Транзистор 2N3055

2N3055 — кремниевый силовой биполярный транзистор с NPN структурой общего назначения. Конструктивное исполнение — металлический корпус ТО-3. Устройство предназначено для работы в схемах коммутации и усилителях мощности.

Цоколевка, корпус

Транзистор 2N3055

Основные параметры

  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V.
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V.
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V.
  • Максимальная мощность рассеивания (Pc): 117 W.
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A.
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C.
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz.
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20.

Модификации

ТипPcUcbUceUebTjIchfeftКорпус
2N3055 117 W 100 V 70 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.2 MHz TO3
2N3055-1 117 W 90 V 40 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.8 MHz TO3
2N3055-2 117 W 90 V 40 V 7 V 200 °C 15 A 10 0.8 MHz TO3
2N3055-3 117 W 110 V 100 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.8 MHz TO3
2N3055-4 117 W 80 V 30 V 7 V 200 °C 15 A 30 0.8 MHz TO3
2N3055-5 117 W 80 V 30 V 7 V 200 °C 15 A 14 0.8 MHz TO3
2N3055-6 117 W 110 V 100 V 7 V 200 °C 15 A 15 0.8 MHz TO3
2N3055-7 117 W 110 V 100 V 7 V 200 °C 15 A 14 0.8 MHz TO3
2N3055-8 117 W 110 V 100 V 7 V 200 °C 15 A 70 0.8 MHz TO3
2N3055-9 117 W 95 V 55 V 7 V 200 °C 15 A 14 0.8 MHz TO3
2N3055-10 117 W 95 V 55 V 7 V 200 °C 15 A 70 0.8 MHz TO3
2N3055A 117 W 100 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.8 MHz TO204AA
2N3055AG 115 W 100 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 10 0.8 MHz TO3
2N3055B 115 W 100 V 60 V 7 V 150 °C 15 A 10 TO-3
2N3055C 117 W 80 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.8 MHz TO3
2N3055E 115 W 100 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 20 2.5 MHz TO3
2N3055ESM 115 W 100 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 20 2.5 MHz TO252
2N3055ESMD 115 W 60 V 15 A 20 2.5 MHz TO276AB
2N3055G 115 W 100 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 20 2.5 MHz TO3
2N3055H 115 W 100 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.8 MHz TO3
2N3055HV 90 W 100 V 100 V 7 V 200 °C 15 A 5 2.5 MHz TO-3
2N3055S 117 W 100 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.8 MHz TO3
2N3055SD 115 W 100 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.8 MHz TO3
2N3055U 150 W 100 V 80 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.8 MHz TO3
2N3055V 150 W 100 V 60 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.8 MHz TO3
G2N3055 117 W 100 V 70 V 7 V 200 °C 15 A 20 0.2 MHz TO3

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2N3055 является транзистор MJ2955 c p-n-p структурой.

Аналоги

Тип Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft HfeКорпус
2N3055 117 W 100 V 70 V 7 V 15 A 200 °C 0,2 MHz 20 TO3
2N5630 200 W 120 V 120 V 7 V 20 A 200 °C 1 MHz 20 TO3
2N5671 140 W 120 V 90 V 7 V 30 A 200 °C 50 MHz 20 TO3
2N6678175 W650 V400 V8 V15 A3 MHzот 8 TO3
2N6254 150 W 100 V 90 V 7 V 15 A 200 °C 0,8 MHz 20 TO3
2N6322 200 W 300 V 200 V 30 A 200 °C 40 TO3
2SC6011 160 W 200 V 200 V 15 A 20 MHz 50 TO3P
BDY58 175 W 160 V 125 V 10 V 25 A 200 °C 10 MHz 20 TO3
BDY77 150 W 150 V 120 V 7 V 16 A 200 °C 0,8 MHz 40 TO3
BD130100 W100 V60 V15 A1 MHz20...70 TO3
BUR52 350 W 350 V 250 V 10 V 60 A 200 °C 10 MHz 20 TO3
BUS13 175 W 850 V 400 V 9 V 15 A 200 °C 30 TO3
BUS14 250 W 850 V 400 V 9 V 30 A 200 °C 30 TO3
BUS52 350 W 350 V 200 V 40 A 200 °C 20 TO3
BUV12 150 W 300 V 250 V 7 V 20 A 200 °C 8 MHz 20 TO3
BUV21 150 W 250 V 200 V 7 V 40 A 200 °C 8 MHz 20 TO3
BUX10 150 W 160 V 125 V 7 V 25 A 200 °C 8 MHz 20 TO3
BUX48175 W800 V400 V7 V15 Aот 8 TO3
BUX48A 175 W 1000 V 450 V 7 V 15 A 200 °C 30 TO3
BUX92 300 W 500 V 500 V 60 A 200 °C 5 MHz 30 TO3
MJ10005 175 W 500 V 400 V 8 V 20 A 200 °C 40 TO3
MJ10016 250 W 700 V 500 V 8 V 60 A 200 °C 25 TO3
MJ10022 250 W 450 V 350 V 8 V 40 A 200 °C 50 TO3
MJ10023 250 W 600 V 400 V 8 V 40 A 200 °C 50 TO3
MJ15026 250 W 200 V 250 V 7 V 16 A 200 °C 4 MHz 25 TO3
MJL21194 200 W 250 V 16 A 4 MHz 25 TO3PBL TO264
MJL21196 200 W 250 V 16 A 4 MHz 25 TO3PBL TO264
MJL3281A 200 W 260 V 15 A 30 MHz 75 TO3PBL TO264
MJL4281A 230 W 350 V 15 A 35 MHz 80 TO3PBL TO264
MJ15015180 W200 V120 V7 V15 A1 MHz20...70 TO3
MJ15015G180 W200 V120 V7 V15 A1 MHz20...70 TO3
MJ12022175 W850 V450 V6 V15 A15 MHzот 5 TO3
NJW0302 150 W 250 V 15 A 30 MHz 75 TO3P
NJW1302 200 W 250 V 15 A 30 MHz 75 TO3P
NJW21194 200 W 250 V 15 A 4 MHz 20 TO3P
SK3260 150 W 160 V 140 V 7 V 30 A 200 °C 0,8 MHz 75 TO3
SM1258 250 W 400 V 50 A 200 °C 20 MHz 20 TO3

В качестве отечественного производителя могут подойти транзисторы 2Т808А, КТ819ГМ.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

0

Автор публикации

не в сети 1 месяц

Антон ИТ

0
Комментарии: 0Публикации: 495Регистрация: 02-12-2020
Оцените статью
radiosvod.ru
Добавить комментарий
Авторизация
*
*

3 × четыре =

Регистрация
*
*
*

20 − семнадцать =

Генерация пароля