Транзистор S9014: характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

Транзистор S9014

S9014 – биполярный кремниевый n-p-n транзистор, обладающий большим коэффициентом усиления (до 1000) с хорошей линейностью и невысоким собственным шумом.

Корпус и цоколевка

Существует два варианта корпусов S9014:

1. SOT-23 – используется при поверхностном монтаже. Это параллелепипед размером 3 х 1,3 х 1 мм с двумя ножками по краям одной из длинных сторон и одной посередине другой. Если смотреть на корпус со стороны надписи (S9014 имеет следующую маркировку: J6), при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы идут в следующем порядке (по часовой стрелке) – эмиттер, база, коллектор.

2. ТО-92 – усеченный с одной стороны пластмассовый цилиндр. Через торец цилиндра выходят три ножки, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны сечения, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Корпус предназначен для навесного монтажа.

Транзистор S9014

Применение

Обладая высоким коэффициентом усиления с хорошей линейностью, а также малыми собственными шумами, транзистор широко используется во входных каскадах усилителей и малошумящих устройствах.

Комплементарная пара

Комплементарную пару вместе с S9014 составляет p-n-p транзистор S9015, имеющий такие же параметры. Такие пары востребованы при работе с разнополярными сигналами, – например, в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты. Также они используются в схемах составных транзисторов, имеющих высокие значения коэффициента усиления по току.

Составной транзистор Шиклаи на базе комплементарной пары транзисторов

Рис. 2. Составной транзистор Шиклаи на базе комплементарной пары транзисторов.

Коэффициент усиления

В зависимости он величины коэффициента усиления hFE все транзисторы S9014 разбиты на несколько групп. Принадлежность к группе обозначается буквой, стоящей в названии правее набора цифр. При этом буквы A – D соответствуют корпусу TO-92, H и L – SOT-23. Диапазоны значений параметра для S9014 следующие:

  • А (hFE = 60… 150);
  • В (hFE = 100… 300);
  • С (hFE = 200… 600);
  • D (hFE = 400… 1000);
  • L (hFE = 200… 450);
  • H (hFE = 450… 1000).

Источником приведенной ниже информации на на транзистор S9014 послужил даташит компании Weitron Technology.

Предельно допустимые значения

В случае превышения приведенного в таблице 1 значения любого из параметров, производитель не гарантирует как соблюдения заявленных остальных значений (таблица 2) и типовых характеристик (приведены далее), так исправности самой детали.

Таблица 1. Предельные значения параметров на транзистор S9014

ОбозначениеПараметрЗначение
VCBO
(UCB max)
Напряжение коллектор-база, В50
VCEO
(UCE max)
Напряжение коллектор-эмиттер, В45
VEBO (UEB max)Напряжение эмиттер-база (обратное), В5
IC (ICmax)Ток коллектора, мА100
PC (PC max)Рассеиваемая мощность, ВтSOT-230,2
TO-920,45
Tj (tjmax)Температура кристалла, °С150
TstgТемпература хранения, °С-55…+150

Электрические параметры

Таблица 2 содержит основные параметры транзистора, которые могут потребоваться для расчета вновь создаваемых принципиальных схем устройств.

Таблица 2. Электрические характеристики S9014

Обозн.ПараметрУсловия измеренийЗначение
Мин.Макс.
V(BR)CBOНапряжение пробоя к-б, ВIC=100 µA, IE=050
V(BR)CEOНапряжение пробоя к-э, ВIC=100 µA, IB=045
V(BR)EBOНапряжение пробоя э-б, ВIE=100 µA, IC=05
ICBOОбратный ток коллектора, µAVCB =50 В, IE=00,1
IEBOОбратный ток эмиттера, µAVEB =5 В, IC=00,1
hFE (h21)Коэффициент усиленияVCE = 5В, IC = 1мА601000
VCE(sat) (UCEsat)Напряжение насыщения к-э, мВIC= 100 мA, IB = 5 мA 0,3
VBE(sat) (UBEsat)Напряжение насыщения б-э, мВIC=-100 мA, IB =-10мA1
fTГраничная частота, МГцVCE = 5В, IC = 10мA, f=30 MГц150

Примечания.

1. Данные таблиц 1 и 2 актуальны для температуры окружающей среды 25° С.

2. Обозначения параметров, приведенных в первом столбце обеих таблиц в скобках, указаны в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Аналоги

В таблице 3 представлены основные параметры n-p-n транзисторов, пригодных для замены S9014.

Таблица 3. Транзисторы, подходящие для замены S9014 (все кремниевые, n-p-n)

ТипVCEOICPChFEfTКорпусЦоколевка*
S90144510045060-1000150ТО-92эбк
200SOT-23эбк
Импорт
BC54745100625110 – 800150ТО-92кбэ
MPSW06605001000от 8050ТО-92эбк
BC55045100500420-800300ТО-92кбэ
MPSA43200500625от 25от 50ТО-92эбк
2SD193820300200500 –250080SOT-346эбк
9014SLT145100300300300SOT-23эбк
2N70511001500625от 1000200ТО-92экб
Российское производство
КТ310220-50100250100 – 1000 от 150 ТО-92кбэ
КТ61114510045060 – 1000от 150ТО-92кбэ

*Цоколевка (ТО-92 – слева направо; SOT-23 – по часовой стрелке)

Примечания.

1. Значение VCEO КТ3102 определяется буквой, следующей за последней цифрой.

2. Корпус SOT-346 отличается от SOT-23 размерами (см. табл. 4).

3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.Транзистор S9014

Рис. 7. Корпуса  SOT-23 и SOT-346.

Таблица 4. Размеры SMD-корпусов

КорпусА (мм)B (мм)S (мм)H (мм)
SOT-232,91,32,40,95
SOT-3462,91,62,81,1

Графические данные

Выходная характеристика

Рис. 3. Выходная характеристика IC= f(VCE) при IB = 20… 160 мкА.

Коэффициент усиления

Рис.4. Коэффициент усиления hFE = f(IC) при VCE= 5 В.

Зависимость напряжений насыщения от тока коллектора

Рис.5. Зависимость напряжений насыщения VCE(sat) и VBE(sat) от тока коллектора IC (IC=20 IB).

Зависимость полосы пропускания от тока коллектора

Рис.6. Зависимость полосы пропускания от тока коллектора fT = f(IC) при VCE = 5 В.

radiosvod.ru
Добавить комментарий