A1266 (КТА1266/2SA1266) транзистор: характеристики (параметры), аналоги, цоколевка

Транзистор А1266 (КТА1266/2SA1266)

  • Биполярный кремниевый;
  • Структура P-N-P;
  • Выпускается по эпитаксиально-планарной технологии;
  • Транзистор средней мощности общего применения;
  • Применяется в низкочастотных усилительных устройствах и переключающих схемах;
  • Высокая линейность коэффициента усиления h21Е;
  • Низкий уровень собственных шумов;
  • Пластиковый корпус ТО-92;
  • Образуют комплементарные пары КТА1266 и КТС3198, 2SA1266 и 2SC3198.

Цоколевка

Транзистор А1266

Таблица предельно допустимых значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками.  Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения в таблице для температуры 25°C.

ОбозначениеПараметрВеличинаЕд.изм.
UCBOНапряжение коллектор-база-50V
UCEOНапряжение коллектор-эмиттер-50V
UEBOНапряжение эмиттер-база-5V
ICПостоянный ток коллектора-150
IBПостоянный ток базы-50
PCРассеиваемая мощность коллектораКТА1266625mW
2SA1266400
TjТемпература переходаКТА1266150°C
2SA1266125
TstgДиапазон температур храненияКТА1266-55…+150°C
2SA1266-55…+125

Основные электрические характеристики

Значения в таблице для температуры 25°C.

ОбозначениеПараметрРежим изм.мин.тип.макс.Ед. изм.
ICBOОбратный ток коллектораVCB=-50V, IE=0-0,1µA
IEBOОбратный ток эмиттераVEB=-5V, IC=0-0,1µA
h(1)Коэффициент усиления по постоянному токуUCE=6V, IC= 2мA, f=50Гц70400
h(2)VCE=6V, IC=150mA25
VCE(sat)Напряжение насыщения коллектор-эмиттерIC=100mA, IB=10mA-0,1-0,3V
VBE(sat)Напряжение насыщения база-эмиттерIC=100mA, IB=10mA-1,1V
fTГраничная частота коэффициента передачи токаVCE=-10V, IC=-1mA80MHz
CobВыходная емкость коллектораVCB=-10V, IE=0, f=1MHz47pF
rbb’Внутреннее сопротивление базыVCB=-10V, IE=1mA, f=30MHz30Ω
NFУровень шумаUкб= 5B, Iэ=10мА,110dB

Обозначения модификации по h(1)

Модификацииh(1)
КТA1266O / 2SA1266O70…140
КТA1266Y / 2SA1266Y120…240
КТA1266GR / 2SA1266GR200…400

Аналоги

Таблица содержит перечень элементов, предлагаемых для замены. Отбор производился по параметрам транзистора, – заголовкам столбцов таблицы. Исполнение – корпус ТО-92, структура – PNP.

АналогVCEOICPChFEfT
КТА1266500,150,6257080
Импортное производство
2SA1015500,150,47080
2SB560800,70,756050
KSA1015500,150,47080
KSA708C600,70,84030
KSA709C1500.70,87050
KSA733C500,150,255040
KTA1267500,150,47080
KTA12793000,50,6254050
2SA1137800,10,310090
2SA1136,800,10,310090
2SA970,1200,10,3200100

Примечание: характеристики параметров транзитора взяты из даташип производителя.

Основные графические характеристики

Зависимость тока коллектора от от напряжения коллектор-эмиттер

Рис. 1. Зависимость тока коллектора (IC) от от напряжения коллектор-эмиттер (UCE).

 

Зависимость коэффициента усиления от тока коллектора

Рис. 2. Зависимость коэффициента усиления (hFE ) от тока коллектора (IC).

 

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) от тока коллектора (IC)

 

Зависимость частоты передачи от тока коллектора

Рис. 4. Зависимость частоты передачи (fT) от тока коллектора (IC).

 

Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер

Рис. 5. Зависимость тока базы (IB) от напряжения база-эмиттер (VBE).

 

Зависимость мощности рассеяния от температуры воздуха

Рис. 6. Зависимость мощности рассеяния (PC) от температуры воздуха (Ta).

Источник: техническая документация прозводителя KEC

radiosvod.ru
Добавить комментарий