Транзистор С945

• C945 — биполярный кремниевый транзистор.
• Не содержит свинец.
• Удовлетворяет требованиям директивы RoHS (запрещение вредных веществ).
• Пластиковый корпус с 3 выводами, тип ТО-92.
• Структура N-P-N.
• Высокая линейность коэффициента усиления hFE.
• Низкий уровень собственных шумов.

Цоколевка

Таблица предельных значений

При превышении значений параметров, указанных в таблице, производитель не гарантирует не только работу транзистора С945 в номинальных режимах и функционирование, в соответствии с графиками, но и целостность самого элемента.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Величина	ед.изм.
VCBO	Напряжение коллектор-база	60	В
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер	50	В
VEBO	Напряжение эмиттер-база	5	В
IC	Постоянный ток коллектора	150	мА
PC	Мощность рассеяния	400	мВт
TJ	Максимальная рабочая температура	125	°C
Tstg	Интервал рабочих температур	-55…125	°C

Основные электрические параметры

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Условия измерения	Величина	Ед. изм.
V(BR)CBO	Напряжение пробоя коллектор-база	IC=1мA, IE=0	60	В
V(BR)CЕO	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	IC=100мкA, IВ=0	50	В
V(BR)ЕBO	Напряжение пробоя эмиттер-база	IЕ=1мкA, IС=0	5	В
ICBO	Ток отсечки коллектора	VCB=60В, IE=0	0,1	мкА
ICЕO	Ток отсечки коллектора	VCЕ=45В, IE=0	0,1	мкА
IЕВО	Ток отсечки эмиттера	VЕВ=45В, IС=0	0,1	мкА
hFE(1)	Коэффициент усиления по постоянному току	VCE=6В, IC=1мA	70…700
hFE(2)		VCE=6В, IC=0.1мA	40
VCE(sat)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC=100мA, IB=10мA	0,3	В
VBE(sat)	Напряжение насыщения база-эмиттер	IC=100мA, IB=10мA	1	В
fT	Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE=6В, IC=10mA, f=30МГц	200	МГц
Cob	Выходная емкость коллектора	VCB=10В, IE=0, f=1МГц	3	пФ
NF	Уровень шума	VCE=6В, IC=0.1мА RG=10кОм, f=1МГц	10	dB

Классификация по коэффициенту усиления hFE(1)

Маркировка	O	Y	GR	BL
Величина	70…140	120…240	200…400	350…700

Модификации транзистора

Тип	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Tj	Cc	Ic	hfe	ft	Корпус
C945	0.2 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3 pf	0.15 A	130	150 MHz	SOT23
2SC945	0.25 W	50 V	40 V	5 V	125 °C		0.1 A	75	125 MHz	TO-92
STC945	0.5 W	50 V	40 V	5 V	150 °C	2 pf	0.15 A	70	80 MHz	TO-92
2PC945	0.5 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	SOT54, TO-92, SC43
2SC945-GR	0.4 W	60 V	50 V	5 V	150 °C		0.15 A	200	150 MHz	TO-92
2SC945-Y	0.4 W	60 V	50 V	5 V	150 °C		0.15 A	120	150 MHz	TO-92
2SC945L	0.25 W	50 V	40 V	5 V	125 °C		0.1 A	75	125 MHz	TO-92
2SC945LT1	0.23 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.2 pf	0.15 A	200	150 MHz	SOT23
2SC945M	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	250 pf	0.15 A	90	3 MHz	SOT23
2SC945O	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	70	300 MHz	TO-92
2SC945P	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	200	300 MHz	TO-92
2SC945R	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	40	300 MHz	TO-92
2SC945T	0.25 W	50 V	40 V	5 V	125 °C		0.1 A	75	125 MHz	TO-92
2SC945Y	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2.5 pf	0.15 A	120	300 MHz	TO-92
BTC945A3	0.625 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	9 pf	0.2 A	135	150 MHz	TO-92
C945LT1	0.2 W	60 V	50 V	5 V	150 °C		0.15 A	40	150 MHz	SOT23
C945T	0.4 W	60 V	50 V	5 V	125 °C	3 pf	0.15 A	70	200 MHz	TO-92
CSC945	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945K	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945P	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945Q	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
CSC945R	0.25 W	60 V	45 V	5 V	125 °C	4 pf	0.1 A	50	150 MHz	TO-92
FPC945	0.25 W	50 V	40 V		175 °C	5 pf	0.1 A	200	250 MHz	TO-92
FTC945B	0.4 W	60 V	50 V	5 V	125 °C	3 pf	0.15 A	70	200 MHz	TO-92
HSC945	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	4 pf	0.1 A	135	150 MHz	TO-92
KSC945	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	40	300 MHz	TO-92
KSC945G	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	200	300 MHz	TO-92
KSC945L	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	350	300 MHz	TO-92
KSC945O	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	70	300 MHz	TO-92
KSC945R	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	40	300 MHz	TO-92
KSC945Y	0.25 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	3.5 pf	0.15 A	120	300 MHz	TO-92
KTC945	0.625 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2 pf	0.15 A	90	300 MHz	TO-92
KTC945B	0.625 W	60 V	50 V	5 V	150 °C	2 pf	0.15 A	70	300 MHz	TO-92

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT
C945	50	0,15	0,4	70	200
Отечественное производство
КТ3102	45	0,1	0,25	250	300
Импорт
KSC945	50	0,15	0,25	40	300
2N2222	30	0,8	0,5	100	250
2N3904	40	0,2	0,31	40	300
2SC3198	50	0,15	0,4	20	130
2SC1815	50	0,15	0,4	70	80
2SC2002	60	0,3	0,3	90	70
2SC3114	50	0,15	0,4	55	100
2SC3331	50	0,2	0,5	100	200
2SC2960	50	0,15	0,25	100	100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945. Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Типовые эксплуатационные характеристики

Рис.1 Зависимость тока коллектора (I_C) от напряжения коллектор-эмиттер (U_CE).

 

Рис.2 Зависимость коэффициента усиления (h_FE) от тока коллектора (I_C).

 

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (U_BEsat) от тока коллектора (I_C).

 

Рис.4 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (U_CEsat)от тока коллектора.

 

Рис.5 Зависимость граничной частоты передачи тока (f_T) от тока коллектора (I_C).

Примечание: по технической документации DONGGUAN NANJING ELECTRONICS LTD.