Транзистор BU508A: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Транзистор BU508

Серия BU508 (A, AF, AFI, AT, AW, AX, D, DF, DFI, DW) представляет мощные биполярные кремниевые n-p-n транзисторы, с малым временем переключения, способные работать при высоких напряжениях (в импульсе до 1500 В).

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусе, имеющем форму невысокого параллелепипеда с отверстием для крепления к радиатору. На одну из его сторон в одну линию выведены три ножки – база, коллектор и эмиттер.

Транзистор BU508

Рис. 1. Внешний вид и распиновка транзистора

Корпус транзистора имеет следующие модификации, различающиеся лишь по рассеиваемой мощности (см. табл. 1):

  • TO-3PN;
  • ТО-247;
  • ТО-3PML;
  • TO-3PFА.

Корпус ТО-3PN

Рис. 2. Корпус ТО-3PN

Корпус ТО-247

Рис. 3. Корпус ТО-247

Корпус ТО-3PLM

Рис. 4. Корпус ТО-3PLM

Корпус ТО-3PFA

Рис. 5. Корпус ТО-3PFA

Таблица 1. Типы корпуса.

ТранзисторТип корпусаРассеиваемая мощность, ВтОсобенности
BU508, A, DTO-3PN125Задняя стенка металлизирована, имеет электрический контакт с коллектором.
BU508AF, 508DFTO-3PFa34
BU508AW, 508DWTO-247125Задняя стенка металлизирована, имеет электрический контакт с коллектором.
BU508AX, 508DXTO-3PML45
BU508AFI, 508DFI50

Примечания:

1. Все модели транзистора с буквой «D» в суффиксе имеют внутри корпуса демпфирующий диод (к-э) и резистор номиналом в несколько десятков ом (б-э).

2. В качестве источника информации для заполнения таблиц 1-4 послужили даташиты на серию BU508 производства SavantIC Semiconductor.

Применение

Благодаря своим особенностям – высокой скорости переключения и работе при высоком напряжении транзистор незаменим в качестве выходного в каскадах строчной развертки телевизоров.

Комплементарная пара

Транзистор, составляющий с BU508 комплементарную пару, не выпускается.

Предельно допустимые значения

Производитель запрещает превышать любое из приведенных в табл. 2 значений. В противном случае не гарантируется как соблюдение заявленных в табл. 2–4 величин и типовых характеристик (приведены далее), так и исправность самого компонента.

Таблица 2. Предельные значения BU508.

ОбозначениеПараметрМодификацияЗначение
VCBO
(UCBO)
Напряжение коллектор-база, В (с открытым эмиттером)BU508, D, AF, AW, AX, DF, DW, DX AFI, DFI1500
BU 508A1200
VCEO
(UCEO)
Напряжение коллектор-эмиттер, В (с открытой базой VB = 0)700
VEBO (UEB max)Напряжение эмиттер-база (с открытым коллектором), В
Значение не определено для BU508D, DW, AW, AX, DX
BU508, A, AFI, DFI10
BU508DF5
BU508AF7,5
IB (IBmax)Ток базы, А
Значение не определено для BU508, A, AFI, DFI
BU508D2,5
Ток базы, АBU508AF, DF, AW, DW, АХ, DX
постоянный4
в импульсе6
IC (ICmax)Ток коллектора, АBU508, A, AF, DF, AW, DW
длительныйАХ, DX, AFI, DFI8
в импульсе 15
Ток коллектора, А BU508D8
PC (PC max)Рассеиваемая мощность, ВтBU508, A, D, AW, DW125
BU508AF, DF34
BU508AХ, DX45
BU508AFI, DFI50
Tj (tjmax)Температура кристалла, °С+150
TstgТемпература хранения, °С-65…+150

Таблица 3. Температурные параметры.

Обозн.ПараметрМодифик.Макс.
Rth j-cТермосопротивление кристалл-корпус, Вт-1
Значение не определено для BU508AF, DF, AW, DW, AX, DX
BU508, A, D1
BU508 AFI, DFI2,5

Электрические характеристики

В следующей таблице приведены основные параметры, которые могут потребоваться при выборе детали для выполнения необходимых функций.

Таблица 4. Электрические характеристики BU508.

Обознач.ПараметрТипУсловия измеренийЗначение
Мин.Тип.Макс.
V(BR)EBOНапряжение пробоя э-б, В
Значение не определено для BU508D, DF, AW, DW, AX, DX, DFI
BU508, A, AFIIE=10 мA, IC=010
BU508AFIE=1 мA, IC=07,513,5
VCEO(SUS)Рабочее напряжение к-эIC=100 мA, IB=0700
VCE(sat) (UCEsat)Напряжение насыщения к-э, ВBU508IC= 4,5 A, IB = 2 A (для BU508AF, AW, АХ, DX – 1,6 A)5
BU508A, D, AF, DF, AW, DW AX, DX, AFI, DFI1
VBE(sat) (UBEsat)Напряжение насыщения б-э, ВBU508, A, DX, AFI, DFIIC= 4,5 A, IB = 2 A (для BU508DX – 1,6 A)1,3
BU508D1,5
BU508AF, AW, DW, AX, DF1,1
ICES
(ICBS)
Начальный ток коллектора, мAV=1500 В (для 508А = 1200В), VBE=0 (для DF IE = 0)1
TC = 125° 2
IEBOОбратный ток эмиттера, мABU508, 508A, AFIVEB =5 В, IC=00,1
BU508D, DF, DW, DX, DFI300
BU508AF, AX, AWVEB =6 В, IC=010
VFПрямое напряжение встроенного диода, ВBU508D, DFIIF = 4 A2
BU508DF, DW, DXIF = 4,5 A1,62
hFE (h21)Коэффициент усиленияBU508, A, D, AFI, DFIVCE = 5В, IC = 1 А8
BU508AFVCE = 5В, IC = 0,1 А630
BU508AW, AX,61330
BU508DF, DW, DXVCE = 5В, IC = 0,5 А1030
fTГраничная частота, МГцBU508, A, AF, DF, AW, DW, AX, DX AFI, DFIVCE = 5В, IC = 0,1 A 7
BU508D4
CobВыходная емкость, пФ
Значение не определено для BU508, A, DFI
BU508D, AF, DF, AW, DW, AX, DF, DXIE = 0, VCB = 10 B, f = 1МГц125
tSВремя рассасывания (storage time), мксек
Значение не определено для BU508AF, DF, AW, DW, AX, DX
BU508, 508A, AFI, DFI IC= 4,5 A, VCC = 140 B, IB = 1,8 A, LC = 0,9 мГн, LB = 3мкГн7
BU508DIC= 4,5 A, IB = 1,4 A, LB = 10 мкГн7
tfВремя спада (fall time), мксек
Значение не определено для BU508AF, DF, AW, DW, AX, DX
BU508, 508A, AFI, DFI IC= 4,5 A, VCC = 140 B, IB = 1,8 A, LC = 0,9 мГн, LB = 3мкГн0,55
BU508DIC= 4,5 A, IB = 1,4 A, LB = 10 мкГн1

Примечания:

1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения (таблица 2) указаны для тех же условий.

2. В первом столбце таблиц 2 и 4 в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Аналоги

В таблице 5 приведены пригодные для замены BU508 транзисторы и их основные параметры.

Таблица 5. Транзисторы, подходящие для замены BU508 (все кремниевые, n-p-n).

ТипVCEOICPChFEfTКорпусЦоколевка*
BU508700812587ТО-3РNбкэ
Импорт
BU9087008125407ТО-3РNбкэ
BUP39800301501015TOP-3бкэ
BUV718009140109TOP-3бкэ
2SD149760065012ТО-3РNбкэ
KSC50298004,59010–4015TO-3Pбкэ
2SD2499600650до 252TO-3Pбкэ
Отечественное производство
КТ872600-7008100от 6 от 7КТ-43 (ТО-218)бкэ

Примечания:

1. * Обозначение цоколевки слева направо.

2. Значение VCEO КT872 определяется буквой, следующей за последней цифрой.

3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.

Типовые характеристики

Источник – даташит на серию BU508 от Nell Semiconductor Co., Ltd.

Мощность рассеяния

Рис. 6. Мощность рассеяния PC = f (TC).

Напряжение в области насыщения

Рис. 7. Напряжение VCE = f (IB) в области насыщения.

Коэффициент усиления

Рис. 8. Коэффициент усиления hFE = f(IC) при VCE= 5 В.

Зависимость напряжений насыщения от тока коллектора

Рис. 9. Зависимость напряжений насыщения VCE(sat) и VBE(sat) от тока коллектора IC (IC=2 IB).

Время спада выходного импульса

Рис. 10. Время спада выходного импульса tf = f (IC).

radiosvod.ru