КТ837 транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, зарубежные аналоги

Транзистор КТ837

  • Биполярный кремниевый, низкочастотный, большой мощности.
  • Изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии.
  • Структура PNP.
  • Выпускается в пластиковом корпусе ТО-220.
  • Документация производителя – АО.336.403 / 03.
  • Диапазон рабочих температур -60…+100 °С.
  • Для создания комплементарной пары используется, – КТ837.

Транзистор КТ837

Назначение

Универсальный транзистор широкого применения. Используется в оконечных каскадах низкочастотных усилителей, в качестве силового элемента преобразовательных устройств, блоков питания и стабилизации. Широко применяется в профессиональном и любительском радиотехническом оборудовании различного назначения.

Предельно допустимые значения

Не допускается работа транзистора с превышением одного или нескольких значений, указанных в таблице. Нарушение требования может повредить или нарушить функционирование активного радиоэлемента: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора.

Длительная работа транзистора в области предельно допустимых значений может привести к уменьшению срока эксплуатации элемента и скорейшему выходу его из строя.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозн.ПараметрЗнач.Ед. изм
Uкб maxПостоянное напряжение коллектор-базаВ
КТ837А, Б, В, Л, М, Н80
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф45
Uкэ maxПостоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=∞ Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н60В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф30
Uкэ maxПостоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н70В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф40
Uэб maxПостоянное напряжение эмиттер-база
КТ837А - К15В
КТ837Л - Ф5
Iк maxПостоянный ток коллектора7.5А
Iб maxМаксимально допустимый постоянный ток базы1А
Pк maxПост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода1Вт
Pк maxПост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом30Вт

Электрические характеристики, при Та=25°C

Обозн.ПараметрРежим изм.Мин.Макс.Ед. изм
IкэrОбратный ток коллектор-эмиттерUкэ = Uкэ max
при Rэб =∞
10мA
IкэrОбратный ток коллектор-эмиттерUкэ = Uкэ max
при Rэб= 100 Ом
10мА
IкбоОбратный ток коллектор-базаUкб = Uкб max0,15мA
IэбоОбратный ток эмиттераUэб =15 В
Uэб =5 В
мА
КТ837А - К0,3
КТ837 Л - Ф0,3
h21эСтат. коэффициент передачи токаUкэ =5 B, Iк =2A
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т1040
КТ837Б, М, Д, Р, И, У2080
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф40150
Uкэ насНапряжение насыщения коллектор-эмиттерВ
КТ837А - В, Л - НIк= 3 A, Iб= 0,37 A2,5
КТ837Г - Е, П - СIк= 3 A, Iб= 0,37 A0,9
КТ837Ж - К, Т - ФIк= 2 А, Iб= 0,3 A0,5
Uбэ насНапряжение насыщения база-эмиттерIк= 2 A, Iб=0,5 A1,5В

Зарубежные аналоги транзистора

ОригиналАналогUКЭIКPhFEfT
КТ837А2SD68540010100400
КТ837Б2T7534C454401003
КТ837В2SB83460330609
КТ837В2SB90650320601,5
КТ837Д2N611130740300,5
КТ837НBD22370436300,8
КТ837Р2SB43450325401
КТ837Р2SB435G40325401,5
КТ837СBD22560436200,8
КТ837У2SB43535325401
КТ837ФBD22440436300,8

Основные графические зависимости

Зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер

Зависимость тока базы (IБ) от напряжения база-эмиттер (UБЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h21э) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h21э) от напряжения коллектор-эмиттер (IК).

Области максимально допустимых режимов работы

Области максимально допустимых режимов работы: ток коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).

Зависимость тока коллектора модификаций транзистора КТ837 от напряжения коллектор-эмиттер

Зависимость тока коллектора (IК) модификаций транзистора КТ837 от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).

Зона возможных значений напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора
Зона возможных значений напряжения насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас) от тока коллектора (IК).

Требования к монтажу

Однократно допускается изгибать вывода транзистора. При этом: угол изгиба не должен превышать 90 градусов, расстояние до корпуса более 5 мм, радиус изгиба более 1,5 мм.

Пайку проводить при температуре не более 260 °С длительностью не более 3 сек. Перед операцией проверить заземление паяльника.

Разрешенное статическое напряжение – 500 В.

radiosvod.ru