КТ315 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, планарно-эпитаксиальный, высокочастотный, малой мощности, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение КТ-13 и КТ-26 (TO-92).
Предназначение
Транзистор предназначен для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, а также в схемах импульсных устройств в аппаратуре общего назначения.
Для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.
Корпус, цоколевка и размеры
Характерные особенности
- Относительно высокий коэффициент усиления hFE: значение до 350 в схеме с общим эмиттером.
- Относительно широкая полоса пропускания: частота среза fT ˃ 250 МГц.
- Комплементарная пара: КТ361, КТ361-1.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Параметр | Мощность рассеивания, | Напряжение коллектор-эмиттер, | Напряжение коллектор-база, | Напряжение база-эмиттер, | Ток коллектора постоянный, | Температура п/п перехода, | Диапазон температур внешней среды |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Обозначение/Тип | PC, Вт | UCE, В | UCB, В | UBE, В | IC, А | TJ, °С | °С |
| КТ315А | 0,15 | 25 | 25 | 6 | 0,1 | 120 | |
| КТ315А1 | 0,15 | 25 | 25 | 6 | 0,1 | 120 | -45°С…+100°С |
| КТ315Б | 0,15 | 20 | 20 | 6 | 0,1 | 120 | -60°С…+100°С |
| КТ315Б1 | 0,15 | 20 | 20 | 6 | 0,1 | 120 | -45°С…+100°С |
| КТ315В | 0,15 | 40 | 40 | 6 | 0,1 | 120 | -60°С…+100°С |
| КТ315В1 | 0,15 | 40 | 40 | 6 | 0,1 | 120 | -45°С…+100°С |
| КТ315Г | 0,15 | 35 | 35 | 6 | 0,1 | 120 | -60°С…+100°С |
| КТ315Г1 | 0,15 | 35 | 35 | 6 | 0,1 | 120 | -45°С…+100°С |
| КТ315Д | 0,15 | 40 | 40 | 6 | 0,1 | 120 | -60°С…+100°С |
| КТ315Д1 | 0,15 | 40 | 40 | 6 | 0,1 | 120 | -45°С…+100°С |
| КТ315Е | 0,15 | 35 | 35 | 6 | 0,1 | 120 | -60°С…+100°С |
| КТ315Е1 | 0,15 | 35 | 35 | 6 | 0,1 | 120 | -45°С…+100°С |
| КТ315Ж | 0,1 | 15 | 15 | 6 | 0,05 | 120 | -60°С…+100°С |
| КТ315Ж1 | 0,1 | 20 | 20 | 6 | 0,05 | 120 | -45°С…+100°С |
| КТ315И | 0,1 | 60 | 60 | 6 | 0,05 | 120 | -60°С…+100°С |
| КТ315И1 | 0,1 | 60 | 60 | 6 | 0,05 | 120 | -45°С…+100°С |
| КТ315Н1 | 0,15 | 20 | 20 | 6 | 0,1 | 120 | -45°С…+100°С |
| КТ315Р1 | 0,15 | 35 | 35 | 6 | 0,1 | 120 | -45°С…+100°С |
Электрические параметры
| Параметр | Ток коллектора выключения | Ток эмиттера выключения | Статический коэффициент усиления | Напряжение насыщения | Напряжение насыщения | Частота среза | Емкость коллектора | Пост. времени коллектор-ной цепи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Обозначение | ICBO, мкА | IEBO, мкА | hFE | UCE(sat), В | UBE(sat), В | fT, МГц | пФ | пс |
| Режим/Тип | UCB = 10 В IE = 0 | UBE = 6 В | UCB = 10 В IE = 1 мА | IC = 20 мА IB = 2 мА | IC = 20 мА IB = 2 мА | UCE = 10 В IE = 5 мА | UCB = 10В | UCB = 10 В IE = 5 мА f = 5 МГц |
| КТ315А | 1 | 30 | 20…90 | 0,4 | 1,1 | 7 | ˂ 300 | |
| КТ315А1 | 0,5 | 30 | 0,4 | 1 | ˃ 250 | 7 | ||
| КТ315Б | 1 | 30 | 50…350 | 0,4 | 1,1 | ˃ 250 | 7 | ˂ 500 |
| КТ315Б1 | 0,5 | 30 | 50…350 | 0,4 | 1 | ˃ 250 | 7 | 300…1000 |
| КТ315В | 1 | 30 | 20…90 | 0,4 | 1,1 | ˃ 250 | 7 | ˂ 500 |
| КТ315В1 | 0,5 | 30 | 30…120 | 0,4 | 1 | ˃ 250 | 7 | 300…1000 |
| КТ315Г | 1 | 30 | 50…350 | 0,4 | 1,1 | ˃ 250 | 7 | ˂ 500 |
| КТ315Г1 | 0,5 | 30 | 50…350 | 0,4 | 1 | ˃ 250 | 7 | 300…1000 |
| КТ315Д | 1 | 30 | 20…90 | 1 | 1,5 | ˃ 250 | 7 | ˂ 1000 |
| КТ315Д1 | 0,6 | 30 | 20…90 | 0,6 | 1,1 | ˃ 250 | 7 | 300…1000 |
| КТ315Е | 1 | 30 | 50…350 | 1 | 1,5 | ˃ 250 | 7 | ˂ 1000 |
| КТ315Е1 | 0,6 | 30 | 50…350 | 0,6 | 1,1 | ˃ 250 | 7 | 300…1000 |
| КТ315Ж | 1 | 30 | 30…250 | 0,5 | 0,9 | ˃ 250 | 10 | ˂ 1000 |
| КТ315Ж1 | 0,6 | 30 | 30…250 | 0,5 | 0,9 | ˃ 250 | 10 | 300…1000 |
| КТ315И | 1 | 50 | ˃ 30 | - | - | ˃ 250 | - | - |
| КТ315И1 | 0,6 | 50 | ˃ 30 | 0,9 | 1,35 | ˃ 250 | 10 | 300…1000 |
| КТ315Н1 | 0,5 | 30 | 50…350 | 0,4 | 1 | ˃ 250 | 7 | 300…1000 |
| КТ315Р1 | 0,5 | 3 | 150…350 | 0,4 | 1 | ˃ 250 | 7 | 300…1000 |
Примечание: данные в таблице действительны при температуре среды Ta = 25°C.
Маркировка
Рассмотрим транзистор КТ315 в корпусе КТ-13. Радиоэлемент имеет цифробуквенное обозначение и чаще встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска.
Современный KT315 выпускается в корпусе для сквозного монтажа КТ-26 (TO-92).
Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315 (TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение.
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты, схем импульсных устройств и другой аппаратуры общего применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КТ315, КТ315-1 | 0,15 | 6 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | ||||
| КТ3151 A9/B9/D9/E9/G9/V9 | 0,2 | 20…80 | 20…80 | 5 | 0,1 | 175 | 100 | 15 | 20…80 | SOT23 (КТ-46) |
| КТ3153 A9 | 0,15 | 60 | 50 | 5 | 0,4 | 150 | 250 | 4,5 | 100…300 | SOT23 (КТ-46А) |
| КТ3102 | 0,25 | 20…50 | 20…50 | 5 | 0,2 | 125 | - | 6 | 100…1000 | TO-92 (КТ-26) |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КТ315А | 0,15 | 25 | 25 | 6 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 20…90 | КТ13 |
| BFP719 ٭ | 0,15 | 25 | 25 | 5 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 20…90 | КТ13 |
| КТ315Б | 0,15 | 20 | 20 | 6 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 50…350 | КТ13 |
| BFP720 ٭ | 0,15 | 20 | 20 | 5 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 50…350 | КТ13 |
| КТ315В | 0,15 | 40 | 40 | 6 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 20…90 | КТ13 |
| BFP721 ٭ | 0,15 | 40 | 40 | 5 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 20…90 | КТ13 |
| КТ315Г | 0,15 | 35 | 35 | 6 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 50…350 | КТ13 |
| BFP722 ٭ | 0,15 | 35 | 35 | 5 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 50…350 | КТ13 |
| КТ315Д | 0,15 | 40 | 40 | 6 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 20…90 | КТ13 |
| 2SC641 | 0,1 | 40 | 15 | 5 | 0,1 | 150 | 400 | 6 | 45…160 | TO-92 |
| КТ315Е | 0,15 | 35 | 35 | 6 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 50…350 | КТ13 |
| 2N3397 | 0,36 | 25 | 25 | 5 | 0,1 | 150 | - | 10 | 55…800 | TO-92 |
| КТ315Ж | 0,1 | 15 | 15 | 6 | 0,05 | 120 | 250 | 7 | 30…250 | КТ13 |
| 2SC545 | 0,12 | 20 | 20 | 4 | 0,03 | 125 | 175 | - | 60 | TO-92 |
| 2SC546 | 0,12 | 30 | 30 | 4 | 0,03 | 125 | 300 | - | 40 | TO-92 |
| BFY37i | 0,15 | 25 | 20 | 5 | 0,1 | 175 | 270 | 2,3 | ˃ 35 | TO-18 |
| 2SC388 | 0,3 | 30 | 25 | 4 | 0,05 | 150 | 300 | 2 | 20…200 | TO-92 |
| КТ315И | 0,1 | 60 | 60 | 6 | 0,05 | 120 | 250 | - | ˃ 30 | КТ13 |
| 2SC634 | 0,18 | 40 | 40 | - | 0,1 | 125 | 140 | 4,5 | - | |
| 2SC9014 | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | 60 | TO-92 |
| BC547 | 0,5 | 50 | 50 | 6 | 0,1 | 150 | 300 | 6 | 110 | TO-92 |
| 2N3904 | 0,31 | 60 | 40 | 6 | 0,2 | 135 | 300 | 4 | 40 | TO-92 |
| КТ315Н1 | 0,15 | 20 | 20 | 6 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 50…350 | TO-92 |
| 2SC633 | 0,3 | 26 | 26 | 6 | 0,2 | 125 | 112 | 7 | TO-92 | |
| КТ315Р1 | 0,15 | 35 | 35 | 6 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 150…350 | TO-92 |
| BFP722 ٭ | 0,15 | 35 | 35 | 5 | 0,1 | 120 | 250 | 7 | 50…350 | КТ13 |
٭ — изделие в настоящее время не выпускается, однако могут иметься значительные запасы.
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах базы: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 мА.
Рис. 2. Внешние характеристики некоторых транзисторов семейства КТ315: зависимости коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах базы: 0,05; 0,1; 0,15; 0,2; 0,25; 0,3; 0,4; 0,45 мА.
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при соотношении IC/IB = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.
Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при соотношении IC/IB = 10. Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.
Рис. 5. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления hFE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера IE.
Характеристика снята при напряжении UCB = 10 В.
Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.
Рис. 6. Зависимость для некоторых транзисторов семейства КТ315 статического коэффициента усиления hFE по току в схеме с общим эмиттером от величины тока эмиттера IE.
Характеристика снята при напряжении UCB = 10 В.
Пунктиром показаны границы 95% разброса значений параметра.
Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента усиления тока базы от тока эмиттера IE при высокой частоте f = 100 МГц.
Зависимость снята при напряжении UCE = 10В. Пунктиром показан 95% разброс результатов измерений параметра.
Рис. 8. Зависимости постоянной времени обратной связи по коллекторной цепи τС [пс] от величины напряжения коллектор-база при высокой частоте для некоторых транзисторов семейства КТ315.
Характеристика снята при токе эмиттера IE = 5 мА и частоте 5 МГц. Пунктирной линией показан 95% разброс значений измеренного параметра.
Автор публикации
