D1555 — кремниевый NPN транзистор, разработанный для систем горизонтальной развертки цветных телевизионных приемников. Конструктивное исполнение TO-3P(H)IS.
Корпус, размеры и цоколевка
Характерные особенности
- Высокое напряжение пробоя коллекторного перехода UCBO ≥ 1500 В.
- Высокая скорость переключений.
- Низкое напряжение насыщения.
- Встроенный защитный резистор (≈ 50 Ом) и демпфирующий (защитный) диод.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные действительны для температуры окружающей среды 25°C.
| Характеристика | Символ | Значение |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор-база, В | UCBO | 1500 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEO | 600 |
| Напряжение база-эмиттер, В | UEBO | 5 |
| Ток коллектора постоянный, А | ICO | 5 |
| Ток базы постоянный, А | IBO | 2,5 |
| Мощность рассеяния на коллекторе, Вт | PC | 50 |
| Предельная температура кристалла, °С | TJ | 150 |
| Диапазон температур при хранении, °С | TSTG | от -55 до 150 |
Электрические характеристики
Данные действительны для температуры окружающей среды 25°C.
| Характеристика | Символ | Параметры при измерениях | Значение |
|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IE = 200 мА, IC = 0 | ≥ 5 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC=4А, IB=0,8А | ≤ 5,0 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC=4А, IB=0,8А | ≤ 1,5 |
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB=500В, IE=0 | ≤ 10 |
| Коэффициент усиления статический | hFE | UCE=5В, IC=1А | ≥ 8 |
| Падение напряжения на защитном диоде, В | UECF | IF=5А | ≤ 2,0 |
| Частота среза, МГц | fT | UCE=10В, IC=0,1А | Типовое значение 3 |
| Выходная емкость, pF | COB | IE = 0, UCB = 10В, fTEST = 1 МГц | 165 |
| Время спада, мксек | tf | ICP = 4А, IB1=0,8А, | ≤ 1,0 Типовое значение 0,5 |
Модификации транзистора D1555
Два производителя из пяти, поставляющих транзисторы с кодом 2SD1555 имеют некоторые отличия в номинальных параметрах, как показано ниже. Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3PHIS | Inchange Semiconductor |
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | JMnic | |
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | SavantIC Semiconductor | |
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 800 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3ML | TOSHIBA |
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 1500 | 6 | 5 | 150 | 8 | 2-16E3A | Wing Shing Corp. |
٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые мезо-планарные, NPN, импульсные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки ТВ-приемников и видеоконтрольных устройств, источниках вторичного электропитания и высоковольтных переключающих устройствах.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3P(H)IS |
| КТ838А* | 70 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 115 | ≥ 3 | 170 | ≥ 4 | ТО-3 (КТ-9) |
| КТ839А* | 50 | 1500 | 1500 | 5 | 10 | 125 | ≥ 5 | 240 | от 5 до 12 | |
| КТ886А1/Б1* | 75 | 1400/1000 | 1400/1000 | 7 | 10 | 150 | 135 | от 6 до 25 | TOP-3 (КТ-43В-2) |
٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.
Импортное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1555 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 5 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3P(H)IS |
| 2SD1546/7/8* | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6/7/10 | 150 | 3 | 165 | 8 | TO-3PF |
| 2SD1556 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 3 | 165 | 8 | |
| 2SD2125 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 3 | 165 | 8 | |
| 2SD2498*/9 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 2 | 95 | 8 | TO-3P(H)IS |
| 2SC4293/4 | 50 | 1500 | 800 | 7 | 5/6 | 150 | 8 | TO-3PN | ||
| 2SC4744 | 50 | 1500 | 6 | 6 | 150 | 25 | TO-3PFM | |||
| BUH417 | 55 | 1700 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | TO-3PF | ||
| BUH515 | 60 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH517* | 55 | 1700 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH615 | 55 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| BUH715* | 65 | 1500 | 700 | 10 | 10 | 150 | 10 | |||
| KSC5086 | 50 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | 8 | |||
| KSC5088* | 50 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | 8 | |||
| TS7988 | 70 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| TS7990 | 75 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| TS7992 | 75 | 1600 | 800 | 6 | 6 | 150 | 15 | |||
| BU508D | 125 | 1500 | 700 | 8 | 150 | 7 | 125 | от 6 до 30 | SOT-429 | |
| 2SD1847/8 | 100 | 1300 | 1300 | 7 | 6 | 150 | 2 | от 5 до 25 | TO-3PFa | |
| 2SD5072 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 5 | 150 | 3 | 8 | TO-3MPL |
٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.
Примечание: все данные в таблицах получены из даташит производителя.
Графические данные характеристик
Рис. 1. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от тока базы IB при разных коллекторных нагрузках IC. Температура корпуса транзистора TC = 25°C.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от тока коллектора IC.
Зависимость снята в схеме включения транзистора с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В и при температуре корпуса TC = 25°C.
Рис. 3. График снижения допустимой мощности рассеяния PC при увеличении температуры корпуса TC транзистора.
Рис. 4. Области безопасной работы транзистора.
Область безопасной работы транзистора ограничена предельным током коллектора IC(MAX), максимальным напряжением коллектор-эмиттер UCE(MAX) и кривой предельной мощности рассеяния PC.
Семейство графиков ограничения области безопасной работы снято при прохождении через транзистор одиночного неповторяющегося импульса тока различной длительности: 50 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс и постоянного тока. Графики этих режимов помечены символом «٭». График режима постоянного тока показан как «DC OPERATION». Семейство графиков снято при температуре корпуса TC = 25°C. При возрастании температуры графики пропорционально смещаются вниз по оси ординат.
Автор публикации
