Транзистор D5072 (2SD5072)

2SD5072 — кремниевый NPN транзистор, разработанный для систем горизонтальной развертки цветных телевизионных приемников. Конструктивное исполнение TO-3MPL.

Цоколевка и корпус

 

Характерные особенности

• Высокое напряжение пробоя коллекторного перехода UCBO ≥ 1500 В;
• Высокая скорость переключений;
• Высокая надежность;
• Встроенный защитный диод;
• Малый разброс основных параметров выпускаемых изделий от партии к партии.

Предельные эксплуатационные характеристики  (при Ta=25°C)

Характеристика	Символ	Значение
Напряжение коллектор-база, В	UCBO	1500
Напряжение коллектор-эмиттер, В	UCEO	800
Напряжение база-эмиттер, В	UEBO	6
Ток коллектора постоянный, А	ICO	5
Ток коллектора импульсный, А	ICM	16
Мощность рассеяния на коллекторе, Вт	PC	60
Предельная температура кристалла, °С	TJ	150
Диапазон температур при хранении, °С	TSTG	от -55 до 150

Электрические характеристики (при Ta=25°C)

Характеристика	Символ	Параметры при измерениях	Значение
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC=4А, IB=0,8А	≤ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC=4А, IB=0,8А	≤ 1,5
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB=800В, IE=0	≤ 10
Ток эмиттера выключения, мА	IEBO	UEB=800В, IC=0	от 40 до 200
Коэффициент усиления статический	hFE	UCE=5В, IC=1А	≥ 8
Падение напряжения на защитном диоде, В	UECF	IF=5А	≤ 2,0
Частота среза, МГц	fT	UCE=10В, IC=1А	Типовое значение = 3
Время спада, мксек	tf	IC=1А, IB1=0,8А, IB2=-1,6А, RL=50 Ом, UCC=200В	≤ 0,4

Модификации транзистора D5072

(по материалам компании-производителя ISC Inchange Semiconductor)

В таблице представлены только те параметры, которые изменяются от модели к модели.

Модель	PC	ICO/ICM	IEBO	UCE(sat)	Корпус	Защитный диод
2SD5072	60	5/16	От 40 до 200	5	TO-3MPL	Есть
2SD5070	50	2,5/10	От 40 до 200	8	TO-3MPL
2SD5071	50	3,5/10	От 40 до 200	8	TO-3MPL
2SD5074	50	2,5/10	1	8	TO-3MPL	Нет
2SD5075	50	3,5/10	1	8	TO-3MPL
2SD5075T	75	3,5/10	1	8	TO-220C
2SD5076	60	5/16	1	5	TO-3MPL

Аналоги

Транзисторы кремниевые, NPN, переключательные, высоковольтные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки видеомодулей повышенной информационной емкости и источниках вторичного электропитания. Данные получены из даташитов производителей.

Советское производство

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	hFE	Корпус
2SD5072	60	≥ 3	1500	6	5/16	8	TO-3MPL
КТ8107-2 (А/Б/В/Г/Д/Е)	50 - 125	≥ 7	1000 - 1500	5 – 6	5 – 10	2 – 12	TO-3 (КТ-9)
КТ846А/Б/В	12,5	≥ 2	1200 - 1500	5 – 7	5 – 7,5		TO-3 (КТ-9)
КТ838А/Б	12,5	≥ 3	1200 - 1500	5 - 7	5 – 7,5	≥ 4	TO-3 (КТ-9)
КТ839А	50	≥ 5	1500	5	10	≥ 5	TO-3 (КТ-9)
КТ872А/Б/В	100	≥ 7	1200 - 1500	6	8/15	≥ 6	TO-218 (КТ-43-1)
КТ886А1/Б1	75	-	1400 - 1000	7	10/15	6 - 25	TO-218

Зарубежное производство

Источник информации — даташит производителей.

Модель	PC	fT	UCBO	UEBO	IC	hFE	Корпус
2SD5072	60	≥ 3	1500	6	5/16	8	TO-3MPL
2SC4923	70		1500	6	8	8	TO-3MPL
2SC4924	70		1500	6	10	8
2SC4941	65	8	1500	7	6	15
2SC5002	80	4	1500	6	7	8
2SC5003	80	4	1500	6	7	8
2SC5042	60		1600	6	7	15
2SC5124	100	3	1500	6	10	8
2SC5296	60		1500	6	8	15
2SC5297	60		1500	6	8	20
2SC5299	70		1500	6	10	20
2SD2578	60		1500	6	8	15
2SD2579	60		1500	6	8	20
2SD2580	70		1500	6	10	15
TT2142	65		1500	8	8	10	TO-3PMLH

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы I_B.

 

Рис. 2. Передаточная характеристика: зависимость тока коллектора I_C от управляющего напряжения база-эмиттер U_BE.

 

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления по току от величины тока коллектора I_C.

 

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от тока коллектора I_C.

 

Рис. 5. Ограничение тепловой нагрузки P_C транзистора при возрастании температуры корпуса T_C.