Серия BU508 (A, AF, AFI, AT, AW, AX, D, DF, DFI, DW) представляет мощные биполярные кремниевые n-p-n транзисторы, с малым временем переключения, способные работать при высоких напряжениях (в импульсе до 1500 В).
Корпус и цоколевка
Транзистор выпускается в корпусе, имеющем форму невысокого параллелепипеда с отверстием для крепления к радиатору. На одну из его сторон в одну линию выведены три ножки – база, коллектор и эмиттер.
Рис. 1. Внешний вид и распиновка транзистора
Корпус транзистора имеет следующие модификации, различающиеся лишь по рассеиваемой мощности (см. табл. 1):
- TO-3PN;
- ТО-247;
- ТО-3PML;
- TO-3PFА.
Рис. 2. Корпус ТО-3PN
Рис. 3. Корпус ТО-247
Рис. 4. Корпус ТО-3PLM
Рис. 5. Корпус ТО-3PFA
Таблица 1. Типы корпуса.
| Транзистор | Тип корпуса | Рассеиваемая мощность, Вт | Особенности |
|---|---|---|---|
| BU508, A, D | TO-3PN | 125 | Задняя стенка металлизирована, имеет электрический контакт с коллектором. |
| BU508AF, 508DF | TO-3PFa | 34 | |
| BU508AW, 508DW | TO-247 | 125 | Задняя стенка металлизирована, имеет электрический контакт с коллектором. |
| BU508AX, 508DX | TO-3PML | 45 | |
| BU508AFI, 508DFI | 50 |
Примечания:
1. Все модели транзистора с буквой «D» в суффиксе имеют внутри корпуса демпфирующий диод (к-э) и резистор номиналом в несколько десятков ом (б-э).
2. В качестве источника информации для заполнения таблиц 1-4 послужили даташиты на серию BU508 производства SavantIC Semiconductor.
Применение
Благодаря своим особенностям – высокой скорости переключения и работе при высоком напряжении транзистор незаменим в качестве выходного в каскадах строчной развертки телевизоров.
Комплементарная пара
Транзистор, составляющий с BU508 комплементарную пару, не выпускается.
Предельно допустимые значения
Производитель запрещает превышать любое из приведенных в табл. 2 значений. В противном случае не гарантируется как соблюдение заявленных в табл. 2–4 величин и типовых характеристик (приведены далее), так и исправность самого компонента.
Таблица 2. Предельные значения BU508.
| Обозначение | Параметр | Модификация | Значение |
|---|---|---|---|
| VCBO (UCBO) | Напряжение коллектор-база, В (с открытым эмиттером) | BU508, D, AF, AW, AX, DF, DW, DX AFI, DFI | 1500 |
| BU 508A | 1200 | ||
| VCEO (UCEO) | Напряжение коллектор-эмиттер, В (с открытой базой VB = 0) | 700 | |
| VEBO (UEB max) | Напряжение эмиттер-база (с открытым коллектором), В Значение не определено для BU508D, DW, AW, AX, DX | BU508, A, AFI, DFI | 10 |
| BU508DF | 5 | ||
| BU508AF | 7,5 | ||
| IB (IBmax) | Ток базы, А Значение не определено для BU508, A, AFI, DFI | BU508D | 2,5 |
| Ток базы, А | BU508AF, DF, AW, DW, АХ, DX | ||
| постоянный | 4 | ||
| в импульсе | 6 | ||
| IC (ICmax) | Ток коллектора, А | BU508, A, AF, DF, AW, DW | |
| длительный | АХ, DX, AFI, DFI | 8 | |
| в импульсе | 15 | ||
| Ток коллектора, А | BU508D | 8 | |
| PC (PC max) | Рассеиваемая мощность, Вт | BU508, A, D, AW, DW | 125 |
| BU508AF, DF | 34 | ||
| BU508AХ, DX | 45 | ||
| BU508AFI, DFI | 50 | ||
| Tj (tjmax) | Температура кристалла, °С | +150 | |
| Tstg | Температура хранения, °С | -65…+150 |
Таблица 3. Температурные параметры.
| Обозн. | Параметр | Модифик. | Макс. |
|---|---|---|---|
| Rth j-c | Термосопротивление кристалл-корпус, Вт-1 Значение не определено для BU508AF, DF, AW, DW, AX, DX | BU508, A, D | 1 |
| BU508 AFI, DFI | 2,5 |
Электрические характеристики
В следующей таблице приведены основные параметры, которые могут потребоваться при выборе детали для выполнения необходимых функций.
Таблица 4. Электрические характеристики BU508.
| Обознач. | Параметр | Тип | Условия измерений | Значение | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| V(BR)EBO | Напряжение пробоя э-б, В Значение не определено для BU508D, DF, AW, DW, AX, DX, DFI | BU508, A, AFI | IE=10 мA, IC=0 | 10 | ||
| BU508AF | IE=1 мA, IC=0 | 7,5 | 13,5 | |||
| VCEO(SUS) | Рабочее напряжение к-э | IC=100 мA, IB=0 | 700 | |||
| VCE(sat) (UCEsat) | Напряжение насыщения к-э, В | BU508 | IC= 4,5 A, IB = 2 A (для BU508AF, AW, АХ, DX – 1,6 A) | 5 | ||
| BU508A, D, AF, DF, AW, DW AX, DX, AFI, DFI | 1 | |||||
| VBE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения б-э, В | BU508, A, DX, AFI, DFI | IC= 4,5 A, IB = 2 A (для BU508DX – 1,6 A) | 1,3 | ||
| BU508D | 1,5 | |||||
| BU508AF, AW, DW, AX, DF | 1,1 | |||||
| ICES (ICBS) | Начальный ток коллектора, мA | VCЕ =1500 В (для 508А = 1200В), VBE=0 (для DF IE = 0) | 1 | |||
| TC = 125° | 2 | |||||
| IEBO | Обратный ток эмиттера, мA | BU508, 508A, AFI | VEB =5 В, IC=0 | 0,1 | ||
| BU508D, DF, DW, DX, DFI | 300 | |||||
| BU508AF, AX, AW | VEB =6 В, IC=0 | 10 | ||||
| VF | Прямое напряжение встроенного диода, В | BU508D, DFI | IF = 4 A | 2 | ||
| BU508DF, DW, DX | IF = 4,5 A | 1,6 | 2 | |||
| hFE (h21) | Коэффициент усиления | BU508, A, D, AFI, DFI | VCE = 5В, IC = 1 А | 8 | ||
| BU508AF | VCE = 5В, IC = 0,1 А | 6 | 30 | |||
| BU508AW, AX, | 6 | 13 | 30 | |||
| BU508DF, DW, DX | VCE = 5В, IC = 0,5 А | 10 | 30 | |||
| fT | Граничная частота, МГц | BU508, A, AF, DF, AW, DW, AX, DX AFI, DFI | VCE = 5В, IC = 0,1 A | 7 | ||
| BU508D | 4 | |||||
| Cob | Выходная емкость, пФ Значение не определено для BU508, A, DFI | BU508D, AF, DF, AW, DW, AX, DF, DX | IE = 0, VCB = 10 B, f = 1МГц | 125 | ||
| tS | Время рассасывания (storage time), мксек Значение не определено для BU508AF, DF, AW, DW, AX, DX | BU508, 508A, AFI, DFI | IC= 4,5 A, VCC = 140 B, IB = 1,8 A, LC = 0,9 мГн, LB = 3мкГн | 7 | ||
| BU508D | IC= 4,5 A, IB = 1,4 A, LB = 10 мкГн | 7 | ||||
| tf | Время спада (fall time), мксек Значение не определено для BU508AF, DF, AW, DW, AX, DX | BU508, 508A, AFI, DFI | IC= 4,5 A, VCC = 140 B, IB = 1,8 A, LC = 0,9 мГн, LB = 3мкГн | 0,55 | ||
| BU508D | IC= 4,5 A, IB = 1,4 A, LB = 10 мкГн | 1 | ||||
Примечания:
1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения (таблица 2) указаны для тех же условий.
2. В первом столбце таблиц 2 и 4 в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.
Аналоги
В таблице 5 приведены пригодные для замены BU508 транзисторы и их основные параметры.
Таблица 5. Транзисторы, подходящие для замены BU508 (все кремниевые, n-p-n).
| Тип | VCEO | IC | PC | hFE | fT | Корпус | Цоколевка* |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BU508 | 700 | 8 | 125 | 8 | 7 | ТО-3РN | бкэ |
| Импорт | |||||||
| BU908 | 700 | 8 | 125 | 40 | 7 | ТО-3РN | бкэ |
| BUP39 | 800 | 30 | 150 | 10 | 15 | TOP-3 | бкэ |
| BUV71 | 800 | 9 | 140 | 10 | 9 | TOP-3 | бкэ |
| 2SD1497 | 600 | 6 | 50 | 12 | – | ТО-3РN | бкэ |
| KSC5029 | 800 | 4,5 | 90 | 10–40 | 15 | TO-3P | бкэ |
| 2SD2499 | 600 | 6 | 50 | до 25 | 2 | TO-3P | бкэ |
| Отечественное производство | |||||||
| КТ872 | 600-700 | 8 | 100 | от 6 | от 7 | КТ-43 (ТО-218) | бкэ |
Примечания:
1. * Обозначение цоколевки слева направо.
2. Значение VCEO КT872 определяется буквой, следующей за последней цифрой.
3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.
Типовые характеристики
Источник – даташит на серию BU508 от Nell Semiconductor Co., Ltd.
Рис. 6. Мощность рассеяния PC = f (TC).
Рис. 7. Напряжение VCE = f (IB) в области насыщения.
Рис. 8. Коэффициент усиления hFE = f(IC) при VCE= 5 В.
Рис. 9. Зависимость напряжений насыщения VCE(sat) и VBE(sat) от тока коллектора IC (IC=2 IB).
Рис. 10. Время спада выходного импульса tf = f (IC).
Автор публикации
