D5072 (2SD5072) транзистор: характеристики (параметры), схема, советские аналоги

Транзистор D5072 (2SD5072)

2SD5072 — кремниевый NPN транзистор, разработанный для систем горизонтальной развертки цветных телевизионных приемников. Конструктивное исполнение TO-3MPL.

Цоколевка и корпус

 

Транзистор D5072 (2SD5072)

Характерные особенности

  • Высокое напряжение пробоя коллекторного перехода UCBO ≥ 1500 В;
  • Высокая скорость переключений;
  • Высокая надежность;
  • Встроенный защитный диод;
  • Малый разброс основных параметров выпускаемых изделий от партии к партии.

Предельные эксплуатационные характеристики  (при Ta=25°C)

ХарактеристикаСимволЗначение
Напряжение коллектор-база, В UCBO1500
Напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO800
Напряжение база-эмиттер, В UEBO6
Ток коллектора постоянный, А ICO5
Ток коллектора импульсный, А ICM16
Мощность рассеяния на коллекторе, Вт PC60
Предельная температура кристалла, °С TJ150
Диапазон температур при хранении, °С TSTG от -55 до 150

Электрические характеристики (при Ta=25°C)

ХарактеристикаСимволПараметры при измеренияхЗначение
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)IC=4А, IB=0,8А≤ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat)IC=4А, IB=0,8А≤ 1,5
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB=800В, IE=0≤ 10
Ток эмиттера выключения, мАIEBOUEB=800В, IC=0 от 40 до 200
Коэффициент усиления статический hFEUCE=5В, IC=1А≥ 8
Падение напряжения на защитном диоде, В UECF IF=5А≤ 2,0
Частота среза, МГцfTUCE=10В, IC=1А Типовое значение = 3
Время спада, мксекtfIC=1А, IB1=0,8А,
IB2=-1,6А,
RL=50 Ом, UCC=200В
≤ 0,4

Модификации транзистора D5072

(по материалам компании-производителя ISC Inchange Semiconductor)

В таблице представлены только те параметры, которые изменяются от модели к модели.

МодельPCICO/ICMIEBO UCE(sat)КорпусЗащитный диод
2SD5072605/16От 40 до 2005TO-3MPLЕсть
2SD5070502,5/10От 40 до 2008TO-3MPL
2SD5071503,5/10От 40 до 2008TO-3MPL
2SD5074502,5/101 8TO-3MPLНет
2SD5075503,5/1018TO-3MPL
2SD5075T753,5/1018TO-220C
2SD5076605/1615TO-3MPL

Аналоги

Транзисторы кремниевые, NPN, переключательные, высоковольтные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки видеомодулей повышенной информационной емкости и источниках вторичного электропитания. Данные получены из даташитов производителей.

Советское производство

МодельPCfTUCBOUEBOIChFEКорпус
2SD507260≥ 3150065/168TO-3MPL
КТ8107-2 (А/Б/В/Г/Д/Е) 50 - 125≥ 71000 - 15005 – 65 – 102 – 12TO-3 (КТ-9)
КТ846А/Б/В12,5≥ 21200 - 15005 – 75 – 7,5TO-3 (КТ-9)
КТ838А/Б12,5≥ 31200 - 15005 - 75 – 7,5≥ 4TO-3 (КТ-9)
КТ839А50≥ 51500510≥ 5TO-3 (КТ-9)
КТ872А/Б/В100≥ 71200 - 150068/15≥ 6TO-218 (КТ-43-1)
КТ886А1/Б175-1400 - 1000710/156 - 25TO-218

Зарубежное производство

Источник информации — даташит производителей.

МодельPCfTUCBO UEBOIChFEКорпус
2SD507260≥ 3150065/168TO-3MPL
2SC4923701500688TO-3MPL
2SC49247015006108
2SC494165815007615
2SC50028041500678
2SC50038041500678
2SC50426016006715
2SC5124100315006108
2SC52966015006815
2SC52976015006820
2SC529970150061020
2SD25786015006815
2SD25796015006820
2SD258070150061015
TT21426515008810TO-3PMLH

Графические данные

Зависимость коллекторного тока от напряжения коллектор-эмиттер

Рис. 1. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.

 

Передаточная характеристика

Рис. 2. Передаточная характеристика: зависимость тока коллектора IC от управляющего напряжения база-эмиттер UBE.

 

Зависимость статического коэффициента усиления по току от величины тока коллектора

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления по току от величины тока коллектора IC.

 

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от тока коллектора IC.

 

Ограничение тепловой нагрузки транзистора при возрастании температуры корпуса

Рис. 5. Ограничение тепловой нагрузки PC транзистора при возрастании температуры корпуса TC.

 

radiosvod.ru
Добавить комментарий