S9014 – биполярный кремниевый n-p-n транзистор, обладающий большим коэффициентом усиления (до 1000) с хорошей линейностью и невысоким собственным шумом.
Корпус и цоколевка
Существует два варианта корпусов S9014:
2. ТО-92 – усеченный с одной стороны пластмассовый цилиндр. Через торец цилиндра выходят три ножки, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны сечения, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Корпус предназначен для навесного монтажа.
Применение
Обладая высоким коэффициентом усиления с хорошей линейностью, а также малыми собственными шумами, транзистор широко используется во входных каскадах усилителей и малошумящих устройствах.
Комплементарная пара
Комплементарную пару вместе с S9014 составляет p-n-p транзистор S9015, имеющий такие же параметры. Такие пары востребованы при работе с разнополярными сигналами, – например, в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты. Также они используются в схемах составных транзисторов, имеющих высокие значения коэффициента усиления по току.
Рис. 2. Составной транзистор Шиклаи на базе комплементарной пары транзисторов.
Коэффициент усиления
В зависимости он величины коэффициента усиления hFE все транзисторы S9014 разбиты на несколько групп. Принадлежность к группе обозначается буквой, стоящей в названии правее набора цифр. При этом буквы A – D соответствуют корпусу TO-92, H и L – SOT-23. Диапазоны значений параметра для S9014 следующие:
- А (hFE = 60… 150);
- В (hFE = 100… 300);
- С (hFE = 200… 600);
- D (hFE = 400… 1000);
- L (hFE = 200… 450);
- H (hFE = 450… 1000).
Источником приведенной ниже информации на на транзистор S9014 послужил даташит компании Weitron Technology.
Предельно допустимые значения
В случае превышения приведенного в таблице 1 значения любого из параметров, производитель не гарантирует как соблюдения заявленных остальных значений (таблица 2) и типовых характеристик (приведены далее), так исправности самой детали.
Таблица 1. Предельные значения параметров на транзистор S9014
| Обозначение | Параметр | Значение | |
|---|---|---|---|
| VCBO (UCB max) | Напряжение коллектор-база, В | 50 | |
| VCEO (UCE max) | Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 | |
| VEBO (UEB max) | Напряжение эмиттер-база (обратное), В | 5 | |
| IC (ICmax) | Ток коллектора, мА | 100 | |
| PC (PC max) | Рассеиваемая мощность, Вт | SOT-23 | 0,2 |
| TO-92 | 0,45 | ||
| Tj (tjmax) | Температура кристалла, °С | 150 | |
| Tstg | Температура хранения, °С | -55…+150 | |
Электрические параметры
Таблица 2 содержит основные параметры транзистора, которые могут потребоваться для расчета вновь создаваемых принципиальных схем устройств.
Таблица 2. Электрические характеристики S9014
| Обозн. | Параметр | Условия измерений | Значение | |
|---|---|---|---|---|
| Мин. | Макс. | |||
| V(BR)CBO | Напряжение пробоя к-б, В | IC=100 µA, IE=0 | 50 | |
| V(BR)CEO | Напряжение пробоя к-э, В | IC=100 µA, IB=0 | 45 | |
| V(BR)EBO | Напряжение пробоя э-б, В | IE=100 µA, IC=0 | 5 | |
| ICBO | Обратный ток коллектора, µA | VCB =50 В, IE=0 | 0,1 | |
| IEBO | Обратный ток эмиттера, µA | VEB =5 В, IC=0 | 0,1 | |
| hFE (h21) | Коэффициент усиления | VCE = 5В, IC = 1мА | 60 | 1000 |
| VCE(sat) (UCEsat) | Напряжение насыщения к-э, мВ | IC= 100 мA, IB = 5 мA | 0,3 | |
| VBE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения б-э, мВ | IC=-100 мA, IB =-10мA | 1 | |
| fT | Граничная частота, МГц | VCE = 5В, IC = 10мA, f=30 MГц | 150 | |
Примечания.
1. Данные таблиц 1 и 2 актуальны для температуры окружающей среды 25° С.
2. Обозначения параметров, приведенных в первом столбце обеих таблиц в скобках, указаны в соответствии с ГОСТ 15172-70.
Аналоги
В таблице 3 представлены основные параметры n-p-n транзисторов, пригодных для замены S9014.
Таблица 3. Транзисторы, подходящие для замены S9014 (все кремниевые, n-p-n)
| Тип | VCEO | IC | PC | hFE | fT | Корпус | Цоколевка* |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S9014 | 45 | 100 | 450 | 60-1000 | 150 | ТО-92 | эбк |
| 200 | SOT-23 | эбк | |||||
| Импорт | |||||||
| BC547 | 45 | 100 | 625 | 110 – 800 | 150 | ТО-92 | кбэ |
| MPSW06 | 60 | 500 | 1000 | от 80 | 50 | ТО-92 | эбк |
| BC550 | 45 | 100 | 500 | 420-800 | 300 | ТО-92 | кбэ |
| MPSA43 | 200 | 500 | 625 | от 25 | от 50 | ТО-92 | эбк |
| 2SD1938 | 20 | 300 | 200 | 500 –2500 | 80 | SOT-346 | эбк |
| 9014SLT1 | 45 | 100 | 300 | 300 | 300 | SOT-23 | эбк |
| 2N7051 | 100 | 1500 | 625 | от 1000 | 200 | ТО-92 | экб |
| Российское производство | |||||||
| КТ3102 | 20-50 | 100 | 250 | 100 – 1000 | от 150 | ТО-92 | кбэ |
| КТ6111 | 45 | 100 | 450 | 60 – 1000 | от 150 | ТО-92 | кбэ |
*Цоколевка (ТО-92 – слева направо; SOT-23 – по часовой стрелке)
Примечания.
1. Значение VCEO КТ3102 определяется буквой, следующей за последней цифрой.
2. Корпус SOT-346 отличается от SOT-23 размерами (см. табл. 4).
3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.
Рис. 7. Корпуса SOT-23 и SOT-346.
Таблица 4. Размеры SMD-корпусов
| Корпус | А (мм) | B (мм) | S (мм) | H (мм) |
|---|---|---|---|---|
| SOT-23 | 2,9 | 1,3 | 2,4 | 0,95 |
| SOT-346 | 2,9 | 1,6 | 2,8 | 1,1 |
Графические данные
Рис. 3. Выходная характеристика IC= f(VCE) при IB = 20… 160 мкА.
Рис.4. Коэффициент усиления hFE = f(IC) при VCE= 5 В.
Рис.5. Зависимость напряжений насыщения VCE(sat) и VBE(sat) от тока коллектора IC (IC=20 IB).
Рис.6. Зависимость полосы пропускания от тока коллектора fT = f(IC) при VCE = 5 В.
Автор публикации
