D1047 — кремниевый, со структурой NPN, планарный транзистор, выполненный по технологии тройной диффузии. Конструктивное исполнение – различные варианты корпуса типа TO-3P.
- Предназначение
- Корпус, цоколевка и монтажные размеры
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические характеристики
- Схема для измерения параметров времени переключения
- Модификации и группы транзистора D1047
- Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик
Предназначение
Транзистор предназначен для мощных выходных каскадов усилителей звуковой частоты и преобразователей напряжения постоянного тока.
Корпус, цоколевка и монтажные размеры
Характерные особенности
- Высокая линейность характеристики параметра hFE.
- Большая коллекторная нагрузка.
- Широкая область безопасной работы.
- Комплементарная пара: 2SB817.
- Минимальный разброс параметров от партии к партии при поставке.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 160 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 140 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 6 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 12 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICP | 15 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | PC | 100 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические характеристики
Данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс=25°C.
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 80 В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 4 В, IC = 0 | ≤ 0,1 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 5 А, IB = 500 мА | ≤ 2,5 |
| Напряжение включения база-эмиттер, В | UBE(ON) | IC = 1,0 А, UCE = 5 В | ≤ 1,5 |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) ٭ | UCE = 5 В, IC = 1,0 А | 60…200 |
| hFE (2) | UCE = 5 В, IC = 6,0 А | ≥ 20 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 5 В, IC = 1,0 А | 15 |
| Выходная емкость, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 210 |
| Время включения, мкс ٭٭ | ton | UCC = 20 В, IC = 1 А = 10×IB1 = -10×IB2, RL = 20 Ом | 0,26 |
| Время спадания импульса, мкс ٭٭ | tf | 0,68 | |
| Время рассасывания заряда, мкс ٭٭ | tstg | 6,88 |
٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра hFE на группы O и Y в пределах указанного диапазона.
٭٭ — параметры сняты в импульсном режиме: схема для измерения параметров представлена ниже.
Схема для измерения параметров времени переключения
На схеме:
- INPUT – вход управляющего сигнала.
- PW = 20 µs ширина импульса управляющего сигнала 20 мкс.
- UBE = 2 В — напряжение смещения.
- UCC = 20 В напряжение питания.
- OUTPUT – выход измеряемого сигнала.
Модификации и группы транзистора D1047
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | |
| 2SD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| 2SD1047 C | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 140 | ||
| 2SD1047 P | 120 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| CSD1047 F (O, Y) | 90 | 160 | 160 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| KSD1047 (O, Y) | 80 | 160 | 140 | 6 | 8 | 150 | 15 | 210 | ||
| KTD1047 (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| KTD1047 B (O, Y) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | ||
| PMD1047 (D, E) | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 |
٭ — производителями почти во всех модификациях выделяются группы (O, Y) или (D, E) по поддиапазонам величин hFE.
| Обозначение транзистора в группе | 2SD1047 O | 2SD1047 Y | 2SD1047 D | 2SD1047 E |
|---|---|---|---|---|
| Диапазон величины hFE | 60…120 | 100…200 | 60…120 | 100…200 |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения и преобразователях напряжения в аппаратуре общего назначения.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| КТ892А/Б | 175 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | - | - | 300 | TO-3 |
| КТ897Б | 125 | 200 | 200 | 5 | 20 | - | 10 | - | 400 | TO-3 |
| КТ898А/Б | 125 | 350 | - | 5 | 20 | 200 | 10 | - | 400 | TO-218 |
| КТ8101А/Б | 150 | 200 | - | 6 | 16 | 150 | 10 | 1000 | 20 | TO-218 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 5 | 8 | 150 | 7 | - | 2…8 | TO-3 |
| КТ8114А/Б | 125 | 1500 | - | 5 | 8 | 150 | - | - | 8 | TO-3 |
| КТ8117А | 100 | 700 | 600 | 5 | 10 | 150 | 4 | - | 10 | TO-3 |
| КТ8150А | 115 | 70 | 60 | 7 | 15 | 150 | 4 | - | 20 | TO-3 |
| КТ8158Б | 125 | 100 | 100 | 5 | 12 | 150 | 4 | - | 1000 | TO-3 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1047 | 100 | 160 | 140 | 6 | 12 | 150 | 15 | 210 | 60 | TO-247 |
| 2SC5669 | 140 | 250 | 230 | 6 | 15 | 150 | 15 | 200 | 60 | TO-3PN |
| 2SD1975A | 150 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 20 | 200 | 60 | TO-3PL |
| 2SD2489 | 130 | 200 | 200 | 5 | 15 | 150 | 70 | 120 | 5000 | TO-3PN |
| BU941B | 155 | - | 350 | 5 | 15 | 175 | - | - | 300 | TO-3P |
| MJL3281A | 200 | 200 | 200 | 7 | 15 | 150 | 30 | 600 | 75 | TO-3PBL, TO-264 |
| MJL4281A | 230 | 350 | 350 | 5 | 15 | 150 | 35 | 600 | 80 | TO-3PBL, TO-264 |
| NJW0302 | 150 | 250 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 400 | 60 | TO-3P |
| NJW1302 | 200 | 200 | 250 | 5 | 15 | 150 | 30 | 600 | 60 | TO-3P |
| 2SC4059 | 130 | 600 | 450 | 7 | 15 | 175 | 20 | - | 60 | TO-247 |
| 2SC4108N | 100 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | 20 | 160 | - | TO-247 |
| ET359 | 100 | 300 | 200 | - | 80 | 175 | - | - | 80 | TO-247 |
| IDD1314 | 150 | 450 | - | - | 15 | 150 | - | - | 100 | TO-247 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления IB.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC / IB = 10.
Рис. 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5. Зависимость ширины полосы пропускания (частоты среза fT) от коллекторной нагрузки транзистора IC.
Характеристика снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 6. Изменение выходной емкости Cob транзистора при увеличении напряжения на коллекторном переходе UCB.
Характеристика снята при частоте f = 1 МГц.
Рис. 7. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.
Рис. 8. Область безопасной работы (ОБР) транзистора.
В области больших токов ОБР транзистора ограничена импульсным или постоянным значением тока коллектора ICMAX (Pulse) или ICMAX (DC), определяемыми устойчивостью к нагреву монтажных соединений внутри транзистора или критическим снижением коэффициента усиления.
В области больших напряжений ОБР ограничена предельным напряжением коллектор-эмиттер UCEMAX, при котором развивается лавинообразный пробой п/п структуры.
Между этими двумя ограничениями безопасная работа определяется общим тепловым режимом структуры и перегревами локальных участков, способствующими возникновению вторичных тепловых пробоев.
Автор публикации
