КТ209 Характеристики транзистора: маркировка, цоколевка, аналоги

Транзисторы серии КТ209, согласно техническим характеристикам от производителя, относится к кремниевым устройствам небольшой мощности. Его изготавливают по эпитаксиально-планарной технологии и имеет структуру p-n-p. Обычно их устанавливают в усилительных или импульсных микромодулях герметизированной радиоэлектронной аппаратуры.

Содержание

Цоколевка
Технические характеристики
Аналоги
Datasheet

Цоколевка

Изготавливают КТ209 в двух вариантах корпуса. Также используется два типа маркировки. В первом случае на поверхность транзистора наносится буква. Во втором случае сбоку корпуса ставится серая метка, а на торце цвет точки зависит от модели. Чертежи всех видов корпусов, внешний вид устройства, цоколевка и цветная маркировка КТ209 приведены на рисунке.

Технические характеристики

Чтобы понять возможности КТ209 нужно познакомиться с его предельно допустимыми параметрами. Если они будут превышены в процессе эксплуатации транзистор выйдет из строя. Температура, при которой были проведены измерения, равна +25°С. Для рассматриваемого устройства они равны:

напряжение действующее длительно между К-Б
- при температуре от 25 до 100°С:
  - А, Б, В – 15 В;
  - Г, Д, Е – 30 В;
  - Ж, И, К – 45 В;
  - Л, М – 60 В.
- при температуре -45°С:
  - А, Б, В – 10 В;
  - Г, Д, Е – 25 В;
  - Ж, И, К – 40 В;
  - Л, М – 55 В.
напряжение действующее длительно между К-Э (R_БЭ ≤ 10 кОм)
- при температуре от 25 до 100°С:
  - А, Б, В – 15 В;
  - Г, Д, Е – 30 В;
  - Ж, И, К – 45 В;
  - Л, М – 60 В.
- при температуре -45°С:
  - А, Б, В – 10 В;
  - Г, Д, Е – 25 В;
  - Ж, И, К – 40 В;
  - Л, М – 55 В.
напряжение действующее длительно между Э-Б
- при температуре от 25 до 100°С:
  - А, Б, В, Г, Д, Е – 10 В;
  - Ж, И, К, Л, М – 20 В.
- при температуре -45°С:
  - А, Б, В, Г, Д, Е – 10 В;
  - Ж, И, К, Л, М – 15 В.

Максимальные характеристики для все серии КТ209:

ток, текущий через коллектор, действующий длительно – 300 мА;
ток, текущий через коллектор, действующий в импульсном режиме – 500 мА;
ток, текущий через базу, действующий длительно – 100 мА;
мощность – 200 мВт;
тепловое сопротивление кристалл-среда – 0,45 °С/мВт;
температура кристалла – 125°С;
рабочая т-ра окружающего воздуха от -45 … +100°С.

Электрические х-ки также важны, так как от них также зависят возможности транзистора. Они тестируются при температуре +25°С. Остальные параметры, которые необходимо учесть при определении того или иного параметра приведены в следующей таблице в отдельной колонке.

Название параметра	Режимы проведения измерений	Модель	min	мах	Ед. измер
Предельная частота к-та усиления по току при использовании устройства в схеме с ОЭ	U_КБ = 5 В, I_К = 10 мА	ВСЕ	5		МГц
К-т шума (для КТ209В, Е, К)	U_КЭ = 3 В, I_К = 0,2 мА, f = 1 кГц, R_Г = 3 кОм	В, Е, К		5
К-т усиления в схеме с ОЭ	U_КЭ = 3 В, I_К = 0,2 мА, Т = 25°С	А, Г, Ж, Л	20	60
		Б, Д, И, М	40	120
		В, Е	80	240
		К	80	160
	U_КЭ = 3 В, I_К = 0,2 мА, Т = 100°С	А, Г, Ж, Л	20	120
		Б, Д, И, М	40	240
		В, Е	80	480
		К	80	320
	U_КЭ = 3 В, I_К = 0,2 мА, Т = -45°С	А, Г, Ж, Л	10	60
		Б, Д, И, М	20	120
		В, Е	40	240
		К	40	160
Разность потенциалов К-Э при насыщении	I_К=300мА, I_Б=30мА	ВСЕ		0,4	В
Разность потенциалов К-Э при насыщении	I_К=300мА, I_Б=30мА	ВСЕ		1,5	В
Ёмкость К перехода	U_КБ = 10В, f = 500кГц	ВСЕ		50	пФ
Ёмкость Э перехода	U_ЭБ = 0,5В, f = 1 МГц	ВСЕ		100	пФ
Входное сопротивление транзистора, работающего в режиме небольшого сигнала, подключённого по схеме с ОЭ	U_КЭ = 5 В, I_К = 5 мА	ВСЕ	130	2500	Ом
Ток через эмиттер, идущий в обратном направлении	U_ЭБ = U_{ЭБ макс}	ВСЕ		1	мкА

Аналоги

Для замены транзисторов серии КТ209 рекомендуется использовать зарубежные аналоги серии MPS404. Для КТ209К идеально подойдёт MPS404A. В любом случае перед заменой рекомендуется проверить характеристики по даташиту.