Транзистор А1015: характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

Транзистор A1015 (2SA1015)

  • Кремниевый биполярный.
  • Структура P-N-P.
  • Корпус ТО-92.
  • С транзистором C1815 образуют комплементарную пару.

Корпус, цоколевка и размеры

Лицевая сторона транзистора имеет маркировку в 2 строки:

  1. на первой строке наносится краткое наименование транзистора – А1015,
  2. вторая отражает модификацию транзистора, согласно классификации по hFE и, далее, маркировочный код.

Транзистор A1015

Применение

Совокупность технических характеристик позволяет использовать транзистор в составе высококачественных низкочастотных усилителей средней мощности и радиотехнических устройствах общего применения.

Предельно допустимые значения

ОбозначениеПараметрВеличинаЕд.изм.
VCBOНапряжение коллектор-база-50V
VCEOНапряжение коллектор-эмиттер-50V
VEBOНапряжение эмиттер-база-5V
ICТок коллектора-150mA
IBТок базы-50mA
PCМощность рассеяния400mW
TJРабочая температура125°C
TSTGДиапазон температур хранения-65…+150°C

Электрические характеристики

ОбозначениеПараметрУсловия измеренияМин.Тип.Макс.Ед.изм.
BVCBOНапряжение пробоя коллектор-базаIC= -100 µA, IE=0-50V
BVCEOНапряжение пробоя коллектор-эмиттерIC= -10mA, IB=0-50V
BVEBOНапряжение пробоя эмиттер-базаIE= -10 µA, IC=0-5V
ICBOТок отсечки коллектораVCB= -50V, IE=0-0.1µA
IEBOТок отсечки эмиттераVEB= -5V, IC=0-0.1µA
hFE1 hFE2Коэффициент усиления по постоянному токуVCE= -6V, IC= -2mA
VCE= -6V,
IC= -150mA
70

25
400
VCE (sat)Напряжение насыщения коллектор-эмиттерIC= -100mA, IB= -10mA-0.1-0.3V
VBE (sat)Напряжение насыщения база-эмиттерIC= -100mA, IB= -10mA-1.1V
fTЧастотная эффективностьVCE= -10V, IC=-1mA80MHz
CobВыходное сопротивлениеVCB= -10V, IE=0, f=1MHz47pF
NFУровень шумовVCE= -6V, IC= -0.1mA f=100Hz, RG=10kΩ0.56dB

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре воздуха 25°C.

Классификация по величине Hfe

Производители выпускают три модификации транзисторов. Между собой они различаются диапазоном коэффициента передачи. В маркировке это отражается латинской буквой. Соответствие буквенной маркировки и конкретных значений диапазонов hFE, приведены в таблице.

МодификацияOYGR
hFE170…140120…240200…400

Модификации транзистора

ТипPcUcbUceUebTjCcIchfeftКорпус
2SA1015 0.4 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 4 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
2SA1015-GR 0.4 W 50 V 50 V 125 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
2SA1015-O 0.4 W 50 V 50 V 125 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
2SA1015-Y 0.4 W 50 V 50 V 125 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
2SA1015K 0.2 W 50 V 50 V 5 V 150 °C 0.15 A 130 80 MHz SOT23
2SA1015L 0.4 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz TO92
2SA1015LG 0.4 W 50 V 50 V 5 V 175 °C 7 pf 0.15 A 200 80 MHz TO92
2SA1015LO 0.4 W 50 V 50 V 5 V 175 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
2SA1015LT1 0.23 W 60 V 50 V 5 V 150 °C 0.15 A 70 SOT23
2SA1015LY 0.4 W 50 V 50 V 5 V 175 °C 7 pf 0.15 A 120 80 MHz TO-92
2SA1015M 0.3 W 50 V 50 V 5 V 150 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz SOT23
A1015 0.2 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 0.15 A 130 80 MHz SOT23
A1015LT1 0.2 W 50 V 50 V 5 V 150 °C 0.15 A 130 80 MHz SOT23
A1015S 0.3 W 50 V 50 V 5 V 150 °C 13 pf 0.15 A 70 150 MHz TO-92S
BTA1015A3 0.4 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
CSA1015 0.625 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
CSA1015GR 0.625 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 7 pf 0.15 A 200 80 MHz TO-92
CSA1015O 0.625 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
CSA1015Y 0.625 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 7 pf 0.15 A 120 80 MHz TO-92
FTA1015 0.6 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 7 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92
HSA1015 0.4 W 50 V 50 V 5 V 150 °C 7 pf 0.15 A 120 80 MHz TO-92
KSA1015 0.4 W 50 V 50 V 5 V 125 °C 4 pf 0.15 A 70 80 MHz TO-92

Аналоги

В перечне продукции зарубежных производителей активных радиокомпонентов найдется немалое количество транзисторов, которые можно использовать для замены A1015. Таблица объединяет элементы, значения ключевых характеристик которых совпадают или находятся в непосредственной близости к соответствующим параметрам транзистора 1015.

Отечественные транзисторы, которые можно рекомендовать в качестве аналога транзистора 2SA1015, располагаются в конце таблицы.

ТранзисторPCUCEICFTHFE
A10150.4500.158070
Зарубежное производство
2SA11520.6800.350200
2SA564A0.25450.0580250
2SA6590.3500.24580
2SA7330.25400.39040
2SA8230.25500.03100180
2SA9990.2500.220090
2SB6370.3500.1100160
BC5580.5250.17575
BC1770.3450.113070
BC5570.5450.175125
Отечественное производство
КТ3107Б0.3450.1200120
КТ502Е0.35800.155040

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Типовые эксплуатационные характеристики

Статическая характеристика. Зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер.

Рис.1. Статическая характеристика. Зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер.

Зависимость коэффициента усиления тока коллектора

Рис.2. Зависимость коэффициента усиления тока коллектора.

Зависимость напряжений насыщения база -эмиттер и коллектор-эмиттер от тока коллектора
Рис.3. Зависимость напряжений насыщения база -эмиттер и коллектор-эмиттер  от тока коллектора.
Зависимость напряжения база-эмиттер от тока коллектора

Рис.4. Включение транзистора. Зависимость напряжения база-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость выходной емкости коллектора от напряжения коллектор-база

Рис.5. Зависимость выходной емкости коллектора от напряжения коллектор-база.

Зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора

Рис.6. Частотная эффективность транзистора. Зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.

radiosvod.ru
Добавить комментарий