TIP41C транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, отечественные аналоги

Транзистор TIP41C

  • Структура N-P-N;
  • Выпускается по эпитаксиальной технологии;
  • Силовой транзистор средней мощности общего применения;
  • Используется в усилительных и переключающих устройствах;
  • Корпус ТО-220.

Цоколевка

Транзистор TIP41C

Таблица предельных значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками.  Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозна чениеПараметрМодификацияВеличинаЕд. изм.
VCBOНапряжение коллектор-базаTIP41A60В
TIP41B80
TIP41C100
VCEOНапряжение коллектор-эмиттерTIP41A60В
TIP41B80
TIP41C100
VEBOНапряжение эмиттер-база5В
ICТок коллектора (пост.)6A
ICPТок коллектора (имп.)10A
IBТок базы2A
TJТемпература кристалла150°C
TSTGБезопасный температурный диапазон от-65 до 150°C

Максимальные тепловые характеристики

Обозна чниеПараметрВеличинаЕд. изм.
PCМощность рассеяния (ТК = 25°C)65Вт
Мощность рассеяния (TА = 25°C)2

Электрические характеристики

Значения в таблице для температуры 25°C.

Обозна чениеПараметрУсловияМинМаксЕд. изм.
VCEO (sus)Рабочее напряжение коллектор-эмиттер (1)TIP41AIC = 30 мА, IB = 060В
TIP41B80
TIP41C100
ICEOТок отсечки коллектораTIP41AVCE = 30 В, IB = 00.7мA
TIP41B /TIP41CVCE = 60 В, IB = 00.7
ICESТок отсечки коллектораTIP41AVCE = 60 В, VEB = 0400мкA
TIP41BVCE = 80 В, VEB = 0400
TIP41CVCE = 100 В, VEB = 0400
IEBOТок отсечки эмиттераVEB = 5 В, IC = 01мA
hFEКоэффициент усиления по постоянному току (1)VCE = 4 В, IC = 0.3 A30
VCE = 4 В, IC = 3 A1575
VCE(нас)Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (1)IC = 6 A, IB = 600 мA1.5В
VBE(on)Напряжение база-эмиттер (1)VCE = 4 В, IC = 6 A2В
fTГраничная частота единичного усиленияVCE = 10 В, IC = 500 мA, f = 1 МГц3МГц

Примечание: Параметры импульса: pw ≤ 300 μs, скважность ≤ 2%.

Комплементарная пара

TIP41C с транзистором TIP42 образуют комплементарную пару.

Аналоги

Первая позиция в таблице – транзистор TIP41C, для которого предлагаются аналоги.

АналогVCEOICPChFEfT
TIP41C10066515
Отечественное производство
КТ819Г1001060123
Импорт
КТ8212А100665153
2SC23341007404020
2SD5251005404012
2SD1059856406015
BD7111001275153
BD9111001590153
BDT41C140665153
MJE5180120665151

Типовые эксплуатационные данные

Транзистор TIP41C

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.

 

Транзистор TIP41C

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (мВ) и напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора.

 

Транзистор TIP41C

Рис.3 Области безопасной работы в статическом и динамическом режимах с изменяющейся длительностью импульса тока коллектора.

 

Транзистор TIP41C

Рис.4 Зависимость мощности рассеивания от температуры корпуса.

 

Примечание: по технической документации ON Semiconductor, 2017.

radiosvod.ru
Добавить комментарий