D209L транзистор: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Транзистор D209L

  • Кремниевый;
  • Биполярный силовой;
  • Структура NPN;
  • Высокая скорость переключения;
  • Устойчивость к высокому напряжению;
  • Широкой диапазон безопасной работы в обратносмещенном режиме;
  • Корпус ТО-3Р.

Цоколевка и размеры

Транзистор D209L

Общее описание

Транзистор используется в высоковольтных устройствах, высокоскоростных переключающих схемах, например, в системах освещения и источниках напряжения со ступенчатым режимом работы.

Таблица предельно допустимых значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

ОбозначениеПараметрРежим изм.ВеличинаЕд.изм.
VCESНапряжение коллектор-эмиттерVBE = 0700V
VCEOНапряжение коллектор-эмиттерIB = 0400V
VEBOНапряжение эмиттер-базаIC = 09V
ICТок коллектораA
ICPИмпульсный ток коллектора25 AA
IBТок базы6.0 AA
IBMПиковый ток базыtP = 5ms12A
PCМощность рассеяния при Tc* = 25℃130W
Мощность рассеяния при Ta**= 25℃2,3
TJРабочая температура перехода-40…+150
TSTGТемпература хранения-40…+150

*Tc: Температура корпуса при хорошем охлаждении

**Ta: Температура воздуха, транзистор без теплоотвода

Таблица тепловых характеристик

ОбозначениеПараметрВеличинаЕд.изм.
RθJcТепловое сопротивление переход-корпус0.96℃/W
RθJAТепловое сопротивление переход-воздух40℃/W

Таблица электрических характеристик при температуре корпуса 25℃

Обозна-чениеПараметрУсловия изм.ВеличинаЕд. изм.
VCEO(sus)Пробивное напряжение коллектор-эмиттерIc=10mA,Ib=0400V
VCE(sat)Напряжение насыщения коллектор-эмиттерIc=5.0A,Ib=1.0A0,5V
Ic=8.0A,Ib=1.6A1
Ic=12A,Ib=3.0A1,5
Ic=8.0A,Ib=1.6A
Tc=100℃
2V
VBE(sat)Напряжение насыщения база-эмиттерIc=5.0A,Ib=1.0A1,2V
Ic=8.0A,Ib=1.6A1,6
Ic=8.0A,Ib=1.6A
Tc=100℃
1,5V
ICBOТок отсечки коллектор-база (Vbe=-1.5V)Vcb=700V
1
mA
Vcb=700V, Tc=100℃5
hFEКоэффициент усиления по постоянному токуVce=5V,IС=5A1040
Vce=5V, IС=8A640
Активная нагрузка
tsПродолжительностьVCC=125V , Ic=6.0A1,53
IB1=1.6A , IB2=-1.6A
tfВремя спадаTp=25㎲0,160,4
Индуктивная нагрузка
tsПродолжительностьVCC=15V, Ic=5A0,62
IB1=1.6A , Vbe(off)=5V
tfВремя спадаL=0.35mH, Vclamp=300V0,040,1
Индуктивная нагрузка
tsПродолжительностьVCC=15V, Ic=1A
IB1=0.4A , Vbe(off)=5V
0,82,5
tfВремя спадаL=0.2mH, Vclamp=300V
Tc=100℃
0,050,15

Параметры импульсного режима: длительность 300㎲, скважность 2%.

Импортные и отечественные аналоги

АналогVCEOICPChFEfTКорпус
D209L4001213065ТО3Р
Отечественное производство
КТ872700810065КТ43
Импорт
2SC33064001010010ТО3Р
3DD13012_AN40015120155TO3P
FJA13009400121308TO3P
2SC2625400108010ТО3Р
13007400985205ТО220
2SC424240074010ТО220
2SC255340054012ТО220
2SC303940075030ТО220

Размеры корпусов аналогов транзистора D209L

Размеры корпусов аналогов транзистора D209L

Примечание: параметры транзисторов в таблице взяты из даташип производителя.

Графические данные

Зависимость коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления по постоянному току (hFE) от тока коллектора (IC).

 

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) от тока коллектора (IC).

 

Области безопасной работы

Рис. 3. Области безопасной работы: ось X – напряжение коллектор-эмиттер (VCE), ось Y – ток коллектора (IC).

 

Зависимость относительного снижения мощности рассеяния от температуры корпуса

 

Рис. 4. Зависимость относительного снижения мощности рассеяния от температуры корпуса (TC).

 

Области безопасной работы в обратносмещенном режиме

Рис. 5. Области безопасной работы в обратносмещенном режиме: ось X – напряжение коллектор-эмиттер (VCE), ось Y – ток коллектора (IC).

 

Схема включения транзистора под активной нагрузкой для проведения замеров

Рис. 6. Схема включения транзистора под активной нагрузкой для проведения замеров.

 

Схема включения транзистора для проведения замеров под индуктивной нагрузкой и в обратносмещенном режиме

Рис. 7. Схема включения транзистора для проведения замеров под индуктивной нагрузкой и в обратносмещенном режиме.

radiosvod.ru
Добавить комментарий