-транзистор (MOSFET) c n-каналом. Основное конструктивное исполнение ТО-220.

Цоколевка, корпус

Транзистор IRF640

Применение

Используется в управлениях электродвигателями и реле. Кроме этого его можно найти в схемах, требующих большой скорости переключения. Благодаря небольшой мощности, требуемой для переключения, управлять IRF640 можно сигналами от микросхемы.

Основные характеристики

  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V.
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V.
  • Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V.
  • Максимальная мощность рассеивания (Pd): 125 W.
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A.
  • Максимальная температура канала (Tj): 150 °C.
  • Общий заряд затвора (Qg): 55 nC.
  • Выходная емкость (Cd): 2100 pf.
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm.

Модификации

ТипPdUdsUgsUgs(th)TjCdIdQgRdsКорпус
IRF640 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 2100 pf 18 A 55 nC 0.18 Ohm TO220
IRF640A 139 W 200 V 150 °C 1160 pf 18 A 0.18 Ohm TO220
IRF640FI 40 W 200 V 20 V 150 °C 2100 pf 10 A 0.18 Ohm ISOWATT220
IRF640FP 40 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 200 pf 18 A 55 nC 0.18 Ohm TO-220FP
IRF640H 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-263
IRF640L 130 W 200 V 10 V 4 V 150 °C 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO262
IRF640LPBF 130 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-262
IRF640N 150 W 200 V 20 V 18 A 44.7 nC 0.15 Ohm TO220AB
IRF640NL 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 18 A 44.7 nC 0.15 Ohm TO262
IRF640NLPBF 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 185 pf 18 A 67 nC 0.15 Ohm TO-262
IRF640NPBF 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 185 pf 18 A 67 nC 0.15 Ohm TO-220AB
IRF640NS 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 18 A 44.7 nC 0.15 Ohm D2PAK
IRF640NSPBF 150 W 200 V 20 V 4 V 175 °C 185 pf 18 A 67 nC 0.15 Ohm TO-263
IRF640PBF 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-220AB
IRF640S 125 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 18 A 70 nC 0.18 Ohm D2PAK
IRF640SPBF 130 W 200 V 20 V 4 V 150 °C 430 pf 18 A 70 nC 0.18 Ohm TO-263

Аналоги

ТипPdUdsUgsUgs(th)IdTjQgTrCdRdsКорпус
IRF640125 W200 V20 V4 V18 A150 °C55 nC2100 pf0,18 OhmTO220
IRF640A139 W200 V18 A150 °C1160 pf0,18 OhmTO220
IRF640N150 W200 V20 V18 A44,7 nC0,15 OhmTO220AB
IRFP640125 W200 V20 V4 V18 A150 °C51 ns430 pf0,18 OhmTO220
18N40360 W400 V30 V18 A150 °C22 ns280 pf0,18 OhmTO‑247 TO‑220 TO‑220F1
AOT29S50357 W500 V30 V29 A150 °C39 ns88 pf0,15 OhmTO‑220
AOT42S60L417 W600 V30 V3,8 V39 A150 °C53 ns135 pf0,099 OhmTO220
BUZ30A125 W200 V20 V4 V21 A150 °C70 ns280 pf0,13 OhmTO‑220
FQP19N20C139 W200 V30 V4 V19 A150 °C40,5 nC0,17 OhmTO220
IPP220N25NFD300 W250 V20 V4 V61 A175 °C10 ns398 pf0,022 OhmTO‑220
IPP320N20N3136 W200 V20 V4 V34 A175 °C22 nC9 ns135 pf0,032 OhmTO‑220
IPP410N30N300 W300 V20 V4 V44 A175 °C9 ns374 pf0,041 OhmTO‑220
IPP50R140CP192 W500 V20 V3,5 V23 A150 °C48 nC14 ns110 pf0,14 OhmTO220
IPP600N25N3G136 W250 V20 V4 V25 A175 °C22 nC10 ns112 pf0,06 OhmTO220
IPP60R165CP192 W600 V20 V3,5 V21 A150 °C39 nC5 ns100 pf0,165 OhmTO220
IRF650A156 W200 V28 A150 °C2300 pf0,085 OhmTO220
IRFB4620144 W200 V20 V25 A25 nC0,0725 OhmTO220AB
IRFB5620144 W200 V20 V25 A25 nC0,0725 OhmTO220AB
NCE65T130260 W650 V30 V4 V28 A150 °C37,5 nC12 ns120 pf0,13 OhmTO220
STP30NF20125 W200 V20 V4 V30 A150 °C38 nC15,7 ns320 pf0,075 OhmTO220
UF640139 W200 V20 V18 A150 °C58 ns240 pf0,14 OhmTO‑263 TO‑220 SOT‑223 TO‑252 TO‑220F
2SK2136

75 W200 V30 V20 A150 °C30 nC85 ns540 pf0,18 OhmTO220
FQP19N20C
139 W200 V30 V4 V19 A150 °C40,5 nC0,17 OhmTO220
FQA19N20C180 W200 V30 V4 V21,8 A150 °C53 nC150 ns195 pf0,17 OhmTO3P
BUZ3195 W200 V20 V4 V14,5 A150 °C50 ns195 pf0.2PG-TO-220-3

В качестве отечественной замены могут подойти транзисторы КП750А, КП640.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

0

Автор публикации

не в сети 7 дней

Антон ИТ

0
Комментарии: 0Публикации: 495Регистрация: 02-12-2020
Оцените статью
radiosvod.ru
Добавить комментарий
Авторизация
*
*

девять + 17 =

Регистрация
*
*
*

два × пять =

Генерация пароля