Транзистор D5072 (2SD5072)

2SD5072 — кремниевый NPN транзистор, разработанный для систем горизонтальной развертки цветных телевизионных приемников. Конструктивное исполнение TO-3MPL.

Цоколевка и корпус

 

Транзистор D5072 (2SD5072)

Характерные особенности

  • Высокое напряжение пробоя коллекторного перехода UCBO ≥ 1500 В;
  • Высокая скорость переключений;
  • Высокая надежность;
  • Встроенный защитный диод;
  • Малый разброс основных параметров выпускаемых изделий от партии к партии.

Предельные эксплуатационные характеристики  (при Ta=25°C)

ХарактеристикаСимволЗначение
Напряжение коллектор-база, В UCBO1500
Напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO800
Напряжение база-эмиттер, В UEBO6
Ток коллектора постоянный, А ICO5
Ток коллектора импульсный, А ICM16
Мощность рассеяния на коллекторе, Вт PC60
Предельная температура кристалла, °С TJ150
Диапазон температур при хранении, °С TSTG от -55 до 150

Электрические характеристики (при Ta=25°C)

ХарактеристикаСимволПараметры при измеренияхЗначение
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)IC=4А, IB=0,8А≤ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat)IC=4А, IB=0,8А≤ 1,5
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB=800В, IE=0≤ 10
Ток эмиттера выключения, мАIEBOUEB=800В, IC=0 от 40 до 200
Коэффициент усиления статический hFEUCE=5В, IC=1А≥ 8
Падение напряжения на защитном диоде, В UECF IF=5А≤ 2,0
Частота среза, МГцfTUCE=10В, IC=1А Типовое значение = 3
Время спада, мксекtfIC=1А, IB1=0,8А,
IB2=-1,6А,
RL=50 Ом, UCC=200В
≤ 0,4

Модификации транзистора D5072

(по материалам компании-производителя ISC Inchange Semiconductor)

В таблице представлены только те параметры, которые изменяются от модели к модели.

МодельPCICO/ICMIEBO UCE(sat)КорпусЗащитный диод
2SD5072605/16От 40 до 2005TO-3MPLЕсть
2SD5070502,5/10От 40 до 2008TO-3MPL
2SD5071503,5/10От 40 до 2008TO-3MPL
2SD5074502,5/101 8TO-3MPLНет
2SD5075503,5/1018TO-3MPL
2SD5075T753,5/1018TO-220C
2SD5076605/1615TO-3MPL

Аналоги

Транзисторы кремниевые, NPN, переключательные, высоковольтные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки видеомодулей повышенной информационной емкости и источниках вторичного электропитания. Данные получены из даташитов производителей.

Советское производство

МодельPCfTUCBOUEBOIChFEКорпус
2SD507260≥ 3150065/168TO-3MPL
КТ8107-2 (А/Б/В/Г/Д/Е) 50 - 125≥ 71000 - 15005 – 65 – 102 – 12TO-3 (КТ-9)
КТ846А/Б/В12,5≥ 21200 - 15005 – 75 – 7,5TO-3 (КТ-9)
КТ838А/Б12,5≥ 31200 - 15005 - 75 – 7,5≥ 4TO-3 (КТ-9)
КТ839А50≥ 51500510≥ 5TO-3 (КТ-9)
КТ872А/Б/В100≥ 71200 - 150068/15≥ 6TO-218 (КТ-43-1)
КТ886А1/Б175-1400 - 1000710/156 - 25TO-218

Зарубежное производство

Источник информации — даташит производителей.

МодельPCfTUCBO UEBOIChFEКорпус
2SD507260≥ 3150065/168TO-3MPL
2SC4923701500688TO-3MPL
2SC49247015006108
2SC494165815007615
2SC50028041500678
2SC50038041500678
2SC50426016006715
2SC5124100315006108
2SC52966015006815
2SC52976015006820
2SC529970150061020
2SD25786015006815
2SD25796015006820
2SD258070150061015
TT21426515008810TO-3PMLH

Графические данные

Зависимость коллекторного тока от напряжения коллектор-эмиттер

Рис. 1. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.

 

Передаточная характеристика

Рис. 2. Передаточная характеристика: зависимость тока коллектора IC от управляющего напряжения база-эмиттер UBE.

 

Зависимость статического коэффициента усиления по току от величины тока коллектора

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления по току от величины тока коллектора IC.

 

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от тока коллектора IC.

 

Ограничение тепловой нагрузки транзистора при возрастании температуры корпуса

Рис. 5. Ограничение тепловой нагрузки PC транзистора при возрастании температуры корпуса TC.

 

Оцените статью
radiosvod.ru
Добавить комментарий
Авторизация
*
*

3 × 2 =

Регистрация
*
*
*

три × два =

Генерация пароля