КТ825Г относится к мощным кремниевым pnp составным мезапланарным (многослойная гибридная структура) транзисторам с частотой работы до 4 МГц. Применяются в переключающих устройствах и усилителях. Эквивалентная схема (Дарлингтона) сочетает в себе два биполярных pnp транзистора — КТ814 и КТ818. Имеет широкое применение в схемотехнике радиоэлектронных устройств из-за высокого коэффициента усиления. Изделия, прошедшие военную приёмку и отобранные по максимальным параметрам маркировались обозначением 2Т825Г.
Цоколевка
Корпус транзистора выпускался в металлическом исполнении TO-3 (КТ-9). У КТ825Г выводы не маркированы. Маркировка нанесена цифробуквенным кодом на транзисторе. Наименование находится в верхней части металлического корпуса. Расположение двух жёстких выводов «база-эмиттер», изолированных стеклянным диэлектриком — со смещением от центра. Корпус транзистора соединён с коллектором. Надписи на транзисторе содержат наименование, логотип производителя, дату производства, возможно знак военной приёмки. Размеры корпусов приведены на рисунке. Корпус ТО-3 имеет два отверстия для монтажа.
Характеристики
Максимальные характеристики КТ825Г:
- Uбэоmax — напряжение пробоя база-эмиттер =5 В;
- Iкmax — постоянный максимальный ток коллектора =20 А;
- Iкиmax — импульсный максимальный ток коллектора =40 А;
- Rэкнас — сопротивление насыщения эмиттер-коллектор не более =0,4 Ома
- Uкэmax длительное (при RБЭ = 1000 Ом и UЭБ = 1,5 В) =90 В;
- Iбmax длительно возможный протекающий ток базы =500 mА.
Электрические характеристики
При работе на предельной температуре коэффициент передачи тока максимальный. Предел частоты работы ограничен собственной емкостью pn перехода составного транзистора.
| Значения параметров при температуре pn перехода Тп=25°С | ||
| UэКнас (напряжение насыщения между эмиттером и коллектором транзистора) | В | <2 |
| h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А | Тк=25°С | 750÷18000; |
| h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А | Т=Тк макс | 600÷25000 |
| h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10А | Тк=-60°С | 150÷18000 |
| f гp — граничная частота коэффициента передачи тока | МГц | <4 |
| СК — емкость коллекторного перехода UКБ=10В | пФ | min 350 пФ max 600 пФ |
| СЭ — емкость эмиттерного перехода UЭБ=5В | пФ | min 450 пФ max 350 пФ |
| Время включения | мкс | 1 |
| Время выключения | мкс | 4,5 |
| Напряжение насыщения Uкэ | Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА | 2 3 |
| Напряжение насыщения Uбэ | Iк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА | 3 4 |
Тепловые и другие параметры
Металлостеклянный корпус КТ825Г обеспечивает рассеяние тепловыделения в работе до 3 Вт без радиатора и до 125 Вт с радиатором охлаждения.
| РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. | Вт | 3 |
| РК т max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом. | Вт | 125 |
| Т max — максимально допустимая температура окружающей среды. | °С | -40 ÷+100 |
| TП max максимально допустимая температура перехода | °С | 150 |
| fгр граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | МГц | 4 |
| Масса транзистора в металле не более | грамм | 20 |
Комплементарной парой (транзистором сходным по абсолютным значениям параметров, но имеющим другой тип проводимости) для КТ825Г является КТ827Г с npn структурой.
Схема включения
Примером использования составного транзистора КТ825Г в качестве ключевого регулирующего элемента является регулируемый стабилизатор напряжения с максимальным током нагрузки 3 А, выходное напряжение которого регулируется от 0 до 25 В.
Использование составного транзистора в схемах усиления наиболее распространено. Получение качественного звука усилителя на базе КТ825Г достигается в схемах с небольшим количеством радиодеталей. Частотный диапазон и коэффициент гармоник УМЗЧ, реализуемые с использованием КТ825Г соответствуют классу Hi-Fi.
Содержание драгметаллов
КТ825Г, произведённые в СССР, содержат драгметаллы. Транзисторы до 1992 года содержали 10,0332 гр. золота и 48,0028 гр. серебра в тысяче штук. Аффинаж этих изделий показан здесь.
Аналоги
Полным аналогом КТ825Г является транзистор 2Т825Г. В зависимости от применения можно использовать эквивалентную схему из транзисторов КТ814 и КТ818. Импортными аналогами являются 2N6051, 2N6052, 2N6286, 2N6287, MJ11013, MJ11015, 2N5884, MJ11016, TIP142, BDV65B, Т1829-1, FW26025A1.
Datasheet
Производство КТ825Г осуществляло Брянское предприятие ЗАО «Группа Кремний». Эта модификация выпускается серийно и отсутствует в постоянном прайсе завода.
Datasheet производителя можно скачать на нашем сайте по ссылке с названием изготовителя.
Автор публикации
