Транзистор IRF3205: параметры (характеристики), аналоги

Транзистор IRF3205

IRF3205 — мощный N-канальный транзистор с МОП-структурой. Технология производства этих полевых транзисторов достаточно современная и позволяет достичь оптимальных характеристик при работе.

Корпус, цоколевка и размеры

IRF3205 расположен в корпусе ТО-220. Он универсален как для частных, так и для коммерческих применений, так как имеет невысокий показатель теплового сопротивления и отличное соотношение цены и качества.

Транзистор IRF3205


Габаритные размеры и цоколевка транзистора IRF3205

Характерные особенности

  • Низкое значение сопротивления при открытом транзисторе;
  • Высокое значение рабочей температуры (до 175°C);
  • Очень высокая скорость переключения;
  • Динамическая характеристика dv/dt;
  • Лавинные характеристики транзистора нормированы.

Применение

Модель IRF3205 — это мощный и быстрый транзистор, который используется как силовой ключ. Низкое сопротивление при открытии, высокая скорость переключения и низкое тепловое сопротивление, позволяют применять его в следующих устройствах:

  • регуляторы мощности;
  • преобразователи тока и напряжения;
  • инверторы;
  • силовые переключатели;
  • различный электроинструмент.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Постоянный ток на стокеID110 А
Импульсный ток на стокеIDM390 А
Мощность рассеиванияPD200 Вт
Коэффициент линейного снижения мощности-1.3 Вт/°C
Напряжение насыщения затвор-истокVGS± 20 В
Максимальный прерываемый токIAR62 А
Максимальная энергия повторяющихся импульсов на стокеEAR20 мДж
Предельная скорость нарастания напряжения на стокеdv/dt5 В/нс
Безопасный температурный диапазонTJ-55..+175 °C
Допустимая температура при пайке-300 °C
Максимальный момент затяжки при креплении элемента-1.1 Нм

Типовые термические параметры

ХарактеристикаОбозначениеМаксимальная величина
Теплопередача от кристалла к корпусуRjc0.75 °C/Вт
Теплопередача от корпуса к радиаторуRcs0.5 °C/Вт
Теплопередача от кристалла к окружающей средеRja62 °C/Вт

Электрические параметры

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение сток-истокV(BR)DSS55 В
Температурный коэффициент напряжения пробоя∆V(BR)DSS/∆TJ0.057 В/°C 
Сопротивление между стоком и истоком при открытом каналеRDS(on)8 mΩ
Минимальное напряжение необходимое для включения транзистораVGS(th)От 2 до 4 В
Крутизна передаточной характеристики – отношение ∆I стока к ∆U на затвореgfs44 А/В
Ток утечки стокаIDSS25..250 мкА
Ток утечки затвораIGSS-100..100 нА
Заряд для затвора необходимый для открытия транзистораQg146 нКл
Заряд емкости затвор-истокQgs35 нКл
Емкость МиллераQgd53 нКл
Время необходимое для открытия транзистораtd(on)14 нс
Время нарастания импульса для открытия (передний фронт)tr101 нс
Время необходимое для закрытия транзистора td(off)50 нс
Время спада импульса при закрытии транзистора (задний фронт)tf65 нс
Значение индуктивности стокаLD4.5 нГн
Значение индуктивности истокаLS7.5 нГн
Входная емкостьCiss3247 пФ
Выходная емкостьCoss781 пФ
Емкость затвор-стокCrss211 пФ
Максимальная энергия одного импульса на стокеEAS1050 мДж

Характеристики сток-исток

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Значение непрерывного тока на истокеIs110 А
Значение импульсного тока на стокеIsm390 А
Значение прямого напряжения на транзистореVsd1.3 В
Время обратного восстановления транзистораtrr69..104 нсек
Заряд для обратного восстановленияQrr143..215 нКл
Время необходимое для включения в прямом направленииtonСтремится к 0

Маркировка

Основные символы в названии транзистора IRF3205:

  • IR – аббревиатура производителя International Rectifier;
  • F – значит, что перед нами полевой транзистор.

Данная модель транзистора выпускается с начала 2000х годов. А в 2011 году появилась новая версия, в названии которой в конце начали добавлять символ «z». Стоит отметить, что новая версия может встречаться в трех разных корпусах.

МаркировкаВнешний видТип корпуса и предназначение
IRF3205ZTO-220AB
Классичекий корпус. Навесной монтаж или крепление к плате с помощью отверстия.
IRF3205ZSD2Pak
Для поверхностного монтажа на плату.
IRF3205ZLIRF3205ZLTO-262
Для монтажа и пайки к охладителю.

Кроме этого, часто, в конце названия добавляют символы PbF («plumbum free»), что означает «без свинца».

Модификации транзистора

ТипPdUdsUgsUgs(th)TjCdIdQgRdsКорпус
IRF3205 150 W 55 V 10 V 150 °C 98 A 146 nC 0.008 Ohm TO220AB
AUIRF3205 150 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 98 A 146 nC 0.008 Ohm TO220AB
AUIRF3205Z 170 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 110 A 76 nC 0.0065 Ohm TO220AB
AUIRF3205ZS 170 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 110 A 76 nC 0.0065 Ohm D2PAK
AUIRF3205ZSTRL 170 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 550 pf 75 A 76 nC 0.0065 Ohm D2PAK
IRF3205A 200 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 780 pf 110 A 146 nC 0.01 Ohm TO220AB
IRF3205H 200 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 780 pf 110 A 146 nC 0.01 Ohm TO263
IRF3205L 200 W 55 V 10 V 4 V 150 °C 110 A 97.3 nC 0.008 Ohm TO262
IRF3205LPBF 200 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 781 pf 110 A 146 nC 0.008 Ohm TO262
IRF3205PBF 200 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 781 pf 110 A 146 nC 0.008 Ohm TO220AB
IRF3205S 200 W 55 V 10 V 150 °C 110 A 97.3 nC 0.008 Ohm D2PAK
IRF3205SPBF 200 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 781 pf 110 A 146 nC 0.008 Ohm TO263
IRF3205STRLPBF 200 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 781 pf 110 A 146 nC 0.008 Ohm TO263
IRF3205Z 170 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 110 A 76 nC 0.0065 Ohm TO220AB
IRF3205ZL 170 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 110 A 76 nC 0.0065 Ohm TO262
IRF3205ZLPBF 170 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 550 pf 75 A 110 nC 0.0065 Ohm TO262
IRF3205ZPBF 170 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 550 pf 75 A 110 nC 0.0065 Ohm TO220AB
IRF3205ZS 170 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 110 A 76 nC 0.0065 Ohm D2PAK
IRF3205ZSPBF 170 W 55 V 20 V 4 V 175 °C 550 pf 75 A 110 nC 0.0065 Ohm TO263

Примечание: данные в таблице взяты из даташит компаний-производителей.

Аналоги

ТипId, АVdss, ВVGS(th), ВVGS, ВRDS(on), ОмTj °C
Оригинал
IRF3205110554200.008175
Зарубежные аналоги
BUK7508-5575554200.008175
BUZ111S80554200.008175
HRF3205100554200.008150
HUF75343P375554200.009150
2SK298545602.5200.0058150
STP80NE06-1080604200.01175
Отечественные аналоги
КП72350602-4200.028150
КП783A50602-4200.028150

Стоит отметить, что транзисторы IFR3205 имеют много аналогов, практически идентичных по характеристикам. При подборе аналога для рассматриваемой модели стоит обратить внимание на значение максимального тока на стоке.

Примечание: данные в таблице взяты из даташит компаний-производителей.

Основные графические характеристики

Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток

Рис 1. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 25 °C.

Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток

Рис 2. Зависимость предела протекающего тока стока от напряжения сток-исток, при импульсе длительностью 20 мкс и температуре 175 °C.

Передаточная характеристика

Рис 3. Передаточная характеристика полевого транзистора.

Зависимость сопротивления, при открытом канале, от температуры

Рис 4. Зависимость сопротивления, при открытом канале, от температуры.

Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы

Рис 5. Зависимость величины паразитных емкостей от напряжения питания схемы.

Зависимость падения напряжения от тока стока и температуры

Рис 6. Зависимость падения напряжения от тока стока и температуры.

Зона безопасной работы

Рис 7. Зона безопасной работы в открытом состоянии, в зависимости от длительности и значениях напряжения и тока на стоке.

Зависимость значения заряда затвора от напряжения на затвор-исток

Рис 8. Зависимость значения заряда затвора от напряжения на затвор-исток.

Зависимость значение тока на истоке от температуры транзистора

Рис 9. Зависимость значение тока на истоке от температуры транзистора.

Стоит отметить, что на предельной температуре есть высокая вероятность выхода из строя транзистора.

Временная характеристика

На рисунке далее приведена схема для проверки времени переключения транзистора IRF3205. Также приведен график времени переключения при ширине импульса менее 1 мкс и коэффициенте заполнения менее 0.1%.

Временная характеристика

radiosvod.ru
Добавить комментарий