Транзистор КТ837

• Биполярный кремниевый, низкочастотный, большой мощности.
• Изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии.
• Структура PNP.
• Выпускается в пластиковом корпусе ТО-220.
• Документация производителя – АО.336.403 / 03.
• Диапазон рабочих температур -60…+100 °С.
• Для создания комплементарной пары используется, – КТ837.

Назначение

Универсальный транзистор широкого применения. Используется в оконечных каскадах низкочастотных усилителей, в качестве силового элемента преобразовательных устройств, блоков питания и стабилизации. Широко применяется в профессиональном и любительском радиотехническом оборудовании различного назначения.

Предельно допустимые значения

Не допускается работа транзистора с превышением одного или нескольких значений, указанных в таблице. Нарушение требования может повредить или нарушить функционирование активного радиоэлемента: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора.

Длительная работа транзистора в области предельно допустимых значений может привести к уменьшению срока эксплуатации элемента и скорейшему выходу его из строя.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозн.	Параметр	Знач.	Ед. изм
Uкб max	Постоянное напряжение коллектор-база		В
	КТ837А, Б, В, Л, М, Н	80
	КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	60
	КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	45
Uкэ max	Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=∞ Ом
	КТ837А, Б, В, Л, М, Н	60	В
	КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	45
	КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	30
Uкэ max	Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом
	КТ837А, Б, В, Л, М, Н	70	В
	КТ837Г, Д, Е, П, Р, С	55
	КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф	40
Uэб max	Постоянное напряжение эмиттер-база
	КТ837А - К	15	В
	КТ837Л - Ф	5
Iк max	Постоянный ток коллектора	7.5	А
Iб max	Максимально допустимый постоянный ток базы	1	А
Pк max	Пост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода	1	Вт
Pк max	Пост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом	30	Вт

Электрические характеристики, при Та=25°C

Обозн.	Параметр	Режим изм.	Мин.	Макс.	Ед. изм
Iкэr	Обратный ток коллектор-эмиттер	Uкэ = Uкэ max при Rэб =∞		10	мA
Iкэr	Обратный ток коллектор-эмиттер	Uкэ = Uкэ max при Rэб= 100 Ом		10	мА
Iкбо	Обратный ток коллектор-база	Uкб = Uкб max		0,15	мA
Iэбо	Обратный ток эмиттера	Uэб =15 В Uэб =5 В			мА
	КТ837А - К			0,3
	КТ837 Л - Ф			0,3
h21э	Стат. коэффициент передачи тока	Uкэ =5 B, Iк =2A
	КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т		10	40
	КТ837Б, М, Д, Р, И, У		20	80
	КТ837В, Н, Е, С, К, Ф		40	150
Uкэ нас	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер				В
	КТ837А - В, Л - Н	Iк= 3 A, Iб= 0,37 A		2,5
	КТ837Г - Е, П - С	Iк= 3 A, Iб= 0,37 A		0,9
	КТ837Ж - К, Т - Ф	Iк= 2 А, Iб= 0,3 A		0,5
Uбэ нас	Напряжение насыщения база-эмиттер	Iк= 2 A, Iб=0,5 A		1,5	В

Зарубежные аналоги транзистора

Оригинал	Аналог	UКЭ	IК	P	hFE	fT
КТ837А	2SD685	400	10	100	400
КТ837Б	2T7534C	45	4	40	100	3
КТ837В	2SB834	60	3	30	60	9
КТ837В	2SB906	50	3	20	60	1,5
КТ837Д	2N6111	30	7	40	30	0,5
КТ837Н	BD223	70	4	36	30	0,8
КТ837Р	2SB434	50	3	25	40	1
КТ837Р	2SB435G	40	3	25	40	1,5
КТ837С	BD225	60	4	36	20	0,8
КТ837У	2SB435	35	3	25	40	1
КТ837Ф	BD224	40	4	36	30	0,8

Основные графические зависимости

Зависимость тока коллектора (I_К) модификаций транзистора КТ837 от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Зона возможных значений напряжения насыщения коллектор-эмиттер (U_{кэ нас}) от тока коллектора (I_К).

Требования к монтажу

Однократно допускается изгибать вывода транзистора. При этом: угол изгиба не должен превышать 90 градусов, расстояние до корпуса более 5 мм, радиус изгиба более 1,5 мм.

Пайку проводить при температуре не более 260 °С длительностью не более 3 сек. Перед операцией проверить заземление паяльника.

Разрешенное статическое напряжение – 500 В.