Диод 1N5408: характеристики (параметры), аналоги

Диод 1N5408

1N5408 — кремниевые выпрямительные диоды общего назначения. Конструктивное исполнение DO-201AD и DO-27.

Корпус, цоколевка и размеры

Диод 1N5408

Характерные особенности

  • Малые токи утечки.
  • Малое падение напряжения в проводящем состоянии.
  • Высокая токовая нагрузка и устойчивость к ударному току.
  • Низкие потери мощности.
  • Высокая надежность.
  • Корпус: формованный пластик. Эпоксидное покрытие по аттестации UL 94V-0 пламезамедляющее.
  • Полярность: цветная полоса обозначает катод.
  • Ориентация при монтаже – любая.

Характеристики, представленные ниже в таблицах, определялись в следующем режиме: температура внешней среды, если не указано иное, Ta = 25°C. Однофазная сеть, частота 60 Гц, одна полуволна тока, индуктивная или резистивная нагрузка. При емкостной нагрузке значения токов необходимо уменьшить на 20%.

Предельные эксплуатационные характеристики

Превышение этих параметров приводит к необратимому ухудшению свойств или потере работоспособности любого п/п прибора.

Характеристика, ед. измеренияОбозначениеОсобенности измеренийВеличина
Максимальное повторяющееся обратное напряжение, ВURRM-1000
Максимальное среднеквадратичное обратное напряжение, ВURMS-700
Максимальное блокирующее обратное напряжение постоянного тока, ВUDC-1000
Максимальный среднеквадратичный прямой ток, АIF(AV)Ta = 75°C, длина выводов при монтаже 9,5 мм3
Максимальный неповторяющийся ударный прямой ток, АIFSMTJ = 125°C, синусоидальная полуволна тока длительностью 8,3 мс.200
Предельная рассеиваемая мощность, ВтPD-6,25
Тепловое сопротивление p/n-переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA-20…40 ٭
Допустимое значение интеграла плавления (интеграла Джоуля), А2сI2tДлительность не более 8,3 мс.166
Диапазон рабочих температур п/п структуры, °СTJ--55°С…+150°С
Диапазон температур хранения, °СTstg--55°С…+150°С

٭ — для разных производителей.

Электрические параметры

Характеристика, ед. измеренияОбозначениеОсобенности измеренийВеличина
Максимальное падение напряжения в прямом направлении, мгновенное значение, ВUFIF = 3,0 А1
Максимальный обратный постоянный ток при номинальном блокирующем напряжении, мкА IRTa = 25°C5
Ta = 100°C500
Максимальный средний обратный ток, при полной нагрузке, мкАIR(AV) (иногда обо-значение - Irr)TL = 75°C, длина выводов при монтаже - 9,5 мм, интервал усреднения – полный цикл.500
Емкость p/n перехода при обратном напряжении, пФ CTUR = 4,0 В, f = 1,0 МГц30…50 ٭

٭ — для разных производителей.

Модификации (версии) диода 1N5408

ТипURRMURMSUDCIF(AV)IFSMTJRƟJAUFIR ٭
Ta=25°C
IR ٭
Ta=100°C
CTКорпус
1N540810007001000320015020…401,0…1,2550030…50DO-201AD
1N540810007001000320015020…301,0…1,2550035…40DO-27
1N5408G100070010003200175301,1530040DO-27
1N5408GP100070010003200150301,155040DO-201AD
1N5408K10001000-3100175˂ 45˂ 1,2˂ 10,0--DO-15
PG5408100070010003150150201,2510030DO-201AD

Аналоги

Для замены могут подойти диоды кремниевые, диффузионные, быстродействующие, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и выпрямительных устройствах аппаратуры общего назначения

Отечественное производство

ТипURRMURMSUDCIF(AV)TJRƟJAUFIR ٭
Ta=25°C
IR ٭
Ta=100°C
CTКорпус
1N540810007001000315020…401,0…1,2550030…50DO-201AD
КД203Г1000-7002140-1-1500-КДЮ-11-4
2Д210В/Г1000-10001014031-4500-КД-11
КД210В/Г1000-10001014021-4500-КД-11
2Д220Г/И1000-10003--1,1451500-КД-10
2Д230Г/И1000-100031251,5 /1,3451500-КД-11
КД241А1500-15002--1,4-5--
КД243Ж1000-10001125-1,1-10-КД-4Б
КД257Д1000-10003125-1,5-200-КД-29С
КД258Д1000-10003155-1,6-2-КД-29А
КД529В/Г1600-16008--˂ 3,5-1500--

Зарубежное производство

ТипURRMURMSUDCIF(AV)IFSMTJRƟJAUFIR ٭
Ta=25°C
IR ٭
Ta=25°C
CTКорпус
1N540810007001000320015020…401,0…1,2550030…50DO-201AD
30S101000--317817516,51---DO-201AD
BY255130091013003200175301,1550040DO-27
BYM56E1000-10003,580175750,95115090SOD-64
CR3-100100070010003300175281,11010025DO-201AD
CR3-120120084012003300175281,11010025DO-201AD
CR3-100GPP100070010003200175201,1510030DO-201AD
ER307100070010003200150-1,3515060DO-27
G3M1000--3125175201,1510040G3
GI510100070010003100150201,155028DO-201AD
GP30M100070010003125150201,1510040DO-201AD
P300M100070010003200150201,252530DO-201AD
RL157G100070010001,550175501,155020DO-15
RL257GP100070010002,570150251,155040R-3
RM3C1000--2150150100,9510100--
RM4C1000--1,715015080,971050--

٭ — в столбцах таблиц обратный ток IR (ток утечки) измеряется в мкА

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

 

Линия ограничений среднеквадратичного значения прямого тока

Рис. 1. Линия ограничений среднеквадратичного значения прямого тока IF(AV) при возрастании температуры среды Ta.

Зависимость снята для условия монтажа диода с длиной выводов 9,5 мм (надпись на поле рисунка).

Вольтамперная характеристика диода (прямая ветвь)

Рис. 2. Вольтамперная характеристика диода (прямая ветвь) – зависимость прямого тока через диод от напряжения анод-катод UF.

Зависимость получена для условий:

  • температура p/n перехода TJ = 25°C;
  • длительность импульса тока (Pulse Width) = 200 мкс;
  • скважность импульсов (Duty Cycle) = 1%.
Вольтамперная характеристика

Рис. 3. Вольтамперная характеристика диода (обратная ветвь) – зависимость обратного тока (тока утечки) через диод от обратного напряжения катод-анод UR, выраженного в процентном отношении к номинальному значению.

Характеристика снята для температуры среды Ta = 25°C.

Кривая ограничения предельного значения ударного тока

Рис. 4. Кривая ограничения предельного значения ударного тока IFSM при увеличении количества прошедших через диод импульсов ударного тока.

Кривая получена при температуре среды, близкой к предельной: Ta = 105°C.

N [60 Гц] – количество полупериодов ударного тока собственной частоты 60 Гц.

Зависимость собственной емкости перехода диода от величины приложенного обратного напряжения

Рис. 5. Зависимость собственной емкости CT p/n перехода диода от величины приложенного обратного напряжения UR.

radiosvod.ru
Добавить комментарий