D1555 транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги отечественные и импортные

Транзистор D1555 (2SD1555)

D1555 — кремниевый NPN транзистор, разработанный для систем горизонтальной развертки цветных телевизионных приемников. Конструктивное исполнение TO-3P(H)IS.

Корпус, размеры и цоколевка

Транзистор D1555

Характерные особенности

  • Высокое напряжение пробоя коллекторного перехода UCBO ≥ 1500 В.
  • Высокая скорость переключений.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Встроенный защитный резистор (≈ 50 Ом) и демпфирующий (защитный) диод.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные действительны для температуры окружающей среды 25°C.

ХарактеристикаСимволЗначение
Напряжение коллектор-база, В UCBO1500
Напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO600
Напряжение база-эмиттер, В UEBO5
Ток коллектора постоянный, А ICO5
Ток базы постоянный, А IBO2,5
Мощность рассеяния на коллекторе, Вт PC50
Предельная температура кристалла, °С TJ150
Диапазон температур при хранении, °С TSTG от -55 до 150

Электрические характеристики

Данные действительны для температуры окружающей среды 25°C.

ХарактеристикаСимволПараметры при измеренияхЗначение
Пробивное напряжение эмиттер-база, ВU(BR)EBOIE = 200 мА, IC = 0≥ 5
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВUCE(sat)IC=4А, IB=0,8А≤ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat)IC=4А, IB=0,8А≤ 1,5
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB=500В, IE=0≤ 10
Коэффициент усиления статическийhFEUCE=5В, IC=1А≥ 8
Падение напряжения на защитном диоде, В UECF IF=5А≤ 2,0
Частота среза, МГцfTUCE=10В, IC=0,1А Типовое значение 3
Выходная емкость, pFCOB IE = 0, UCB = 10В,
fTEST = 1 МГц
165
Время спада, мксекtfICP = 4А, IB1=0,8А, ≤ 1,0
Типовое значение 0,5

Модификации транзистора D1555

Два производителя из пяти, поставляющих транзисторы с кодом 2SD1555 имеют некоторые отличия в номинальных параметрах, как показано ниже. Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.

МодельPCUCBUCEUEBICTJfTCC, pFhFEКорпусПроизводитель
2SD15555015006005515031658TO-3PHISInchange Semiconductor
2SD15555015006005515031658JMnic
2SD15555015006005515031658SavantIC Semiconductor
2SD15555015008005515031658TO-3MLTOSHIBA
2SD155550150015006515082-16E3AWing Shing Corp.

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые мезо-планарные, NPN, импульсные. Разработаны для применения в генераторах строчной развертки ТВ-приемников и видеоконтрольных устройств, источниках вторичного электропитания и высоковольтных переключающих устройствах.

Отечественное производство

МодельPCUCBUCEUEBICTJfTCC, pFhFEКорпус
2SD15555015006005515031658TO-3P(H)IS
КТ838А*70150060055115≥ 3170≥ 4 ТО-3 (КТ-9)
КТ839А*5015001500510125≥ 5240от 5 до 12
КТ886А1/Б1*751400/10001400/1000710150135от 6 до 25TOP-3 (КТ-43В-2)

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Импортное производство

МодельPCUCB UCEUEBICTJ fTCC, pFhFEКорпус
2SD15555015006005515031658TO-3P(H)IS
2SD1546/7/8*50150060056/7/1015031658TO-3PF
2SD15565015006005615031658
2SD21255015006005615031658
2SD2498*/9501500600561502958TO-3P(H)IS
2SC4293/450150080075/61508TO-3PN
2SC47445015006615025TO-3PFM
BUH417551700700101015010TO-3PF
BUH515601500700101015010
BUH517*551700700101015010
BUH615551500700101015010
BUH715*651500700101015010
KSC5086501500800661508
KSC5088*501500800661508
TS79887016008006615015
TS79907516008006615015
TS79927516008006615015
BU508D125150070081507125 от 6 до 30SOT-429
2SD1847/810013001300761502от 5 до 25TO-3PFa
2SD50726015008006515038TO-3MPL

٭ — в сборке отсутствуют защитное сопротивление и демпфирующий диод.

Примечание: все данные в таблицах получены из даташит производителя.

Графические данные характеристик

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы

Рис. 1. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от тока базы IB при разных коллекторных нагрузках IC. Температура корпуса транзистора TC = 25°C.

Зависимость статического коэффициента усиления по току от тока коллектора

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от тока коллектора IC.

Зависимость снята в схеме включения транзистора с общим эмиттером при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В и при температуре корпуса TC = 25°C.

Cнижения допустимой мощности рассеяния при увеличении температуры корпуса транзистора

Рис. 3. График снижения допустимой мощности рассеяния PC при увеличении температуры корпуса TC транзистора.

Области безопасной работы

Рис. 4. Области безопасной работы транзистора.

Область безопасной работы транзистора ограничена предельным током коллектора IC(MAX), максимальным напряжением коллектор-эмиттер UCE(MAX) и кривой предельной мощности рассеяния PC.

Семейство графиков ограничения области безопасной работы снято при прохождении через транзистор одиночного неповторяющегося импульса тока различной длительности: 50 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс и постоянного тока. Графики этих режимов помечены символом «٭». График режима постоянного тока показан как «DC OPERATION». Семейство графиков снято при температуре корпуса TC = 25°C. При возрастании температуры графики пропорционально смещаются вниз по оси ординат.

radiosvod.ru
Добавить комментарий