Транзистор TIP122: характеристики (параметры), аналоги отечественные, цоколевка

Транзистор TIP122

TIP122 — Кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный составной транзистор Дарлингтона. Конструктивное исполнение – преимущественно TO-220.

Корпус и цоколевка

Транзистор TIP122

Предназначение

Транзисторы разработаны для применения в усилителях общего назначения и низкоскоростных переключающих устройствах.

Характерные особенности

  • Высокий статический коэффициент усиления по току: hFE ≥ 1000 при IC = 3 А.
  • Низкое напряжение насыщения: UCE(sat) ≤ 2 В при IC = 3 А; UCE(sat) ≤ 4 В при IC = 5 А.
  • Комплементарная пара: TIP127.
  • Малый разброс основных параметров выпускаемыхизделий от партии к партии.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при Ta=25°C, если не указано иное.

ХарактеристикаСимволЗначение
Напряжение коллектор-база, В UCBO100
Напряжение коллектор-эмиттер, В UCEO100
Напряжение база-эмиттер, В UEBO5
Ток коллектора постоянный, А ICO5
Ток коллектора пиковый, А ICM8
Ток базы постоянный, мА IBO120
Мощность рассеяния, Втпри TС = 25°С PC65
при Ta = 25°С PC2
Предельная температура кристалла, °С TJ150
Диапазон температур при хранении, °С TSTG от -55 до 150

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаСимволВеличина
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA62,5
Тепловое сопротивление: коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтRƟJC1,92

Электрические параметры

Данные в таблице действительны при температуре внешней среды Ta = 25°C.

ХарактеристикаОбознач.Параметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, мАICBOUCB = 100 В, IE = 0≤ 0,2
Ток выключения коллектор-эмиттер, мА ICEOUCE = 50 В, IB = 0≤ 0,5
Ток базы выключения, мАIEBOUEB = 5 В, IC =0≤ 2
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *UCE(sat) (1)IC = 3 А, IB = 12 мА≤ 2 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *UCE(sat) (2)IC = 5 А, IB = 20 мА≤ 4 В
Напряжение включения база-эмиттер, В *UBE(ON)IC = 3 А, UCE = 3,0 В≤ 2,5
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В *UCEO(sus)IC = 30 мА, IB = 0100
Статический коэффициент усиления по току *hFE (1)UCE = 3 В, IC = 0,5 А ≥ 1000
hFE (2) UCE = 3 В, IC = 3 А ≥ 1000
Выходная емкость, pFCOBUCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц300

٭параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %.

Модификации транзистора TIP122

МодельPC ٭UCBUCEUEBICTJCC, pFhFEКорпус
TIP1226510010055150300≥ 1000TO-220
TIP122F6510010055150200≥ 1000TO-220FP ٭٭
TIP122FP29
TIP122L40TO-126
STTIP12265TO-220
HTIP122TO-220AB

٭ — данные для сравнения по мощности приводятся для температуры коллектора транзистора TC = 25°C.

٭٭ — модели транзисторов TIP122F и TIP122FP выполнены в корпусе TO-220FP, обеспечивающем повышенное напряжение пробоя изоляции между выводами и внешним охладителем – 1500 В постоянного тока.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые планарно-эпитаксиальные, NPN, составные, импульсные. Разработаны для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, переключающих устройствах и других схемах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

МодельPC *UCBUCEUEBICTJfTCC, pFhFEКорпус
TIP1226510010055150300≥ 1000TO-220
КТ716А/Б60100/80100/8058/101506150от 500 до 750 TO-220, TO-66
КТ8116А/Б6510054-1000TO-220
КТ8116А/Б2510034-1000DPAK
КТ8141А6010010087-750TO-220
КТ8147А/Б100700/500-8105-5 -
КТ8158В1251001005125-2500TO-218

Зарубежное производство

МодельPC *UCBUCEUEBICTJhFEКорпус
TIP1226510010055150≥ 1000TO-220
NTE26165100100581501000TO-220
NTE263651001005101501000TO-220
RCA12265100100581501000TO-220
SE9302701001005101501000TO-220
TIP10280100100581501000TO-220
TIP13270100100581501000TO-220
WW263651001005101501000TO-220
2N6045G75100100581501000TO-220AB
2SD49875100100581501000TO-220
3DA12265100100551501000TO-220
3DA142T801001005101501000TO-220
3DD12265100100551501000TO-220
BDW93C8010010051215015000TO-220
CFD81165110100581501000TO-220FP
HEPS915165100100581501000TO-220
HP10280100100581501000TO-220
HP12265100100551501000TO-220
HP142T/TS80/70100100510/81501000TO-220
MJE6045/T75100100581501000TO-220
TO-220AB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит производителя.

Графические данные

Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току от коллекторной нагрузки

Рис. 1. Типичные зависимости коэффициента усиления по постоянному току hFE от коллекторной нагрузки IC.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. При этом коллекторное напряжение UCE = 3 В.

Зависимости напряжения насыщения транзистора от коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимости напряжения насыщения транзистора UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100.

Зависимости напряжения насыщения базы от коллекторной нагрузки

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения базы UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Зависимости сняты при нескольких значениях температуры коллектора TC в режиме повторяющихся импульсов длительностью tp = 300 мкс со скважностью (duty cycle) ˂ 2%. Ток базы IB соотносится с током коллектора ICкак 1:100.

Зависимости входной и выходной емкостей от обратных напряжений

Рис. 4. Зависимости входной Cib и выходной Cob емкостей от обратных напряжений, приложенных к коллекторному и базовому p-n переходам UCB и UEB.

Зависимости сняты при частоте приложенных напряжений f = 0,1 МГц.

Ограничение предельной рассеиваемой мощности транзистора

Рис. 5. Ограничение предельной рассеиваемой мощности PC транзистора при возрастании температуры коллекторного перехода TC.

Области безопасной работы

Рис. 6. Области безопасной работы транзистора.

Области безопасной работы ограничиваются:

  • по напряжению — величиной напряжения коллектор-эмиттер, чреватой невосстановимым пробоем п/п структуры транзистора;
  • по величине тока – предельным значением тока в цепи коллектор-эмиттер, при котором происходит локальный перегрев и прожигание п/п структуры;
  • по величине рассеиваемой мощности – предельным значением, при котором в результате перегрева параметры транзистора безвозвратно изменяются в сторону их ухудшения.

Графические характеристики сняты при различных значениях предельной импульсной мощности в режимах с однократными неповторяющимися импульсами тока длительностей 100 мкс, 500 мкс, 1 мс, 5 мс, а также при постоянном токе (на графике обозначен как DC).

radiosvod.ru
Добавить комментарий