Транзистор КТ315: характеристики, цоколевка, маркировка, аналоги

Транзистор КТ315

КТ315 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный, высокочастотный, малой мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение КТ-13 и КТ-26 (TO-92).

Предназначение

Транзистор предназначен для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, а также в схемах импульсных устройств в аппаратуре общего назначения.

Для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.

Корпус, цоколевка и размеры

Транзистор КТ315

Характерные особенности

  • Относительно высокий коэффициент усиления hFE: значение до 350 в схеме с общим эмиттером.
  • Относительно широкая полоса пропускания: частота среза fT ˃ 250 МГц.
  • Комплементарная пара: КТ361, КТ361-1.

Предельные эксплуатационные характеристики

ПараметрМощность рассеивания, Напряжение коллектор-эмиттер, Напряжение коллектор-база, Напряжение база-эмиттер, Ток коллектора постоянный,Температура п/п перехода,Диапазон температур внешней среды
Обозначение/ТипPC, Вт UCE, В UCB, В UBE, ВIC, А TJ, °С°С
КТ315А0,15252560,1120-60°С…+100°С
КТ315А10,15252560,1120-45°С…+100°С
КТ315Б0,15202060,1120-60°С…+100°С
КТ315Б10,15202060,1120-45°С…+100°С
КТ315В0,15404060,1120-60°С…+100°С
КТ315В10,15404060,1120-45°С…+100°С
КТ315Г0,15353560,1120-60°С…+100°С
КТ315Г10,15353560,1120-45°С…+100°С
КТ315Д0,15404060,1120-60°С…+100°С
КТ315Д10,15404060,1120-45°С…+100°С
КТ315Е0,15353560,1120-60°С…+100°С
КТ315Е10,15353560,1120-45°С…+100°С
КТ315Ж0,1151560,05120-60°С…+100°С
КТ315Ж10,1202060,05120-45°С…+100°С
КТ315И0,1606060,05120-60°С…+100°С
КТ315И10,1606060,05120-45°С…+100°С
КТ315Н10,15202060,1120-45°С…+100°С
КТ315Р10,15353560,1120-45°С…+100°С

Электрические параметры

ПараметрТок коллектора выключения Ток эмиттера выключенияСтатический коэффициент усиления Напряжение насыщения Напряжение насыщенияЧастота среза Емкость коллектораПост. времени коллектор-ной цепи
ОбозначениеICBO, мкАIEBO, мкАhFEUCE(sat), ВUBE(sat), ВfT, МГцпФпс
Режим/ТипUCB = 10 В
IE = 0
UBE = 6 ВUCB = 10 В
IE = 1 мА
IC = 20 мА
IB = 2 мА
IC = 20 мА
IB = 2 мА
UCE = 10 В
IE = 5 мА
UCB = 10ВUCB = 10 В
IE = 5 мА
f = 5 МГц
КТ315А13020…900,41,1˃ 2507˂ 300
КТ315А10,53030…1200,41˃ 2507300…1000
КТ315Б13050…3500,41,1˃ 2507˂ 500
КТ315Б10,53050…3500,41˃ 2507300…1000
КТ315В13020…900,41,1˃ 2507˂ 500
КТ315В10,53030…1200,41˃ 2507300…1000
КТ315Г13050…3500,41,1˃ 2507˂ 500
КТ315Г10,53050…3500,41˃ 2507300…1000
КТ315Д13020…9011,5˃ 2507˂ 1000
КТ315Д10,63020…900,61,1˃ 2507300…1000
КТ315Е13050…35011,5˃ 2507˂ 1000
КТ315Е10,63050…3500,61,1˃ 2507300…1000
КТ315Ж13030…2500,50,9˃ 25010˂ 1000
КТ315Ж10,63030…2500,50,9˃ 25010300…1000
КТ315И150˃ 30--˃ 250--
КТ315И10,650˃ 300,91,35˃ 25010300…1000
КТ315Н10,53050…3500,41˃ 2507300…1000
КТ315Р10,53150…3500,41˃ 2507300…1000

Примечание: данные в таблице действительны при температуре среды Ta = 25°C.

Маркировка

Рассмотрим транзистор КТ315 в корпусе КТ-13. Радиоэлемент имеет цифробуквенное обозначение и чаще встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска.

Модификации КТ315 в корпусе КТ-13

Современный KT315 выпускается в корпусе для сквозного монтажа КТ-26 (TO-92).

Современный KT315 в корпусе КТ-26 (TO-92)

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315 (TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.

Отечественное производство

ТипPC UCBUCEUEBICTJfTCobhFEКорпус
КТ315, КТ315-10,1515…6015…6060,1120250720…350КТ13, TO-92
КТ3151
A9/B9/D9/E9/G9/V9
0,220…8020…8050,11751001520…80SOT23 (КТ-46)
КТ3153 A90,15605050,41502504,5100…300SOT23 (КТ-46А)
КТ31020,2520…5020…5050,2125-6100…1000TO-92 (КТ-26)

Зарубежное производство

ТипPC UCBUCEUEBICTJfTCobhFEКорпус
КТ315А0,15252560,1120250720…90КТ13
BFP719 ٭0,15252550,1120250720…90КТ13
КТ315Б0,15202060,1120250750…350КТ13
BFP720 ٭ 0,15202050,1120250750…350КТ13
КТ315В0,15404060,1120250720…90КТ13
BFP721 ٭0,15404050,1120250720…90КТ13
КТ315Г0,15353560,1120250750…350КТ13
BFP722 ٭0,15353550,1120250750…350КТ13
КТ315Д0,15404060,1120250720…90КТ13
2SC6410,1401550,1150400645…160TO-92
КТ315Е0,15353560,1120250750…350КТ13
2N33970,36252550,1150-1055…800TO-92
КТ315Ж0,1151560,05120250730…250КТ13
2SC5450,12202040,03125175-60TO-92
2SC5460,12303040,03125300-40TO-92
BFY37i0,15252050,11752702,3˃ 35TO-18
2SC3880,3302540,05150300220…200TO-92
КТ315И0,1606060,05120250-˃ 30КТ13
2SC6340,184040-0,11251404,5-TO-923
2SC90140,45504550,11501503,560TO-92
BC5470,5505060,11503006110TO-92
2N39040,31604060,2135300440TO-92
КТ315Н10,15202060,1120250750…350TO-92
2SC6330,3262660,2125112745…660TO-92
КТ315Р10,15353560,11202507150…350TO-92
BFP722 ٭0,15353550,1120250750…350КТ13

٭изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Внешние характеристики

Рис. 1. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах базы: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 мА.

Внешние характеристики

Рис. 2. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах базы: 0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,4; 0,45 мА.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при соотношении IC/IB = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при соотношении IC/IB = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления

Рис. 5. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления hFE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера IE.

Характеристика снята при напряжении UCB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления

Рис. 6. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления hFE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера IE.

Характеристика снята при напряжении UCB = 10 В.

Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.

Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера при высокой частоте

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера IE при высокой частоте f = 100 МГц.

Зависимость снята при напряжении UCE = 10В. Пунктиром показан 95% разброс результатов измерений параметра.

Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи

Рис. 8. Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи τС [пс] от величины напряжения коллектор-база при высокой частоте для некоторых транзисторов семейства КТ315.

Характеристика снята при токе эмиттера IE = 5 мА и частоте 5 МГц. Пунктирной линией показан 95% разброс значений измеренного параметра.

radiosvod.ru
Добавить комментарий