Транзистор D1047 (2SD1047): характеристики (параметры), аналоги отечественные, цоколевка

Транзистор D1047 (2SD1047)

D1047 — кремниевый, со структурой NPN, планарный транзистор, выполненный по технологии тройной диффузии. Конструктивное исполнение – различные варианты корпуса типа TO-3P.

Предназначение

Транзистор предназначен для мощных выходных каскадов усилителей звуковой частоты и преобразователей напряжения постоянного тока.

Корпус, цоколевка и монтажные размеры

Транзистор D1047

Характерные особенности

  • Высокая линейность характеристики параметра hFE.
  • Большая коллекторная нагрузка.
  • Широкая область безопасной работы.
  • Комплементарная пара: 2SB817.
  • Минимальный разброс параметров от партии к партии при поставке.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO160
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO140
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO6
Ток коллектора постоянный, АIC12
Ток коллектора импульсный, АICP15
Рассеиваемая мощность, ВтPC100
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические характеристики

Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, мАICBOUCB = 80 В, IE = 0≤ 0,1
Ток эмиттера выключения, мА IEBOUEB = 4 В, IC = 0≤ 0,1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)IC = 5 А, IB = 500 мА≤ 2,5
Напряжение включения база-эмиттер, В UBE(ON)IC = 1,0 А, UCE = 5 В≤ 1,5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭UCE = 5 В, IC = 1,0 А 60…200
hFE (2)UCE = 5 В, IC = 6,0 А≥ 20
Частота среза, МГцfT UCE = 5 В, IC = 1,0 А15
Выходная емкость, pFCob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц210
Время включения, мкс ٭٭ton UCC = 20 В,
IC = 1 А = 10×IB1 = -10×IB2,
RL = 20 Ом
0,26
Время спадания импульса, мкс ٭٭tf0,68
Время рассасывания заряда, мкс ٭٭tstg6,88

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы O и Y в пределах указанного диапазона.

٭٭ — параметры сняты в импульсном режиме: схема для измерения параметров представлена ниже.

Схема для измерения параметров времени переключения

Схема для измерения параметров времени переключения

На схеме:

  • INPUT – вход управляющего сигнала.
  • PW = 20 µs ширина импульса управляющего сигнала 20 мкс.
  • UBE = 2 В — напряжение смещения.
  • UCC = 20 В напряжение питания.
  • OUTPUT – выход измеряемого сигнала.

Модификации и группы транзистора D1047

МодельPC UCBUCEUBEICTJfTCChFE ٭Корпус
2SD10471001601406121501521060TO-247
2SD1047 (D, E)1001601406121501521020…200TO-3PN
2SD1047 C1201601406121501514035…200TO-3PB
2SD1047 P1201601406121501521020…200TO-3PB
CSD1047 F (O, Y)901601606121501521020…200TO-3P
KSD1047 (O, Y)80160140681501521020…200TO-3P
KTD1047 (O, Y)1001601406121501521020…200TO-3P(N)
KTD1047 B (O, Y)1001601406121501521020…200TO-3P(N)-E
PMD1047 (D, E)1001601406121501521020…200TO-3PI

٭ — производителями почти во всех модификациях выделяются группы (O, Y) или (D, E) по поддиапазонам величин hFE.

Обозначение транзистора в группе2SD1047 O2SD1047 Y2SD1047 D2SD1047 E
Диапазон величины hFE60…120100…20060…120100…200

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения и преобразователях напряжения в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

МодельPC UCBUCEUBEICTJfTCChFE Корпус
2SD10471001601406121501521060TO-247
КТ892А/Б175350350515150--300TO-3
КТ897Б125200200520-10-400TO-3
КТ898А/Б125350-52020010-400TO-218
КТ8101А/Б150200-61615010100020TO-218
КТ8107А1001500700581507-2…8TO-3
КТ8114А/Б1251500-58150--8TO-3
КТ8117А1007006005101504-10TO-3
КТ8150А11570607151504-20TO-3
КТ8158Б1251001005121504-1000TO-3

Зарубежное производство

МодельPC UCBUCEUBEICTJfTCChFE Корпус
2SD10471001601406121501521060TO-247
2SC56691402502306151501520060TO-3PN
2SD1975A1502002005151502020060TO-3PL
2SD2489130200200515150701205000TO-3PN
BU941B155-350515175--300TO-3P
MJL3281A2002002007151503060075TO-3PBL, TO-264
MJL4281A2303503505151503560080TO-3PBL, TO-264
NJW03021502502505151503040060TO-3P
NJW13022002002505151503060060TO-3P
2SC405913060045071517520-60TO-247
2SC4108N10050040071215020160-TO-247
ET359100300200-80175--80TO-247
IDD1314150450--15150--100TO-247

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Зависимость коллекторного тока от напряжения коллектор-эмиттер

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.

Зависимость статического коэффициента усиления по току транзистора от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC / IB = 10.

Зависимость тока коллектора от напряжения управления (базы)

Рис. 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Зависимость ширины полосы пропускания от коллекторной нагрузки транзистора

Рис. 5. Зависимость ширины полосы пропускания (частоты среза fT) от коллекторной нагрузки транзистора IC.

Характеристика снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Изменение выходной емкости Cob транзистора при увеличении напряжения на коллекторном переходе UCB

Рис. 6. Изменение выходной емкости Cob транзистора при увеличении напряжения на коллекторном переходе UCB.

Характеристика снята при частоте f = 1 МГц.

Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса

Рис. 7. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.

Область безопасной работы (ОБР) транзистора

Рис. 8. Область безопасной работы (ОБР) транзистора.

В области больших токов ОБР транзистора ограничена импульсным или постоянным значением тока коллектора ICMAX (Pulse) или ICMAX (DC), определяемыми устойчивостью к нагреву монтажных соединений внутри транзистора или критическим снижением коэффициента усиления.

В области больших напряжений ОБР ограничена предельным напряжением коллектор-эмиттер UCEMAX, при котором развивается лавинообразный пробой п/п структуры.

Между этими двумя ограничениями безопасная работа определяется общим тепловым режимом структуры и перегревами локальных участков, способствующими возникновению вторичных тепловых пробоев.

radiosvod.ru
Добавить комментарий