- Структура N-P-N;
- Выпускается по эпитаксиальной технологии;
- Силовой транзистор средней мощности общего применения;
- Используется в усилительных и переключающих устройствах;
- Корпус ТО-220.
Цоколевка
Таблица предельных значений
Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.
Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.
| Обозна чение | Параметр | Модификация | Величина | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|
| VCBO | Напряжение коллектор-база | TIP41A | 60 | В |
| TIP41B | 80 | |||
| TIP41C | 100 | |||
| VCEO | Напряжение коллектор-эмиттер | TIP41A | 60 | В |
| TIP41B | 80 | |||
| TIP41C | 100 | |||
| VEBO | Напряжение эмиттер-база | 5 | В | |
| IC | Ток коллектора (пост.) | 6 | A | |
| ICP | Ток коллектора (имп.) | 10 | A | |
| IB | Ток базы | 2 | A | |
| TJ | Температура кристалла | 150 | °C | |
| TSTG | Безопасный температурный диапазон | от-65 до 150 | °C |
Максимальные тепловые характеристики
| Обозна чние | Параметр | Величина | Ед. изм. |
|---|---|---|---|
| PC | Мощность рассеяния (ТК = 25°C) | 65 | Вт |
| Мощность рассеяния (TА = 25°C) | 2 |
Электрические характеристики
Значения в таблице для температуры 25°C.
| Обозна чение | Параметр | Условия | Мин | Макс | Ед. изм. | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VCEO (sus) | Рабочее напряжение коллектор-эмиттер (1) | TIP41A | IC = 30 мА, IB = 0 | 60 | В | |
| TIP41B | 80 | |||||
| TIP41C | 100 | |||||
| ICEO | Ток отсечки коллектора | TIP41A | VCE = 30 В, IB = 0 | 0.7 | мA | |
| TIP41B /TIP41C | VCE = 60 В, IB = 0 | 0.7 | ||||
| ICES | Ток отсечки коллектора | TIP41A | VCE = 60 В, VEB = 0 | 400 | мкA | |
| TIP41B | VCE = 80 В, VEB = 0 | 400 | ||||
| TIP41C | VCE = 100 В, VEB = 0 | 400 | ||||
| IEBO | Ток отсечки эмиттера | VEB = 5 В, IC = 0 | 1 | мA | ||
| hFE | Коэффициент усиления по постоянному току (1) | VCE = 4 В, IC = 0.3 A | 30 | |||
| VCE = 4 В, IC = 3 A | 15 | 75 | ||||
| VCE(нас) | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (1) | IC = 6 A, IB = 600 мA | 1.5 | В | ||
| VBE(on) | Напряжение база-эмиттер (1) | VCE = 4 В, IC = 6 A | 2 | В | ||
| fT | Граничная частота единичного усиления | VCE = 10 В, IC = 500 мA, f = 1 МГц | 3 | МГц | ||
Примечание: Параметры импульса: pw ≤ 300 μs, скважность ≤ 2%.
Комплементарная пара
TIP41C с транзистором TIP42 образуют комплементарную пару.
Аналоги
Первая позиция в таблице – транзистор TIP41C, для которого предлагаются аналоги.
| Аналог | VCEO | IC | PC | hFE | fT |
|---|---|---|---|---|---|
| TIP41C | 100 | 6 | 65 | 15 | |
| Отечественное производство | |||||
| КТ819Г | 100 | 10 | 60 | 12 | 3 |
| Импорт | |||||
| КТ8212А | 100 | 6 | 65 | 15 | 3 |
| 2SC2334 | 100 | 7 | 40 | 40 | 20 |
| 2SD525 | 100 | 5 | 40 | 40 | 12 |
| 2SD1059 | 85 | 6 | 40 | 60 | 15 |
| BD711 | 100 | 12 | 75 | 15 | 3 |
| BD911 | 100 | 15 | 90 | 15 | 3 |
| BDT41C | 140 | 6 | 65 | 15 | 3 |
| MJE5180 | 120 | 6 | 65 | 15 | 1 |
Типовые эксплуатационные данные
Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.
Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (мВ) и напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.
Рис.3 Области безопасной работы в статическом и динамическом режимах с изменяющейся длительностью импульса тока коллектора.
Рис.4 Зависимость мощности рассеивания от температуры корпуса.
Примечание: по технической документации ON Semiconductor, 2017.
Автор публикации
