- Биполярный кремниевый, низкочастотный, большой мощности.
- Изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии.
- Структура PNP.
- Выпускается в пластиковом корпусе ТО-220.
- Документация производителя – АО.336.403 / 03.
- Диапазон рабочих температур -60…+100 °С.
- Для создания комплементарной пары используется, – КТ837.
Назначение
Универсальный транзистор широкого применения. Используется в оконечных каскадах низкочастотных усилителей, в качестве силового элемента преобразовательных устройств, блоков питания и стабилизации. Широко применяется в профессиональном и любительском радиотехническом оборудовании различного назначения.
Предельно допустимые значения
Не допускается работа транзистора с превышением одного или нескольких значений, указанных в таблице. Нарушение требования может повредить или нарушить функционирование активного радиоэлемента: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора.
Длительная работа транзистора в области предельно допустимых значений может привести к уменьшению срока эксплуатации элемента и скорейшему выходу его из строя.
Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.
Обозн. | Параметр | Знач. | Ед. изм |
---|---|---|---|
Uкб max | Постоянное напряжение коллектор-база | В | |
КТ837А, Б, В, Л, М, Н | 80 | ||
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 60 | ||
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 45 | ||
Uкэ max | Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=∞ Ом | ||
КТ837А, Б, В, Л, М, Н | 60 | В | |
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 45 | ||
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 30 | ||
Uкэ max | Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом | ||
КТ837А, Б, В, Л, М, Н | 70 | В | |
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С | 55 | ||
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф | 40 | ||
Uэб max | Постоянное напряжение эмиттер-база | ||
КТ837А - К | 15 | В | |
КТ837Л - Ф | 5 | ||
Iк max | Постоянный ток коллектора | 7.5 | А |
Iб max | Максимально допустимый постоянный ток базы | 1 | А |
Pк max | Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода | 1 | Вт |
Pк max | Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом | 30 | Вт |
Электрические характеристики, при Та=25°C
Обозн. | Параметр | Режим изм. | Мин. | Макс. | Ед. изм |
---|---|---|---|---|---|
Iкэr | Обратный ток коллектор-эмиттер | Uкэ = Uкэ max при Rэб =∞ | 10 | мA | |
Iкэr | Обратный ток коллектор-эмиттер | Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом | 10 | мА | |
Iкбо | Обратный ток коллектор-база | Uкб = Uкб max | 0,15 | мA | |
Iэбо | Обратный ток эмиттера | Uэб =15 В Uэб =5 В | мА | ||
КТ837А - К | 0,3 | ||||
КТ837 Л - Ф | 0,3 | ||||
h21э | Стат. коэффициент передачи тока | Uкэ =5 B, Iк =2A | |||
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т | 10 | 40 | |||
КТ837Б, М, Д, Р, И, У | 20 | 80 | |||
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф | 40 | 150 | |||
Uкэ нас | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | В | |||
КТ837А - В, Л - Н | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | 2,5 | |||
КТ837Г - Е, П - С | Iк= 3 A, Iб= 0,37 A | 0,9 | |||
КТ837Ж - К, Т - Ф | Iк= 2 А, Iб= 0,3 A | 0,5 | |||
Uбэ нас | Напряжение насыщения база-эмиттер | Iк= 2 A, Iб=0,5 A | 1,5 | В |
Зарубежные аналоги транзистора
Оригинал | Аналог | UКЭ | IК | P | hFE | fT |
---|---|---|---|---|---|---|
КТ837А | 2SD685 | 400 | 10 | 100 | 400 | |
КТ837Б | 2T7534C | 45 | 4 | 40 | 100 | 3 |
КТ837В | 2SB834 | 60 | 3 | 30 | 60 | 9 |
КТ837В | 2SB906 | 50 | 3 | 20 | 60 | 1,5 |
КТ837Д | 2N6111 | 30 | 7 | 40 | 30 | 0,5 |
КТ837Н | BD223 | 70 | 4 | 36 | 30 | 0,8 |
КТ837Р | 2SB434 | 50 | 3 | 25 | 40 | 1 |
КТ837Р | 2SB435G | 40 | 3 | 25 | 40 | 1,5 |
КТ837С | BD225 | 60 | 4 | 36 | 20 | 0,8 |
КТ837У | 2SB435 | 35 | 3 | 25 | 40 | 1 |
КТ837Ф | BD224 | 40 | 4 | 36 | 30 | 0,8 |
Основные графические зависимости
Зависимость тока базы (IБ) от напряжения база-эмиттер (UБЭ).
Зависимость статического коэффициента передачи тока (h21э) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).
Зависимость статического коэффициента передачи тока (h21э) от напряжения коллектор-эмиттер (IК).
Области максимально допустимых режимов работы: ток коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).
Зависимость тока коллектора (IК) модификаций транзистора КТ837 от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).