Транзисторы S8550, SS8550

S8550 и SS8550 — биполярные транзисторы c PNP структурой на кремниевой основе. Конструктивное исполнение – TO-92.

Характеристики этих транзисторов практически идентичны, кроме следующих значений:

• Напряжение эмиттер-база – S8550 (-5 В), SS8550 (-6 В);
• Ток коллектора – S8550 (-0.5 A), SS8550 (-1.5 А);
• Рассеиваемая мощность – S8550 (0.625 Вт), SS8550 (1 Вт);
• Граничная частота работы – S8550 (150 МГц), SS8550 (100 МГц).

Корпус, цоколевка и размеры

Предназначение

Транзисторы S8550 и SS8550 применяются в схемах для стандартных коммутационных и усилительных функций. Одно из распространённых применений — использование в двухтактной конфигурации в усилителях.

Характерные особенности

• Использование высокого тока и низкого напряжения.
• Низкое значение рассеиваемой мощности.

Предельные эксплуатационные характеристики

Для эксплуатации при температуре 25 °C. Кроме температурных характеристик.

Характеристика	Обозначение	S8550	SS8550
Пробивное напряжение коллектор-база	VCBO	40 В DC	40 В DC
Граничное напряжение транзистора	VCEO	25 В DC	25 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-база	VEBO	5 В DC	6 В DC
Максимальный ток коллектора	IC	0.5 A DC	1.5 A DC
Рассеиваемая мощность	PC	0.625 Вт	1 Вт
Максимальная температура при переходе	TJ	+150 °C	+150 °C
Максимальная температура при хранении	Tstg	От –65 до +150 °C	От –65 до +150 °C

Электрические параметры

Для эксплуатации при температуре 25 °C

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	S8550	SS8550
Пробивное напряжение коллектор база	V(BR)CBO	IC= -100 мкA IB= 0	40 В DC	40 В DC
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер	V(BR)CEO	IC= -100 мкA/2mA IB= 0	25 В DC	25 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-база	V(BR)EBO	IC= -100мкA IB= 0	5 В DC	6 В DC
Обратный ток коллектора	ICBO	VCB= 40/-35V IE=0	100nA DC	100nA DC
Обратный ток эмиттера	IEBO	VEB= 3/6 V IC=0	100nA DC	100nA DC
Статический коэффициент усиления по току	hFE	-	85..320	85..320
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE(sat)	IC= 0.5/0.8 A IB= 50/80mA	0.6 В DC	0.5 В DC
Напряжение насыщения база-эмиттер	VBE(sat)	IC= 0.5/0.8 A IB= 50/80mA	1.2 В DC	1.2 В DC
Напряжение на переходе база-эмиттер	VBE(on)	Vce= -1 V IC= -10 A	-	1 В DC
Выходная емкость	COB	IE= 0 VCB= 10V ftest= 1.0MHz	-	15 пФ
Граничная частота коэффициента передачи тока	fT	IC= 20/50 mA VCE=6/10V	150 МГц	200 МГц

Классификация

Транзисторы разделяется на несколько классов по усилению (коэффициенту передачи тока):

• B – 85…160;
• C – 120…200;
• D – 160…300.

Комплементарная пара

Для транзистора S8550 в качестве комплементарной пары выступает NPN транзистор S8050. Для транзистора SS8550 в качестве комплементарной пары выступает NPN транзистор SS8050.

Аналоги

Тип	Uce	Ucb	Ueb	Ic	Pc	hfe	ft
Оригинал
S8550	25 В	40 В	5 В	0.5 А	0.625 Вт	85..300	150 МГц
SS8550	25 В	40 В	6 В	1.5 А	1 Вт	85..300	100 МГц
Зарубежное производство
2SA708	60 В	80 В	8 В	0.7 А	0.8 Вт	40..400	30 МГц
KSA709	150 В	160 В	8 В	0.7 А	0.8 Вт	70..400	50 МГц
MPS4354	60 В	60 В	5 В	1 А	0.625 Вт	50..500	500 МГц
PN4354	60 В	60 В	5 В	0.5 А	0.625 Вт	50..500	500 МГц
MPS8550	25 В	40 В	6 В	1.5 А	0.625 Вт	85..300	200 МГц
BD140	80 В	100 В	5 В	1.5 А	12.5 Вт	40..250	-
Российский аналог
КТ814Г	100 В	100 В	-	1.5 А	До 10 Вт	30-275	3 МГц

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производитетей.

Основные графические характеристики

Рис.1. Область безопасной работы транзистора (а – для S8550, б – для SS8550).

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C (а – для S8550, б – для SS8550).

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и база-эмиттер U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C (а – для S8550, б – для SS8550).

Рис 4. Зависимость граничной частоты транзистора от тока на коллекторе (а – для S8550, б – для SS8550).