D2499 — кремниевый транзистор со структурой NPN, мезапланарный, высоковольтный, высокоскоростной, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение – TO-3PHIS.
Предназначение
Транзистор разработан для применения в системах горизонтальной развертки цветных телеприемников и других импульсных высокоскоростных переключающих устройствах.
Корпус, распиновка и размеры
Характерные особенности
- Высокое пробивное напряжение: UCBO = 1500 В.
- Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) = 5 В (max).
- Высокая скорость переключения: tf = 0,3 мкс (типовое).
- Встроенный демпфирующий диод и резистор 40 Ом (типовое).
- Металлическая пластина коллектора полностью покрыта формовочной смолой.
- Минимальные отличия по параметрам транзисторов от партии к партии при поставке.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 1500 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 600 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 5 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 6 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICP | 12 |
| Ток базы постоянный, А | IB | 3 |
| Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт | PC | 50 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение эмиттер-база, В | IC = 400 мА, IB = 0 | ˃ 5,0 | ||
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | UCB = 1500 В, IE = 0 | ˂ 1,0 | |
| Ток эмиттера выключения, мА | IEBO | UEB = 5,0 В, IC = 0 | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat)1 | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 5,0 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 1,3 | |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А | ||
| hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А | 5…9 | ||
| Частотная полоса передачи (частота среза), МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,1 А | 2 | |
| Выходная емкость коллекторного перехода, пФ | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 95 | |
| Время | Время сохранения | ts | ˂ 11 | |
| Время спадания | tf | См. схему измерений на Рис. 1. | ˂ 0,6 | |
| Падение напряжения на демпфирующем диоде, В | UF | IF = 6 А | ˂ 2,0 | |
Примечание: данные в таблице действительны при температуре корпуса Tс = 25°C.
Схема измерения временных параметров
Рис. 1. Схема измерения временных параметров ts и tf.
На рисунке:
- INPUT – вход.
- UDD – напряжение смещения сигнала базы испытываемого транзистора (T.U.T).
- UCC – напряжение питания.
Диаграммы входного тока (базы) IB и выходного тока (коллектора) ICP испытываемого транзистора:
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 150 | 2 | 95 | 5…25 | |||||
| 3DD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6/12 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | - | - / - / 1,0 | TO-3PHIS |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | 2 | 95 | 5…25 | ||||
| КТ839А | 50 | 1500 | - | 5 | 10 | 150 | ˂ 1,5 | - | 5 | 240 | ˃ 5 | - | TO-3 |
| КТ872А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 8 | 150 | ˂ 1,0 | - | - | - | 6 | - / 7,5 / 1,0 | TO-218 |
| КТ872А1 | 34 | 1200 | 700 | 6 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | - | - | - | 6 | - / 7,5 / 1,0 | TO-218 |
| КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 10 | 125 | ˂ 3,0 | - | - | - | 2,3 | - / 3,5 / 0,5 | TO-3 |
| КТ710А | 50 | - | 3000 | 5 | 5 | - | - | - | ˃ 3,5 | - | TO-3 | ||
| 2Т856А | 125 | 950 | 950 | 5 | 10 | - | ˂ 1,5 | - | - | - | 10…60 | - / - / 0,5 | TO-3 |
| КТ8118 | 50 | 900 | 800 | - | 3 | - | - | - | ˃ 15 | - | - | TO-220 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD2499 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2 | 95 | |||
| 2SD2498 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,2 | 2 | 95 | 5…30 | - / 10 / 0,7 | TO-3PHIS |
| 2SD2500 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 135 | 10 | - / 11 / 0,7 | TO-3PHIS |
| 2SD5702 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 6 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,5 | 3 | - | 10 | - / - / 0,4 | TO-3PHIS |
| 2SC5048 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 12 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 160 | 10 | - / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5129 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,4 | 1,7 | 135 | 10 | - / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5150 | 50 | 1700 | 700 | 5 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,2 | 2 | 185 | 10 | - / 4 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5280 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 8 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,5 | 2 | 115 | 10 | - / 5 / 0,5 | TO-3PHIS |
| 2SC5339 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 7 | 150 | ˂ 5 | ˂ 1,3 | 2,4 | 82 | 10 | - / 8 / 0,5 | TO-3PHIS |
| 2SC5386 | 50 | 150 | 600 | 5 | 8 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | 1,7 | 105 | 15 | - / 3,5 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5404 | 50 | 1500 | 600 | 5 | 9 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | 2,5 | 115 | 10 | - / 3,5 / 0,3 | TO-3PHIS |
| 2SC5802 | 60 | 1500 | 800 | 6 | 10 | 150 | ˂ 3 | ˂ 1,5 | - | - | 15 | - / - / 0,3 | TO-3PHIS |
| BU4508DZ | 32 | 1500 | 800 | - | 8 | 150 | ˂ 3 | - | - | 7 | - / 3,75 / 0,4 | SOT186A | |
| BU508DXI | 45 | 1500 | 700 | - | 8 | 150 | ˂ 1 | ˂ 1,3 | 7 | 125 | ˂ 30 | - / 6,5 / 0,7 | ISO218 |
| BUH515DX1 | 50 | 1500 | 700 | 5 | 8 | 150 | ˂ 1,5 | ˂ 1,3 | - | - | 3…10 | - / 3,6 / 0,26 | ISO218 |
| BUH515FP | 38 | 1500 | 700 | 10 | 8 | 150 | ˂ 1,3 | - | - | 4…12 | - / 3,9 / 0,28 | TO-220FP |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).
Температура корпуса Tc = 25°C.
Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC при различных температурах корпуса Tc и значении напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).
Рис. 4. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер UCE от величины тока управления (базы) IB при нескольких значениях коллекторного тока IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).
Температура корпуса Tc = 25°C.
Рис. 5. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер UCE от величины тока управления (базы) IB при нескольких значениях коллекторного тока IC.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”). Температура корпуса Tc = 100°C.
Рис. 6. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока нагрузки IC от величины входного напряжения UBE.
Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при трех различных температурах корпуса Tc и при напряжении на коллекторе UCE = 5 В.
Рис. 7. Кривая ограничения рассеиваемой мощности транзистора PC при увеличении температуры корпуса Tc.
Теплоемкость охладителя предполагается бесконечно большой (пояснение на поле рисунка — INFINITE YEAT SINK).
Рис. 8. Зависимость изменения переходного теплового сопротивления rth(j—c) (коллектор-корпус) от длительности tw одиночного неповторяющегося импульса тока.
Температура корпуса транзистора Tc = 25°C, то есть транзистор снабжен охладителем с бесконечно большой теплоемкостью.
Зависимость должна учитываться при всех тепловых ограничениях.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора.
Ограничения нагрузок:
- IC max (PULSED)٭ — импульсные токи коллектора, одиночные неповторяющиеся импульсы различной длительности (10 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс). Длительности также помечены символом «٭».
- IC max (CONTINUOUS) – постоянный ток нагрузки при Tc = 25°C (пояснение на поле рисунка DC OPERATION).
- UCEO max – предельное напряжение коллектор-эмиттер.
Ординаты всех кривых должны линейно уменьшаться с увеличением температуры.
