Транзисторы S8550, SS8550: характеристики (параметры), аналоги

Транзисторы S8550, SS8550

S8550 и SS8550 — биполярные транзисторы c PNP структурой на кремниевой основе. Конструктивное исполнение – TO-92.

Характеристики этих транзисторов практически идентичны, кроме следующих значений:

  • Напряжение эмиттер-база – S8550 (-5 В), SS8550 (-6 В);
  • Ток коллектора – S8550 (-0.5 A), SS8550 (-1.5 А);
  • Рассеиваемая мощность – S8550 (0.625 Вт), SS8550 (1 Вт);
  • Граничная частота работы – S8550 (150 МГц), SS8550 (100 МГц).

Корпус, цоколевка и размеры

Транзистор S8550

Размеры s8550

Предназначение

Транзисторы S8550 и SS8550 применяются в схемах для стандартных коммутационных и усилительных функций. Одно из распространённых применений — использование в двухтактной конфигурации в усилителях.

Характерные особенности

  • Использование высокого тока и низкого напряжения.
  • Низкое значение рассеиваемой мощности.

Предельные эксплуатационные характеристики

Для эксплуатации при температуре 25 °C. Кроме температурных характеристик.

ХарактеристикаОбозначениеS8550SS8550
Пробивное напряжение коллектор-базаVCBO40 В DC40 В DC
Граничное напряжение транзистораVCEO25 В DC25 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-базаVEBO5 В DC6 В DC
Максимальный ток коллектораIC0.5 A DC1.5 A DC
Рассеиваемая мощностьPC0.625 Вт1 Вт
Максимальная температура при переходеTJ+150 °C+150 °C
Максимальная температура при храненииTstgОт –65 до +150 °CОт –65 до +150 °C

Электрические параметры

Для эксплуатации при температуре 25 °C

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхS8550SS8550
Пробивное напряжение коллектор базаV(BR)CBOIC= -100 мкA
IB= 0
40 В DC40 В DC
Пробивное напряжение коллектор-эмиттерV(BR)CEOIC= -100 мкA/2mA
IB= 0
25 В DC25 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-базаV(BR)EBOIC= -100мкA
IB= 0
5 В DC6 В DC
Обратный ток коллектораICBOVCB= 40/-35V
IE=0
100nA DC100nA DC
Обратный ток эмиттераIEBOVEB= 3/6 V
IC=0
100nA DC100nA DC
Статический коэффициент усиления по токуhFE-85..32085..320
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерVCE(sat)IC= 0.5/0.8 A
IB= 50/80mA
0.6 В DC0.5 В DC
Напряжение насыщения база-эмиттерVBE(sat)IC= 0.5/0.8 A
IB= 50/80mA
1.2 В DC1.2 В DC
Напряжение на переходе база-эмиттерVBE(on)Vce= -1 V
IC= -10 A
-1 В DC
Выходная емкостьCOBIE= 0
VCB= 10V
ftest= 1.0MHz
-15 пФ
Граничная частота коэффициента передачи токаfTIC= 20/50 mA
VCE=6/10V
150 МГц200 МГц

Классификация

Транзисторы разделяется на несколько классов по усилению (коэффициенту передачи тока):

  • B – 85…160;
  • C – 120…200;
  • D – 160…300.

Комплементарная пара

Для транзистора S8550 в качестве комплементарной пары выступает NPN транзистор S8050. Для транзистора SS8550 в качестве комплементарной пары выступает NPN транзистор SS8050.

Аналоги

ТипUceUcbUebIcPchfeft
Оригинал
S855025 В40 В5 В0.5 А0.625 Вт85..300150 МГц
SS855025 В40 В6 В1.5 А1 Вт85..300100 МГц
Зарубежное производство
2SA70860 В80 В8 В0.7 А0.8 Вт40..40030 МГц
KSA709150 В160 В8 В0.7 А0.8 Вт70..40050 МГц
MPS435460 В60 В5 В1 А0.625 Вт50..500500 МГц
PN435460 В60 В5 В0.5 А0.625 Вт50..500500 МГц
MPS855025 В40 В6 В1.5 А0.625 Вт85..300200 МГц
BD14080 В100 В5 В1.5 А12.5 Вт40..250-
Российский аналог
КТ814Г100 В100 В-1.5 АДо 10 Вт30-2753 МГц

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производитетей.

Основные графические характеристики

Область безопасной работы
Область безопасной работы

Рис.1. Область безопасной работы транзистора (а – для S8550, б – для SS8550).

Зависимость статического коэффициента усиления по току транзистора от величины коллекторной нагрузки
Зависимость статического коэффициента усиления по току транзистора от величины коллекторной нагрузки

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC (а – для S8550, б – для SS8550).

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC (а – для S8550, б – для SS8550).

Зависимость граничной частоты транзистора от тока на коллекторе
Зависимость граничной частоты транзистора от тока на коллекторе

Рис 4. Зависимость граничной частоты транзистора от тока на коллекторе (а – для S8550, б – для SS8550).

Зависимость тока коллектора от напряжения на переходе база-эмиттер

Рис 5. Зависимость тока коллектора от напряжения на переходе база-эмиттер для транзистора SS8550.

Выходная емкость коллектора

Рис 6. Выходная емкость коллектора для транзистора SS8550.

radiosvod.ru
Добавить комментарий