Транзистор А1266 (КТА1266/2SA1266)

• Биполярный кремниевый;
• Структура P-N-P;
• Выпускается по эпитаксиально-планарной технологии;
• Транзистор средней мощности общего применения;
• Применяется в низкочастотных усилительных устройствах и переключающих схемах;
• Высокая линейность коэффициента усиления h_21Е;
• Низкий уровень собственных шумов;
• Пластиковый корпус ТО-92;
• Образуют комплементарные пары КТА1266 и КТС3198, 2SA1266 и 2SC3198.

Цоколевка

Таблица предельно допустимых значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками.  Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения в таблице для температуры 25°C.

Обозначение	Параметр		Величина	Ед.изм.
UCBO	Напряжение коллектор-база		-50	V
UCEO	Напряжение коллектор-эмиттер		-50	V
UEBO	Напряжение эмиттер-база		-5	V
IC	Постоянный ток коллектора		-150	mА
IB	Постоянный ток базы		-50	mА
PC	Рассеиваемая мощность коллектора	КТА1266	625	mW
		2SA1266	400
Tj	Температура перехода	КТА1266	150	°C
		2SA1266	125
Tstg	Диапазон температур хранения	КТА1266	-55…+150	°C
		2SA1266	-55…+125

Основные электрические характеристики

Значения в таблице для температуры 25°C.

Обозначение	Параметр	Режим изм.	мин.	тип.	макс.	Ед. изм.
ICBO	Обратный ток коллектора	VCB=-50V, IE=0			-0,1	µA
IEBO	Обратный ток эмиттера	VEB=-5V, IC=0			-0,1	µA
hFЕ(1)	Коэффициент усиления по постоянному току	UCE=6V, IC= 2мA, f=50Гц	70		400
hFЕ(2)		VCE=6V, IC=150mA	25
VCE(sat)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC=100mA, IB=10mA		-0,1	-0,3	V
VBE(sat)	Напряжение насыщения база-эмиттер	IC=100mA, IB=10mA			-1,1	V
fT	Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=-10V, IC=-1mA	80			MHz
Cob	Выходная емкость коллектора	VCB=-10V, IE=0, f=1MHz		4	7	pF
rbb’	Внутреннее сопротивление базы	VCB=-10V, IE=1mA, f=30MHz			30	Ω
NF	Уровень шума	Uкб= 5B, Iэ=10мА,		1	10	dB

Обозначения модификации по h_FЕ(1)

Модификации	hFЕ(1)
КТA1266O / 2SA1266O	70…140
КТA1266Y / 2SA1266Y	120…240
КТA1266GR / 2SA1266GR	200…400

Аналоги

Таблица содержит перечень элементов, предлагаемых для замены. Отбор производился по параметрам транзистора, – заголовкам столбцов таблицы. Исполнение – корпус ТО-92, структура – PNP.

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
КТА1266	50	0,15	0,625	70	80
Импортное производство
2SA1015	50	0,15	0,4	70	80
2SB560	80	0,7	0,75	60	50
KSA1015	50	0,15	0,4	70	80
KSA708C	60	0,7	0,8	40	30
KSA709C	150	0.7	0,8	70	50
KSA733C	50	0,15	0,25	50	40
KTA1267	50	0,15	0,4	70	80
KTA1279	300	0,5	0,625	40	50
2SA1137	80	0,1	0,3	100	90
2SA1136,	80	0,1	0,3	100	90
2SA970,	120	0,1	0,3	200	100

Примечание: характеристики параметров транзитора взяты из даташип производителя.

Основные графические характеристики

Рис. 1. Зависимость тока коллектора (I_C) от от напряжения коллектор-эмиттер (U_CE).

 

Рис. 2. Зависимость коэффициента усиления (h_FE ) от тока коллектора (I_C).

 

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) от тока коллектора (I_C)

 

Рис. 4. Зависимость частоты передачи (f_T) от тока коллектора (I_C).

 

Рис. 5. Зависимость тока базы (I_B) от напряжения база-эмиттер (V_BE).

 

Рис. 6. Зависимость мощности рассеяния (P_C) от температуры воздуха (T_a).

Источник: техническая документация прозводителя KEC