Транзистор D2499: характеристики, распиновка, аналоги

Транзистор D2499

D2499 — кремниевый транзистор со структурой NPN, мезапланарный, высоковольтный, высокоскоростной, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение – TO-3PHIS.

Предназначение

Транзистор разработан для применения в системах горизонтальной развертки цветных телеприемников и других импульсных высокоскоростных переключающих устройствах.

Корпус, распиновка и размеры

Транзистор D2499

D2499 размеры

Характерные особенности

  • Высокое пробивное напряжение: UCBO = 1500 В.
  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 5 В (max).
  • Высокая скорость переключения: tf = 0,3 мкс (типовое).
  • Встроенный демпфирующий диод и резистор 40 Ом (типовое).
  • Металлическая пластина коллектора полностью покрыта формовочной смолой.
  • Минимальные отличия по параметрам транзисторов от партии к партии при поставке.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO1500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO600
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO5
Ток коллектора постоянный, АIC6
Ток коллектора импульсный, АICP 12
Ток базы постоянный, АIB3
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), ВтPC50
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Пробивное напряжение эмиттер-база, ВU(BR)EBO IC = 400 мА, IB = 0˃ 5,0
Ток коллектора выключения, мАICBOUCB = 1500 В, IE = 0˂ 1,0
Ток эмиттера выключения, мА IEBOUEB = 5,0 В, IC = 0˂ 200,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)1 IC = 4,0 А, IB = 0,8 А˂ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 4,0 А, IB = 0,8 А˂ 1,3
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А8…25
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А5…9
Частотная полоса передачи (частота среза), МГцfTUCE = 10 В, IC = 0,1 А2
Выходная емкость коллекторного перехода, пФCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц95
Время переключения, мксВремя сохраненияtsICP = 4 А, IB1 = 0,8 А, fH = 15,75 кГц˂ 11
Время спаданияtfСм. схему измерений на Рис. 1.˂ 0,6
Падение напряжения на демпфирующем диоде, ВUFIF = 6 А˂ 2,0

Примечание: данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс = 25°C.

Схема измерения временных параметров

Рис. 1. Схема измерения временных параметров ts и tf.

Схема измерения временных параметров

На рисунке:

  • INPUT – вход.
  • UDD – напряжение смещения сигнала базы испытываемого транзистора (T.U.T).
  • UCC – напряжение питания.

Диаграммы входного тока (базы) IB и выходного тока (коллектора) ICP испытываемого транзистора:

Диаграммы входного тока

Модификации (версии) транзистора

ТипPC UCBUCEUBEIC/ICPTJUCE (sat)UBE (sat)fTCobhFEВременные параметры: ton / tstg / tf мксКорпус
2SD249950150060056/12150˂ 5˂ 1,32955…25- / 11,0 / 0,6TO-3PHIS
3DD249950150060056/12150˂ 5˂ 1,3˃ 1-10…40- / - / 1,0TO-3PHIS

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

ТипPC UCBUCEUBEIC/ICPTJUCE (sat)UBE (sat)fTCobhFEВременные параметры: ton / tstg / tf мксКорпус
2SD249950150060056150˂ 5˂ 1,32955…25- / 11,0 / 0,6TO-3PHIS
КТ839А501500-510150˂ 1,5-5240˃ 5-TO-3
КТ872А100150070068150˂ 1,0---6- / 7,5 / 1,0TO-218
КТ872А134120070068150˂ 1,5---6- / 7,5 / 1,0TO-218
КТ8107А1001500700610125˂ 3,0---2,3- / 3,5 / 0,5TO-3
КТ710А50-300055-˂ 3,5-˃ 1,5-˃ 3,5-TO-3
2Т856А125950950510-˂ 1,5---10…60- / - / 0,5TO-3
КТ811850900800-3---˃ 15-10…40-TO-220

Зарубежное производство

ТипPC UCBUCEUBEIC/ICPTJUCE (sat)UBE (sat)fTCobhFEВременные параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус
2SD249950150060056150˂ 5˂ 1,32955…25- / 11,0 / 0,6TO-3PHIS
2SD249850150060056150˂ 5˂ 1,22955…30- / 10 / 0,7TO-3PHIS
2SD2500501500600510150˂ 3˂ 1,41,713510- / 11 / 0,7TO-3PHIS
2SD570260150080066150˂ 5˂ 1,53-10- / - / 0,4TO-3PHIS
2SC5048501500600512150˂ 3˂ 1,41,716010- / 4 / 0,3TO-3PHIS
2SC5129501500600510150˂ 3˂ 1,41,713510- / 4 / 0,3TO-3PHIS
2SC5150501700700510150˂ 3˂ 1,2218510- / 4 / 0,3TO-3PHIS
2SC528050150060058150˂ 5˂ 1,5211510- / 5 / 0,5TO-3PHIS
2SC533950150060057150˂ 5˂ 1,32,48210- / 8 / 0,5TO-3PHIS
2SC53865015060058150˂ 3˂ 1,51,710515- / 3,5 / 0,3TO-3PHIS
2SC540450150060059150˂ 3˂ 1,52,511510- / 3,5 / 0,3TO-3PHIS
2SC5802601500800610150˂ 3˂ 1,5--15- / - / 0,3TO-3PHIS
BU4508DZ321500800-8150˂ 3˂ 1,03--7- / 3,75 / 0,4SOT186A
BU508DXI451500700-8150˂ 1˂ 1,37125˂ 30- / 6,5 / 0,7ISO218
BUH515DX150150070058150˂ 1,5˂ 1,3--3…10- / 3,6 / 0,26ISO218
BUH515FP381500700108150˂ 1,5˂ 1,3--4…12- / 3,9 / 0,28TO-220FP

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Внешние характеристики

Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).

Температура корпуса Tc = 25°C.

Зависимость статического коэффициента усиления от величины коллекторной нагрузки

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC при различных температурах корпуса Tc и значении напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).

Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от величины тока управления

Рис. 4. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер UCE от величины тока управления (базы) IB при нескольких значениях коллекторного тока IC.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).

Температура корпуса Tc = 25°C.

Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от величины тока управления

Рис. 5. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер UCE от величины тока управления (базы) IB при нескольких значениях коллекторного тока IC.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”). Температура корпуса Tc = 100°C.

Передаточная характеристика

Рис. 6. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока нагрузки IC от величины входного напряжения UBE.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при трех различных температурах корпуса Tc и при напряжении на коллекторе UCE = 5 В.

Кривая ограничения рассеиваемой мощности транзистора

Рис. 7. Кривая ограничения рассеиваемой мощности транзистора PC при увеличении температуры корпуса Tc.

Теплоемкость охладителя предполагается бесконечно большой (пояснение на поле рисунка — INFINITE YEAT SINK).

Зависимость изменения переходного теплового сопротивления

Рис. 8. Зависимость изменения переходного теплового сопротивления rth(jc) (коллектор-корпус) от длительности tw одиночного неповторяющегося импульса тока.

Температура корпуса транзистора Tc = 25°C, то есть транзистор снабжен охладителем с бесконечно большой теплоемкостью.

Зависимость должна учитываться при всех тепловых ограничениях.

Область безопасной работы

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора.

Ограничения нагрузок:

  • IC max (PULSED)٭ — импульсные токи коллектора, одиночные неповторяющиеся импульсы различной длительности (10 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс). Длительности также помечены символом «٭».
  • IC max (CONTINUOUS) – постоянный ток нагрузки при Tc = 25°C (пояснение на поле рисунка DC OPERATION).
  • UCEO max – предельное напряжение коллектор-эмиттер.

Ординаты всех кривых должны линейно уменьшаться с увеличением температуры.

radiosvod.ru
Добавить комментарий