Транзистор D882: характеристики, аналоги, цоколевка

Транзистор D882

D882 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиально-планарный усилительный транзистор общего назначения. Конструктивное исполнение — ТО126.

Основная информация представленна для модели KTD882. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Корпус, цоколевка и размеры

Транзистор D882

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных каскадах звуковых усилителей мощности, регуляторах напряжения, преобразователях постоянного напряжения в постоянное и в управляющих схемах реле.

Характерные особенности

  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 0,5 В при IC = 2 А, IB = 0,2 А.
  • Высокое значение статического коэффициента усиления по току: hFE = 60…400 при UCE = 2 В и IC = 1 А.
  • Превосходная линейность hFE при изменении коллекторной нагрузки.
  • Комплементарная пара: 2SB772 (KTB772).

Предельные эксплуатационные характеристики

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C, если не указано иное.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO30
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO5
Ток коллектора постоянный, АIC3
Ток коллектора импульсный, АICP ٭7
Ток базы постоянный, АIB0,6
Предельная рассеиваемая мощность, ВтTa = 25°CPC1,5
Tc = 25°CPC10
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

٭ — импульсный тест: длительность импульса ≤ 10 мс, скважность ≤ 50%.

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, ВU(BR)CBOIC = 100 мкА, IE = 0≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВU(BR)CEOIC = 1,0 мА, IB = 0≥ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, ВU(BR)EBOIE = 100 мкА, IC = 0≥ 5,0
Ток коллектора выключения, мкАICBO UCB = 30 В, IE = 0≤ 1,0
Ток эмиттера выключения, мкАIEBOUEB = 3,0 В, IC = 0≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 2,0 А, IB = 0,2 А≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 2,0 А, IB = 0,2 А≤ 2,0
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE (1) UCE = 2,0 В, IC = 0,02 А150
hFE (2) UCE = 2,0 В, IC = 1,0 А100…400
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГцfTIC = 0,1 А, UCE = 5,0 В90
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц45

٭ — импульсный тест: длительность импульса ≤ 350 мкс, скважность импульсов ≤ 2%.

Классификация по величине статического коэффициента усиления hFE

Группа по величине hFEOYGR
Диапазон величин hFE100…200160…320200…400
 

Модификации (версии) транзистора

ТипPCUCBUCEUEBICTJfTCobhFEUCE(sat)КорпусГруппы по величине hFE.
Маркировка.
2SD8821/10403053/7150804530…400≤ 0,5TO126/C,
TO251/252,
TO92/NL
Гр. R/Q/P/E
2SD882R/O/Y/GR1,25/-403063/-150≥ 50-30…400≤ 0,5TO126Гр. R/O/Y/GR
2SD882U-P1,25/3612010064/7150≥ 3-15…260≤ 0,8TO126-
BTD882D31/10505053/71509045100…820≤ 0,5TO126MLГр. R/S/T
BTD882ST31/10603063/715027016150…390≤ 0,5TO126-
BTD882T31/10403053/71509045150…560≤ 0,5TO126Гр. P/E
CSD8821/10403053/7150904530…400≤ 0,5TO126Гр. R/Q/P/E
D882P1,25/15403063/-150≥ 50-10…400≤ 0,8TO126D-
FTD8821,25/-403063/-15090-60…400≤ 0,5TO126Гр. R/O/Y/GR
HSD8821/10403053/7150904530…500≤ 0,5TO126MLГр. Q/P/E
KSD8821/10403053/7150904530…400≤ 0,5TO126Гр. R/O/Y/G
KTD8821,5/10403053/7150904530…400≤ 0,5TO126Гр. O/Y/GR
ST2SD882HT1/10603053/7150904530…400≤ 0,5TO126Гр. R/Q/P/E
ST2SD882T1/10403053/7150904530…400≤ 0,5TO126Гр. R/Q/P/E
ST2SD882U-P1,25/3612010063/7150≥ 3-15…260≤ 0,8TO126-
TSD882CK1/10603063/715027016150…390≤ 0,5TO126-
2SD882I (BR3DA882L)1/10403053/-150904530…400≤ 0,5TO251Гр. R/Q/P/E
BTD882I31/10403053/71509045150…560≤ 0,5TO251Гр. P/E
D882PC1,1/10403063/-150≥ 50-10…400≤ 0,8TO251-
2SD882D (BR3DA882D)1/10403053/-150904530…400≤ 0,5TO252Гр. R/Q/P/E
BTD882J31/10403053/71509013150…560≤ 0,5TO252Гр. P/E
D882M1,25/-403053/-15090-60…400≤ 0,5TO252-2LГр. R/O/Y/GR
FTD882D-/10403063/-15090-60…400≤ 0,5TO252Гр. R/O/Y/GR
GSTD8821,25/10403053/715090-30…400≤ 0,5TO252Гр. R/O/Y/GR
STD882D-/15401575/10150150≤ 50100…320≤ 0,4TO252-
WTD8821,25/10403053/715090-30…400≤ 0,5TO252Гр. R/O/Y/GR
2SD882B (B3DA882BR)2/25403053/-150904530…400≤ 0,5TO220Гр. R/Q/P/E
2SD882L1/10403053/7150804530…400≤ 0,5TO92LГр.Q/P/E
BTD882SA30,75/-605053/71509013150…560≤ 0,5TO92Гр.P/E
HD882S0,75/-403053/-1508055100…490≤ 0,5TO92Гр.P/E
HSD8820,75/-403063/71509045300…500≤ 0,5TO92Гр.Q/P/E
D882S0,625/-403063/7150≥ 50-60…400≤ 0,5TO92Гр. R/O/Y/GR
GSTS8820,625/-403063/-150≥ 50-60…400≤ 0,5TO92Гр. R/O/Y/GR
2SD882A0,5/-706063/-150≥ 50-30…400≤ 0,5SOT89Гр. R/Q/P/E
Марк. 882AR, 882AQ, 882AP, 882AE.
2SD882GP1,5/-403053/31501005530…500≤ 0,5SOT89Гр. Q/P/E
Марк. Q82, P82, E82.
2SD882S0,5/-403053/7150804530…400≤ 0,5SOT89, SOT223Гр. Q/P/E
2SD882T (BR3DA882T)0,50,5403053/-150904530…400≤ 0,5SOT89Гр. R/Q/P/E
Марк. H82R, H82Q, H82P, H82E.
BD882R/O/Y/GR0,5403063/-150≥ 50-60…400≤ 0,5SOT89Гр. R/O/Y/GR
Марк. D882
BTD882AM30,6805053/71509045100…820≤ 0,5SOT89Гр. R/S/T
Марк. CF
D882H0,5707063/-150≥ 50-60…400≤ 0,5SOT89Гр. R/O/Y/GR
Марк. D882H
DXTD8821,5/-403053/-150904530…500≤ 0,5SOT89Гр. Q/P/E
FTD882F0,5403063/-150≥ 50-30…400≤ 0,5SOT89Гр. R/O/Y/GR
GSTM8820,5403063/-15050-30…400≤ 0,5SOT89Гр. R/O/Y/GR
Марк. D882
KXC15020,5402051,5/-150≥100≤ 2040…320≤ 0,5SOT89Марк. D882
L2SD882Q/P0,5403063/-150≥ 50-30…320≤ 0,5SOT89Гр. Q/P/E
Марк. 82Q, 82P
ST23D882U1/10403053/7150904530…400≤ 0,5SOT89Гр. R/Q/P/E
TSD882S0,75/-605053/71509045100…500≤ 0,5SOT89, TO92-
ZX5T1500,5/-706063/-150≥ 50-30…300≤ 0,5SOT89Марк. D882
2SD882N (BR3DA882N)1/10403053/-150904530…400≤ 0,5SOT223Гр. R/Q/P/E
Марк. D882BN
2SD882ZGP1,5/-403053/31501005530…500≤ 0,5SOT223Гр. Q/P/E
Марк. Q82,
P82, E82.
D882SS0,35/10403053/7150804530…400≤ 0,5SOT23Гр. Q/P/E
Марк. D82 L/G

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, усилительные, линейные. Разработаны для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах, преобразователях напряжения.

Отечественное производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJfTCobhFEUCE(sat)Корпус
2SD8821/10403053/7150804530…400≤0,5TO126
2Т903А/Б30606043150≥ 12018015…180≤ 2,0КТЮ-3-20
2Т/КТ908А50140100510150≥ 50-8…60≤ 1,5КТЮ-3-20
КТ908Б5014060510150≥ 30-≥ 20≤ 1,0КТЮ-3-20
КТ921А/Б12,5656543,5150-5045≤ 1,8ТО-60
КТ925В/Г2536363,53,31504506080-КТ-17
КТ932А/Б/В2080/60/4080/60/404,52150≥ 40≤ 30040…120≤ 1,5ТО-3
КТ961А/Б/В/Г12,5160/80/60/40160/80/60/4051,5150≥ 50-20…500≤ 0,5ТО126
КТ972А/Б/В/Г860/45/60/6060/45/60/6052150≥ 200-≥ 750≤ 1,5ТО126

Зарубежное производство

ТипPC UCBUCBUEBIC/ICMTJfTCobhFEUCE(sat)КорпусМаркировка на корпусе
2SD8821/10403053/7150804530…400≤ 0,5TO126-
2SC43421,3/1215010083/5150--1000…20000≤ 1,5TO126-
2SC56941,2/10605067/1015033028150…300≤ 0,26TO126ML-
2SD15061,2/10605053/4,5150904056…390≤ 1,0TO126-
2SD16941,3/20606073/515025050500…3200≤ 0,4TO126-
2SD1899L2/10606073/-1501003525…400≤ 0,8TO126-
BTC1510T31/10150150510/15150--≥ 100≤ 3,0TO126-
BTD2150AD31/10505053/71509045100…820≤ 0,5TO126-
CSD1506P/Q/R1,2/10605053/4,5150904056…390≤ 1,0TO126-
KSD1693- /15806083/-150--4000-TO126-
2N5154-220M- /101008055/10200560≤ 25025…200≤ 1,5TO252
2N5154SM-/101008062/10200≥ 70≤ 25035…200≤ 1,5TO252
2SCR573D-/10505063/615032020180…450≤ 0,35TO252CR573
2SCR573DA08-/10505063/615032020180…450≤ 0,35TO252CR573
NSS1C301E-/12,514010063/-15012030120-TO2521C31E
NSS1C300ET4G-/12,514010063/61501006050…360≤ 0,4TO2521C30EG
STC503D-/10806553/615025015300…5000,4TO252STC503
2SD1899-Z1/10906073/-1501203050…400≤ 0,25TO251-
SZD2150A3-/1010060-6/-150210-120-TO251-
BTD2150A30,75/-805063/71509013150…820≤ 0,25TO92D2150
2DC46720,9/-605063/61501801745…270≤ 0,35SOT894672
2SCR533PFRA0,5/-505063/615032013180…450≤ 0,35SOT89NM
2SD2098Q/R/S0,5/-502065/1015015030120…390≤ 1,0SOT89-
FJC19630,5/-503063/-150--120…560≤ 0,45SOT89BB
PBSS4330X0,55/-503063/5150≥100≤ 30180…700≤ 0,3SOT89٭1R
PBSS4350X0,55/-505053/5150≥100≤ 25100…700≤ 0,37SOT89S43
ST2SC4541U0,5/-805063/-1501002040…400≤ 0,5SOT89-
ST2SD1760U1,0/-604553/4,5150904082…390≤ 1,0SOT89-
STC4350F0,5/-605063/61502101840…240≤ 0,35SOT89HW8
STC503F0,5/-806553/615025015300…500≤ 0,4SOT89C503
TSD2150A0,6/-805063/61509045150…400≤ 0,25SOT89-
WTM16240,5605063/615015025100…560≤ 0,5SOT89-

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE.

Характеристика снята при нескольких значениях тока базы (управления) IB.

Зависимость статического коэффициента усиления по току от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при коллекторном напряжении UCE = 2 В.

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики получены для соотношения токов IC/IB = 10.

Изменение граничной частоты усиления (частоты среза) при изменении нагрузки

Рис. 4. Изменение граничной частоты усиления (частоты среза) fT при изменении нагрузки IC.

При снятии характеристики напряжение коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Зависимость емкости коллекторного перехода транзистора от приложенного обратного напряжения коллектор-база

Рис. 5. Зависимость емкости коллекторного перехода транзистора Cob от приложенного обратного напряжения коллектор-база UCB.

Характеристика снята при частоте процесса f = 1 МГц и при отсутствии тока эмиттера IE = 0.

Снижение токовой нагрузки транзистора (в процентах) от максимальной при возрастании температуры среды

Рис. 6. Снижение токовой нагрузки транзистора (в процентах) от максимальной при возрастании температуры среды Ta.

S/b LIMITED – снижение по условию предотвращения вторичного пробоя.

DISSIPATION LIMITED – снижение по условию общего перегрева п/п структуры.

Снижение предельной мощности рассеивания при нарастании температуры среды

Рис. 7. Снижение предельной мощности рассеивания PC при нарастании температуры среды Ta.

Область безопасной работы транзистора

Рис. 6. Область безопасной работы транзистора.

Характеристика получена в режиме подачи одиночного неповторяющегося импульса тока IC MAX (PULSED) разных длительностей: 100 мкс, 1 мс, 10 мс; при постоянном токе IC MAX (CONTINUOUS) и при его снижении (DC OPERATION).

Температура корпуса транзистора во всех режимах ограничивалась на уровне Tc = 25°C.

При увеличении температуры следует линейно снижать значения ограничивающих токов и напряжений (надпись на поле рисунка).

radiosvod.ru
Добавить комментарий