TIP122 — Кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный составной транзистор Дарлингтона. Конструктивное исполнение – преимущественно TO-220.
Корпус и цоколевка
Предназначение
Транзисторы разработаны для применения в усилителях общего назначения и низкоскоростных переключающих устройствах.
Характерные особенности
- Высокий статический коэффициент усиления по току: hFE ≥ 1000 при IC = 3 А.
- Низкое напряжение насыщения: UCE(sat) ≤ 2 В при IC = 3 А; UCE(sat) ≤ 4 В при IC = 5 А.
- Комплементарная пара: TIP127.
- Малый разброс основных параметров выпускаемыхизделий от партии к партии.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.
Характеристика | Символ | Значение | |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-база, В | UCBO | 100 | |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEO | 100 | |
Напряжение база-эмиттер, В | UEBO | 5 | |
Ток коллектора постоянный, А | ICO | 5 | |
Ток коллектора пиковый, А | ICM | 8 | |
Ток базы постоянный, мА | IBO | 120 | |
Мощность рассеяния, Вт | при TС = 25°С | PC | 65 |
при Ta = 25°С | PC | 2 | |
Предельная температура кристалла, °С | TJ | 150 | |
Диапазон температур при хранении, °С | TSTG | от -55 до 150 |
Типовые термические характеристики
Характеристика | Символ | Величина |
---|---|---|
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт | RƟJA | 62,5 |
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJC | 1,92 |
Электрические параметры
Данные в таблице действительны при температуре внешней среды Ta = 25°C.
Характеристика | Обознач. | Параметры при измерениях | Значения |
---|---|---|---|
Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 100 В, IE = 0 | ≤ 0,2 |
Ток выключения коллектор-эмиттер, мА | ICEO | UCE = 50 В, IB = 0 | ≤ 0,5 |
Ток базы выключения, мА | IEBO | UEB = 5 В, IC =0 | ≤ 2 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В * | UCE(sat) (1) | IC = 3 А, IB = 12 мА | ≤ 2 В |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В * | UCE(sat) (2) | IC = 5 А, IB = 20 мА | ≤ 4 В |
Напряжение включения база-эмиттер, В * | UBE(ON) | IC = 3 А, UCE = 3,0 В | ≤ 2,5 |
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В * | UCEO(sus) | IC = 30 мА, IB = 0 | 100 |
Статический коэффициент усиления по току * | hFE (1) | UCE = 3 В, IC = 0,5 А | ≥ 1000 |
hFE (2) | UCE = 3 В, IC = 3 А | ≥ 1000 | |
Выходная емкость, pF | COB | UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц | 300 |
٭ — параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.
Модификации транзистора TIP122
Модель | PC ٭ | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | CC, pF | hFE | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 300 | ≥ 1000 | TO-220 |
TIP122F | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 200 | ≥ 1000 | TO-220FP ٭٭ |
TIP122FP | 29 | ||||||||
TIP122L | 40 | TO-126 | |||||||
STTIP122 | 65 | TO-220 | |||||||
HTIP122 | TO-220AB |
٭ — данные для сравнения по мощности приводятся для температуры коллектора транзистора TC = 25°C.
٭٭ — модели транзисторов TIP122F и TIP122FP выполнены в корпусе TO-220FP, обеспечивающем повышенное напряжение пробоя изоляции между выводами и внешним охладителем – 1500 В постоянного тока.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.
Отечественное производство
Модель | PC * | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | CC, pF | hFE | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 300 | ≥ 1000 | TO-220 | |
КТ716А/Б | 60 | 100/80 | 100/80 | 5 | 8/10 | 150 | 6 | 150 | от 500 до 750 | TO-220, TO-66 |
КТ8116А/Б | 65 | 100 | 5 | 4 | - | 1000 | TO-220 | |||
КТ8116А/Б | 25 | 100 | 3 | 4 | - | 1000 | DPAK | |||
КТ8141А | 60 | 100 | 100 | 8 | 7 | - | 750 | TO-220 | ||
КТ8147А/Б | 100 | 700/500 | - | 8 | 10 | 5 | - | 5 | - | |
КТ8158В | 125 | 100 | 100 | 5 | 12 | 5 | - | 2500 | TO-218 |
Зарубежное производство
Модель | PC * | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TIP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | ≥ 1000 | TO-220 |
NTE261 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
NTE263 | 65 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
RCA122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
SE9302 | 70 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
TIP102 | 80 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
TIP132 | 70 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
WW263 | 65 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
2N6045G | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220AB |
2SD498 | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
3DA122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
3DA142T | 80 | 100 | 100 | 5 | 10 | 150 | 1000 | TO-220 |
3DD122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
BDW93C | 80 | 100 | 100 | 5 | 12 | 150 | 15000 | TO-220 |
CFD811 | 65 | 110 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220FP |
HEPS9151 | 65 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
HP102 | 80 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 |
HP122 | 65 | 100 | 100 | 5 | 5 | 150 | 1000 | TO-220 |
HP142T/TS | 80/70 | 100 | 100 | 5 | 10/8 | 150 | 1000 | TO-220 |
MJE6045/T | 75 | 100 | 100 | 5 | 8 | 150 | 1000 | TO-220 TO-220AB |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.
Графические данные

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току hFE от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В.

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100.

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100.
Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности PC транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода TC.
Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.
Области безопасной работы ограничиваются:
- по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
- по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
- по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.
Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).