Транзистор C4106: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Транзистор 2SC4106 (C4106)

C4106 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, мезапланарный, высоковольтный и высокоскоростной, применяется в переключающих устройствах. Конструктивное исполнение – TO-220 (AB, C).

Предназначение

Транзистор разработан для применения в импульсных переключающих устройствах.

Корпус, цоколевка и монтажные размеры

Транзистор C4106

Характерные особенности

  • Высокое пробивное напряжение коллектор-эмиттер: U(BR)CEO = 400 В (Min).
  • Высокая скорость переключения.
  • Расширенная область безопасной работы транзистора.
  • П/п структура многобазового (MBIT-process) типа.
  • Минимальный разброс параметров при поставке от партии к партии.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO7
Ток коллектора постоянный, А IC ٭7
Ток коллектора импульсный, АICP 14
Ток базы постоянный, АIB3
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), ВтPC1,75
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт50
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

٭ — снято при длительности импульса ≤ 300 мкс и скважности ≤ 10%.

Электрические характеристики

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Пробивное напряжение коллектор-база, ВU(BR)CBO IC = 1,0 мА, IE = 0˃ 500
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер, ВU(BR)CEO IC = 5,0 мА, RBE = ∞˃ 400
Пробивное напряжение эмиттер-база, ВU(BR)EBO IE = 1,0 мА, IC = 0˃ 7,0
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, ВUCEX(sus) IC = 3 А, IB1 = 0,3 А, IB2 = -1,2 А, ˃ 400
L = 1 мГн, с введенными ограничениями
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 400 В, IE = 0˂ 10
Ток эмиттера выключения, мкА IEBOUEB = 5,0 В, IC = 0˂ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 4,0 А, IB = 0,8 А˂ 0,8
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 4,0 А, IB = 0,8 А˂ 1,5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 0,8 А15…50
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А≥ 10
hFE (3)UCE = 5,0 В, IC = 10,0 мА≥ 10
Частотная полоса передачи (частота среза), МГцfTUCE = 10,0 В, IC = 0,8 А20
Выходная емкость коллекторного перехода, пФCobUCB = 10 В, f = 1 МГц80
Время переключения, мксВремя нарастанияtonIC = 5 А, IB1 = 1,0 А, IB2 = -2 А,
RL = 40 Ом, UCC = 200 В
См. схему измерений на Рис. 1.
˂ 0,5
Время сохраненияts˂ 2,5
Время спаданияtf˂ 0,3

٭ — весь диапазон изменения значений статического коэффициента усиления разделен на три группы в соответствии с таблицей:

Обозначение группы LMN
Диапазон значений hFE15…3020…4030…50

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Схема измерения временных параметров

Схема измерения временных параметров

Рис. 1. Схема измерения временных параметров транзистора ton, ts, tf.

На рисунке:

  • INPUT – входной сигнал. Длительность импульса (P.W.) = 20 мкс. Скважность импульса (Duty Cycle) ≤ 1%.
  • OUTPUT – измеряемый выходной сигнал.
  • UBE = -5 В – напряжение смещения.
  • UCC = 200 В.

Единицы измерения: сопротивление резисторов – Ом, емкость конденсаторов – Ф.

Модификации (версии) транзистора

ТипКорпусPC UCBUCEUBEIC/ICPTJUCE (sat)UBE (sat)fTCobhFEton / tstg / tf, мкс
2SC4106TO-220C5050040077 / 141500,81,5208010…500,5 / 2,5 / 0,3
2SC4106TO-220AB5050040077 / 141500,81,5208010…500,5 / 2,5 / 0,3
HC4106TO-2205050040077 / -1500,81,5208010…500,5 / 2,5 / 0,3
PMC4106TO-220AB5050040077 / 141500,81,5208010…500,5 / 2,5 / 0,3

Все версии транзисторов разбиты на группы по величине статического коэффициента усиления тока базы в соответствии с таблицей:

Обозначение группы, идущее после обозначения типа транзистора LMN
Диапазон значений hFE15…3020…4030…50

Аналоги

Для замены C4106 могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.

Отечественное производство

ТипPC UCBUCEUBEIC/ICPTJUCE (sat)UBE (sat)fTCobhFEКорпусВременные параметры:
ton / tstg / tf
мкс
2SC41065050040077 / 141500,81,5208010…50TO-220C0,5 / 2,5 / 0,3
КТ840А6090040056 / 81500,61,58…15-10…100TO-30,2 / 3,5 / 0,6
КТ840Б7503505-
КТ840В8003755-
КТ841А50600350510 / 151501,52,210…2530012…45TO-30,08 / 0,8 / 0,5
КТ841Е800400
КТ841Д500400
КТ854А60600500510 / 151502-10-20TO-220AB-
2Т856А125-950510 / 12-1,5---10…60TO-3- / - / 0,5
2Т856Б-750----
2Т856В-550----
2Т856Г-850----
КТ858А6040040067 / 1015011,2--10TO-220AB- / 2,5 / 0,75
КТ859А40800800103 / 41501,51,4--10TO-220AB0,35 / 3,5 / 0,35
КТ862В50600400510 / 151501,51,620…3025012…50TO-30,4 / 2 / 0,5
КТ868А7090040056 / 81501,5-8-10…100TO-3-
КТ868Б7503756 / 8150---
КТ81106050050077 / 141750,81,5--15…30-0,7 / 2,5 / 0,7

Зарубежное производство

ТипPC UCBUCEUBEIC/ICPTJUCE (sat)UBE (sat)fTCobhFEКорпусВременные параметры:
ton / tstg / tf
мкс
2SC41065050040077 / 141500,81,5208010…50TO-220C0,5 / 2,5 / 0,3
2SC31586050040077-11,2--20TO-220F1 / 2,5 / 1
2SC4055606004507818011,520-100TO-2200,5 / 2 / 0,2
2SC41054050040074 / 81500,81,5205010…50TO-220C0,5 / 2,5 / 0,3
2SC410760500400710 / 201500,81,52012010…50TO-220C0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4108100500400712 / 251500,81,52016010…50TO-3PB0,5 / 2,5 / 0,3
2SC4109140500400716 / 321500,81,52023010…50TO-3PN0,5 / 2,5 / 0,3
3DK3039505004007717511,5--25TO-220 ٭1 / - / 1
SGSD0002070650400-8175----1000TO-220-
SGSF34185850400-10175-----TO-220-
SGSF343851000450-8175-----TO-220-
SGSF344851200600771751,51,5---TO-2201,2 / 3,5 / 0,4
SM217560-400-15200--20-200TO-220-
BUL1287070040094 / 81501,51,3--10…40TO-220- / 3 / 0,4
BUL128B-D707004009…184 / 81501,51,3--10…32TO-220- / 0,6 / 0,1
BUL128DR775700400941500,81,27-10…40TO-220- / 4 / 0,8
BUL128DR875700400941500,81,27-10…40TO-220F- / 4 / 0,8
BUL128FP3170040094 / 81501,51,3--10…45TO-220FP- / 2,9 / 0,4

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Внешние характеристики

Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы (указаны на поле рисунка).

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Передаточная характеристика транзистора

Рис. 3. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В при нескольких значениях температуры внешней среды.

Характеристика для схемы с общим эмиттером.

Зависимость статического коэффициента усиления транзистора от величины коллекторной нагрузки

Рис. 4. Зависимость статического коэффициента усиления транзистора hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты при нескольких значениях температуры внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.

Графики изменений временных параметров

Рис. 7. Графики изменений временных параметров ton, ts, tf при изменении коллекторной нагрузки IC.

Характеристики сняты (пояснения на поле рисунка) при резистивной нагрузке, напряжении питания UCC = 200 В и соотношении токов: IC = 5IB1 = -2,5IB2, (tstg = ts).

Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки

Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки, температуре корпуса Tc = 25°C. Ограничения:

— по току коллектора для постоянного тока — IC (режим DC OPERATION), для однократного импульса — ICP разных длительностей: ≤ 50 мкс, 100 мкс, 1 мс,10 мс;

— по напряжению UCEO = 400 В;

— режим ограничений рассеиваемой мощности по условиям вторичного пробоя: S/B Limited (пояснения на поле рисунка).

Расширенная область безопасной работы

Рис. 9. Расширенная область безопасной работы. Транзистор включен при обратном смещении и введены ограничения по напряжению коллектор-эмиттер UCE(sus) = 500 В.

Характеристика снята при температуре корпуса Tc = 25°C. Величина постоянного тока смещения базы IB2 = -1,2 А. Величина индуктивности нагрузки L = 100 мкГн (пояснения на поле рисунка).

Ограничения по величине рассеиваемой мощности, возникающие при увеличении температуры внешней среды

Рис. 10. Ограничения по величине рассеиваемой мощности, возникающие при увеличении температуры внешней среды Ta.

Нижняя характеристика снята при отсутствии охладителя транзистора (пояснение на поле рисунка — No heat sink).

radiosvod.ru
Добавить комментарий