Транзистор D882: характеристики, аналоги, цоколевка

D882 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиально-планарный усилительный транзистор общего назначения. Конструктивное исполнение — ТО126.

Основная информация представленна для модели KTD882. В разделе «модификации» имеются данные по характеристикам и для других версий транзистора.

Содержание

Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Характерные особенности
Предельные эксплуатационные характеристики
Электрические параметры
Классификация по величине статического коэффициента усиления hFE
Модификации (версии) транзистора
Аналоги
Отечественное производство
Зарубежное производство
Графические иллюстрации характеристик

Корпус, цоколевка и размеры

Предназначение

Транзистор разработан для применения в выходных каскадах звуковых усилителей мощности, регуляторах напряжения, преобразователях постоянного напряжения в постоянное и в управляющих схемах реле.

Характерные особенности

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE₍_sat₎≤ 0,5 В при I_C = 2 А, I_B = 0,2 А.
Высокое значение статического коэффициента усиления по току: h_FE = 60…400 при U_CE = 2 В и I_C = 1 А.
Превосходная линейность h_FE при изменении коллекторной нагрузки.
Комплементарная пара: 2SB772 (KTB772).

Предельные эксплуатационные характеристики

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C, если не указано иное.

Характеристика		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		U_CBO	40
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		U_CEO	30
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		U_EBO	5
Ток коллектора постоянный, А		I_C	3
Ток коллектора импульсный, А		I_CP٭	7
Ток базы постоянный, А		I_B	0,6
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	T_a = 25°C	P_C	1,5
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	T_c = 25°C	P_C	10
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		T_stg	-55…+150

٭ — импульсный тест: длительность импульса ≤ 10 мс, скважность ≤ 50%.

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U_(BR)CBO	I_C = 100 мкА, I_E = 0	≥ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U_(BR)CEO	I_C = 1,0 мА, I_B = 0	≥ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U_(BR)EBO	I_E = 100 мкА, I_C = 0	≥ 5,0
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 30 В, I_E = 0	≤ 1,0
Ток эмиттера выключения, мкА	I_EBO	U_EB= 3,0 В, I_C= 0	≤ 1,0
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)	I_C = 2,0 А, I_B = 0,2 А	≤ 0,5
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C = 2,0 А, I_B = 0,2 А	≤ 2,0
Статический коэффициент усиления по току ٭	h_FE(1)	U_CE = 2,0 В, I_C = 0,02 А	150
Статический коэффициент усиления по току ٭	h_FE(2)	U_CE = 2,0 В, I_C = 1,0 А	100…400
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	f_T	I_C = 0,1 А, U_CE = 5,0 В	90
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	C_ob	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц	45

٭ — импульсный тест: длительность импульса ≤ 350 мкс, скважность импульсов ≤ 2%.

Классификация по величине статического коэффициента усиления h_FE

Группа по величине h_FE	O	Y	GR
Диапазон величин h_FE	100…200	160…320	200…400

Модификации (версии) транзистора

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	U_CE(sat)	Корпус	Группы по величине h_FE. Маркировка.
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO126/C, TO251/252, TO92/NL	Гр. R/Q/P/E
2SD882R/O/Y/GR	1,25/-	40	30	6	3/-	150	≥ 50	-	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/O/Y/GR
2SD882U-P	1,25/36	120	100	6	4/7	150	≥ 3	-	15…260	≤ 0,8	TO126	-
BTD882D3	1/10	50	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	TO126ML	Гр. R/S/T
BTD882ST3	1/10	60	30	6	3/7	150	270	16	150…390	≤ 0,5	TO126	-
BTD882T3	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	150…560	≤ 0,5	TO126	Гр. P/E
CSD882	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/Q/P/E
D882P	1,25/15	40	30	6	3/-	150	≥ 50	-	10…400	≤ 0,8	TO126D	-
FTD882	1,25/-	40	30	6	3/-	150	90	-	60…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/O/Y/GR
HSD882	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…500	≤ 0,5	TO126ML	Гр. Q/P/E
KSD882	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/O/Y/G
KTD882	1,5/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. O/Y/GR
ST2SD882HT	1/10	60	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/Q/P/E
ST2SD882T	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO126	Гр. R/Q/P/E
ST2SD882U-P	1,25/36	120	100	6	3/7	150	≥ 3	-	15…260	≤ 0,8	TO126	-
TSD882CK	1/10	60	30	6	3/7	150	270	16	150…390	≤ 0,5	TO126	-
2SD882I (BR3DA882L)	1/10	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO251	Гр. R/Q/P/E
BTD882I3	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	150…560	≤ 0,5	TO251	Гр. P/E
D882PC	1,1/10	40	30	6	3/-	150	≥ 50	-	10…400	≤ 0,8	TO251	-
2SD882D (BR3DA882D)	1/10	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/Q/P/E
BTD882J3	1/10	40	30	5	3/7	150	90	13	150…560	≤ 0,5	TO252	Гр. P/E
D882M	1,25/-	40	30	5	3/-	150	90	-	60…400	≤ 0,5	TO252-2L	Гр. R/O/Y/GR
FTD882D	-/10	40	30	6	3/-	150	90	-	60…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/O/Y/GR
GSTD882	1,25/10	40	30	5	3/7	150	90	-	30…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/O/Y/GR
STD882D	-/15	40	15	7	5/10	150	150	≤ 50	100…320	≤ 0,4	TO252	-
WTD882	1,25/10	40	30	5	3/7	150	90	-	30…400	≤ 0,5	TO252	Гр. R/O/Y/GR
2SD882B (B3DA882BR)	2/25	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	TO220	Гр. R/Q/P/E
2SD882L	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO92L	Гр.Q/P/E
BTD882SA3	0,75/-	60	50	5	3/7	150	90	13	150…560	≤ 0,5	TO92	Гр.P/E
HD882S	0,75/-	40	30	5	3/-	150	80	55	100…490	≤ 0,5	TO92	Гр.P/E
HSD882	0,75/-	40	30	6	3/7	150	90	45	300…500	≤ 0,5	TO92	Гр.Q/P/E
D882S	0,625/-	40	30	6	3/7	150	≥ 50	-	60…400	≤ 0,5	TO92	Гр. R/O/Y/GR
GSTS882	0,625/-	40	30	6	3/-	150	≥ 50	-	60…400	≤ 0,5	TO92	Гр. R/O/Y/GR
2SD882A	0,5/-	70	60	6	3/-	150	≥ 50	-	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/Q/P/E Марк. 882AR, 882AQ, 882AP, 882AE.
2SD882GP	1,5/-	40	30	5	3/3	150	100	55	30…500	≤ 0,5	SOT89	Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82.
2SD882S	0,5/-	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	SOT89, SOT223	Гр. Q/P/E
2SD882T (BR3DA882T)0,5	0,5	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/Q/P/E Марк. H82R, H82Q, H82P, H82E.
BD882R/O/Y/GR	0,5	40	30	6	3/-	150	≥ 50	-	60…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR Марк. D882
BTD882AM3	0,6	80	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/S/T Марк. CF
D882H	0,5	70	70	6	3/-	150	≥ 50	-	60…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR Марк. D882H
DXTD882	1,5/-	40	30	5	3/-	150	90	45	30…500	≤ 0,5	SOT89	Гр. Q/P/E
FTD882F	0,5	40	30	6	3/-	150	≥ 50	-	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR
GSTM882	0,5	40	30	6	3/-	150	50	-	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/O/Y/GR Марк. D882
KXC1502	0,5	40	20	5	1,5/-	150	≥100	≤ 20	40…320	≤ 0,5	SOT89	Марк. D882
L2SD882Q/P	0,5	40	30	6	3/-	150	≥ 50	-	30…320	≤ 0,5	SOT89	Гр. Q/P/E Марк. 82Q, 82P
ST23D882U	1/10	40	30	5	3/7	150	90	45	30…400	≤ 0,5	SOT89	Гр. R/Q/P/E
TSD882S	0,75/-	60	50	5	3/7	150	90	45	100…500	≤ 0,5	SOT89, TO92	-
ZX5T150	0,5/-	70	60	6	3/-	150	≥ 50	-	30…300	≤ 0,5	SOT89	Марк. D882
2SD882N (BR3DA882N)	1/10	40	30	5	3/-	150	90	45	30…400	≤ 0,5	SOT223	Гр. R/Q/P/E Марк. D882BN
2SD882ZGP	1,5/-	40	30	5	3/3	150	100	55	30…500	≤ 0,5	SOT223	Гр. Q/P/E Марк. Q82, P82, E82.
D882SS	0,35/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	SOT23	Гр. Q/P/E Марк. D82 L/G

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, усилительные, линейные. Разработаны для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах, преобразователях напряжения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_EB	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	U_CE(sat)	Корпус
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤0,5	TO126
2Т903А/Б	30	60	60	4	3	150	≥ 120	180	15…180	≤ 2,0	КТЮ-3-20
2Т/КТ908А	50	140	100	5	10	150	≥ 50	-	8…60	≤ 1,5	КТЮ-3-20
КТ908Б	50	140	60	5	10	150	≥ 30	-	≥ 20	≤ 1,0	КТЮ-3-20
КТ921А/Б	12,5	65	65	4	3,5	150	-	50	45	≤ 1,8	ТО-60
КТ925В/Г	25	36	36	3,5	3,3	150	450	60	80	-	КТ-17
КТ932А/Б/В	20	80/60/40	80/60/40	4,5	2	150	≥ 40	≤ 300	40…120	≤ 1,5	ТО-3
КТ961А/Б/В/Г	12,5	160/80/60/40	160/80/60/40	5	1,5	150	≥ 50	-	20…500	≤ 0,5	ТО126
КТ972А/Б/В/Г	8	60/45/60/60	60/45/60/60	5	2	150	≥ 200	-	≥ 750	≤ 1,5	ТО126

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CB	U_EB	I_C/I_CM	T_J	f_T	C_ob	h_FE	U_CE(sat)	Корпус	Маркировка на корпусе
2SD882	1/10	40	30	5	3/7	150	80	45	30…400	≤ 0,5	TO126	-
2SC4342	1,3/12	150	100	8	3/5	150	-	-	1000…20000	≤ 1,5	TO126	-
2SC5694	1,2/10	60	50	6	7/10	150	330	28	150…300	≤ 0,26	TO126ML	-
2SD1506	1,2/10	60	50	5	3/4,5	150	90	40	56…390	≤ 1,0	TO126	-
2SD1694	1,3/20	60	60	7	3/5	150	250	50	500…3200	≤ 0,4	TO126	-
2SD1899L	2/10	60	60	7	3/-	150	100	35	25…400	≤ 0,8	TO126	-
BTC1510T3	1/10	150	150	5	10/15	150	-	-	≥ 100	≤ 3,0	TO126	-
BTD2150AD3	1/10	50	50	5	3/7	150	90	45	100…820	≤ 0,5	TO126	-
CSD1506P/Q/R	1,2/10	60	50	5	3/4,5	150	90	40	56…390	≤ 1,0	TO126	-
KSD1693	- /15	80	60	8	3/-	150	-	-	4000	-	TO126	-
2N5154-220M	- /10	100	80	5	5/10	200	560	≤ 250	25…200	≤ 1,5	TO252
2N5154SM	-/10	100	80	6	2/10	200	≥ 70	≤ 250	35…200	≤ 1,5	TO252
2SCR573D	-/10	50	50	6	3/6	150	320	20	180…450	≤ 0,35	TO252	CR573
2SCR573DA08	-/10	50	50	6	3/6	150	320	20	180…450	≤ 0,35	TO252	CR573
NSS1C301E	-/12,5	140	100	6	3/-	150	120	30	120	-	TO252	1C31E
NSS1C300ET4G	-/12,5	140	100	6	3/6	150	100	60	50…360	≤ 0,4	TO252	1C30EG
STC503D	-/10	80	65	5	3/6	150	250	15	300…500	0,4	TO252	STC503
2SD1899-Z	1/10	90	60	7	3/-	150	120	30	50…400	≤ 0,25	TO251	-
SZD2150A3	-/10	100	60	-	6/-	150	210	-	120	-	TO251	-
BTD2150A3	0,75/-	80	50	6	3/7	150	90	13	150…820	≤ 0,25	TO92	D2150
2DC4672	0,9/-	60	50	6	3/6	150	180	17	45…270	≤ 0,35	SOT89	4672
2SCR533PFRA	0,5/-	50	50	6	3/6	150	320	13	180…450	≤ 0,35	SOT89	NM
2SD2098Q/R/S	0,5/-	50	20	6	5/10	150	150	30	120…390	≤ 1,0	SOT89	-
FJC1963	0,5/-	50	30	6	3/-	150	-	-	120…560	≤ 0,45	SOT89	BB
PBSS4330X	0,55/-	50	30	6	3/5	150	≥100	≤ 30	180…700	≤ 0,3	SOT89	٭1R
PBSS4350X	0,55/-	50	50	5	3/5	150	≥100	≤ 25	100…700	≤ 0,37	SOT89	S43
ST2SC4541U	0,5/-	80	50	6	3/-	150	100	20	40…400	≤ 0,5	SOT89	-
ST2SD1760U	1,0/-	60	45	5	3/4,5	150	90	40	82…390	≤ 1,0	SOT89	-
STC4350F	0,5/-	60	50	6	3/6	150	210	18	40…240	≤ 0,35	SOT89	HW8
STC503F	0,5/-	80	65	5	3/6	150	250	15	300…500	≤ 0,4	SOT89	C503
TSD2150A	0,6/-	80	50	6	3/6	150	90	45	150…400	≤ 0,25	SOT89	-
WTM1624	0,5	60	50	6	3/6	150	150	25	100…560	≤ 0,5	SOT89	-

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером: зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE.

Характеристика снята при нескольких значениях тока базы (управления) I_B.

Зависимость статического коэффициента усиления по току от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при коллекторном напряжении U_CE = 2 В.

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE₍_sat₎и база-эмиттер U_BE₍_sat₎транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики получены для соотношения токов I_C/I_B = 10.

Изменение граничной частоты усиления (частоты среза) при изменении нагрузки

Рис. 4. Изменение граничной частоты усиления (частоты среза) f_T при изменении нагрузки I_C.

При снятии характеристики напряжение коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Зависимость емкости коллекторного перехода транзистора от приложенного обратного напряжения коллектор-база

Рис. 5. Зависимость емкости коллекторного перехода транзистора C_ob от приложенного обратного напряжения коллектор-база U_CB.

Характеристика снята при частоте процесса f = 1 МГц и при отсутствии тока эмиттера I_E = 0.

Рис. 6. Снижение токовой нагрузки транзистора (в процентах) от максимальной при возрастании температуры среды T_a.

S/b LIMITED – снижение по условию предотвращения вторичного пробоя.

DISSIPATION LIMITED – снижение по условию общего перегрева п/п структуры.

Рис. 7. Снижение предельной мощности рассеивания P_C при нарастании температуры среды T_a.

Рис. 6. Область безопасной работы транзистора.

Характеристика получена в режиме подачи одиночного неповторяющегося импульса тока I_C MAX (PULSED) разных длительностей: 100 мкс, 1 мс, 10 мс; при постоянном токе I_C MAX (CONTINUOUS) и при его снижении (DC OPERATION).

Температура корпуса транзистора во всех режимах ограничивалась на уровне T_c = 25°C.

При увеличении температуры следует линейно снижать значения ограничивающих токов и напряжений (надпись на поле рисунка).