Транзистор КТ825Г: Характеристики и аналоги

КТ825Г относится к мощным кремниевым pnp составным мезапланарным (многослойная гибридная структура) транзисторам с частотой работы до 4 МГц. Применяются в переключающих устройствах и усилителях. Эквивалентная схема (Дарлингтона) сочетает в себе два биполярных pnp транзистора — КТ814 и КТ818. Имеет широкое применение в схемотехнике радиоэлектронных устройств из-за высокого коэффициента усиления. Изделия, прошедшие военную приёмку и отобранные по максимальным параметрам маркировались обозначением 2Т825Г.

Распиновка КТ825Г

Цоколевка

Корпус транзистора выпускался в металлическом исполнении TO-3 (КТ-9). У КТ825Г выводы не маркированы. Маркировка нанесена цифробуквенным кодом на транзисторе. Наименование находится в верхней части металлического корпуса. Расположение двух жёстких выводов «база-эмиттер», изолированных стеклянным диэлектриком — со смещением от центра. Корпус транзистора соединён с коллектором. Надписи на транзисторе содержат наименование, логотип производителя, дату производства, возможно знак военной приёмки. Размеры корпусов приведены на рисунке. Корпус ТО-3 имеет два отверстия для монтажа.

Характеристики

Максимальные характеристики КТ825Г:

  • Uбэоmax — напряжение пробоя база-эмиттер =5 В;
  • Iкmax — постоянный максимальный ток коллектора =20 А;
  • Iкиmax — импульсный максимальный ток коллектора =40 А;
  • Rэкнас — сопротивление насыщения эмиттер-коллектор не более =0,4 Ома
  • Uкэmax длительное (при RБЭ = 1000 Ом и UЭБ = 1,5 В) =90 В;
  • Iбmax длительно возможный протекающий ток базы =500 mА.

Электрические характеристики

При работе на предельной температуре коэффициент передачи тока максимальный. Предел частоты работы ограничен собственной емкостью pn перехода составного транзистора.

Значения параметров при температуре pn перехода Тп=25°С
Кнас (напряжение насыщения между эмиттером и коллектором транзистора)В<2
h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10АТк=25°С750÷18000;
h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10АТ=Тк макс600÷25000
h21э — коэффициент передачи тока статический, при Uкб=10В, Iэ=10АТк=-60°С150÷18000
f гp — граничная частота коэффициента передачи токаМГц<4
СК — емкость коллекторного перехода UКБ=10ВпФmin 350 пФ max 600 пФ
СЭ — емкость эмиттерного перехода UЭБ=5ВпФmin 450 пФ max 350 пФ
Время включениямкс1
Время выключениямкс4,5
Напряжение насыщения UкэIк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА2
3
Напряжение насыщения UбэIк=10А, Iб=40мА Iк20А, Iб=200мА3
4

Тепловые и другие параметры

Металлостеклянный корпус КТ825Г обеспечивает рассеяние тепловыделения в работе до 3 Вт без радиатора и до 125 Вт с радиатором охлаждения.

РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.Вт3
РК т max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.Вт125
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.°С-40 ÷+100
TП max максимально допустимая температура перехода°С150
fгр граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромМГц4
Масса транзистора в металле не болееграмм20

Комплементарной парой (транзистором сходным по абсолютным значениям параметров, но имеющим другой тип проводимости) для КТ825Г является КТ827Г с npn структурой.

Схема включения

Примером использования составного транзистора КТ825Г в качестве ключевого регулирующего элемента является регулируемый стабилизатор напряжения с максимальным током нагрузки 3 А, выходное напряжение которого регулируется от 0 до 25 В.

Схема стабилизатора на КТ825Г

Использование составного транзистора в схемах усиления наиболее распространено. Получение качественного звука усилителя на базе КТ825Г достигается в схемах с небольшим количеством радиодеталей. Частотный диапазон и коэффициент гармоник УМЗЧ, реализуемые с использованием КТ825Г соответствуют классу Hi-Fi.

УМЗЧ на КТ825Г

Содержание драгметаллов

КТ825Г, произведённые в СССР, содержат драгметаллы. Транзисторы до 1992 года содержали 10,0332 гр. золота и 48,0028 гр. серебра в тысяче штук. Аффинаж этих изделий показан здесь.

Аналоги

Полным аналогом КТ825Г является транзистор 2Т825Г. В зависимости от применения можно использовать эквивалентную схему из транзисторов КТ814 и КТ818. Импортными аналогами являются 2N6051, 2N6052, 2N6286, 2N6287, MJ11013, MJ11015, 2N5884, MJ11016, TIP142, BDV65B, Т1829-1, FW26025A1.

Datasheet

Производство КТ825Г осуществляло Брянское предприятие ЗАО «Группа Кремний». Эта модификация выпускается серийно и отсутствует в постоянном прайсе завода.

Datasheet производителя можно скачать на нашем сайте по ссылке с названием изготовителя.

0

Автор публикации

не в сети 2 месяца

Антон ИТ

0
Комментарии: 0Публикации: 495Регистрация: 02-12-2020
Оцените статью
radiosvod.ru
Добавить комментарий
Авторизация
*
*

4 × пять =

Регистрация
*
*
*

16 − тринадцать =

Генерация пароля