Транзистор D209L

• Кремниевый;
• Биполярный силовой;
• Структура NPN;
• Высокая скорость переключения;
• Устойчивость к высокому напряжению;
• Широкой диапазон безопасной работы в обратносмещенном режиме;
• Корпус ТО-3Р.

Цоколевка и размеры

Общее описание

Транзистор используется в высоковольтных устройствах, высокоскоростных переключающих схемах, например, в системах освещения и источниках напряжения со ступенчатым режимом работы.

Таблица предельно допустимых значений

Работа транзистора с превышением значений, указанных в таблице, может его повредить или нарушить функционирование: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора. Не рекомендуется допускать режимы с такими нагрузками. Кроме того, длительная работа с превышением предельных значений может повлиять на надежность радиокомпонента в будущем.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	Режим изм.	Величина	Ед.изм.
VCES	Напряжение коллектор-эмиттер	VBE = 0	700	V
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер	IB = 0	400	V
VEBO	Напряжение эмиттер-база	IC = 0	9	V
IC	Ток коллектора			A
ICP	Импульсный ток коллектора		25 A	A
IB	Ток базы		6.0 A	A
IBM	Пиковый ток базы	tP = 5ms	12	A
PC	Мощность рассеяния при Tc* = 25℃		130	W
	Мощность рассеяния при Ta**= 25℃		2,3
TJ	Рабочая температура перехода		-40…+150	℃
TSTG	Температура хранения		-40…+150	℃

*Tc: Температура корпуса при хорошем охлаждении

**Ta: Температура воздуха, транзистор без теплоотвода

Таблица тепловых характеристик

Обозначение	Параметр	Величина	Ед.изм.
RθJc	Тепловое сопротивление переход-корпус	0.96	℃/W
RθJA	Тепловое сопротивление переход-воздух	40	℃/W

Таблица электрических характеристик при температуре корпуса 25℃

Обозна-чение	Параметр	Условия изм.	Величина			Ед. изм.
VCEO(sus)	Пробивное напряжение коллектор-эмиттер	Ic=10mA,Ib=0	400			V
VCE(sat)	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Ic=5.0A,Ib=1.0A			0,5	V
		Ic=8.0A,Ib=1.6A			1
		Ic=12A,Ib=3.0A			1,5
		Ic=8.0A,Ib=1.6A Tc=100℃			2	V
VBE(sat)	Напряжение насыщения база-эмиттер	Ic=5.0A,Ib=1.0A			1,2	V
		Ic=8.0A,Ib=1.6A			1,6
		Ic=8.0A,Ib=1.6A Tc=100℃			1,5	V
ICBO	Ток отсечки коллектор-база (Vbe=-1.5V)	Vcb=700V			1	mA
		Vcb=700V, Tc=100℃			5
hFE	Коэффициент усиления по постоянному току	Vce=5V,IС=5A	10		40
		Vce=5V, IС=8A	6		40
Активная нагрузка
ts	Продолжительность	VCC=125V , Ic=6.0A		1,5	3	㎲
		IB1=1.6A , IB2=-1.6A
tf	Время спада	Tp=25㎲		0,16	0,4
Индуктивная нагрузка
ts	Продолжительность	VCC=15V, Ic=5A		0,6	2	㎲
		IB1=1.6A , Vbe(off)=5V
tf	Время спада	L=0.35mH, Vclamp=300V		0,04	0,1
Индуктивная нагрузка
ts	Продолжительность	VCC=15V, Ic=1A IB1=0.4A , Vbe(off)=5V		0,8	2,5	㎲
tf	Время спада	L=0.2mH, Vclamp=300V Tc=100℃		0,05	0,15

Параметры импульсного режима: длительность 300㎲, скважность 2%.

Импортные и отечественные аналоги

Аналог	VCEO	IC	PC	hFE	fT	Корпус
D209L	400	12	130	6	5	ТО3Р
Отечественное производство
КТ872	700	8	100	6	5	КТ43
Импорт
2SC3306	400	10	100	10		ТО3Р
3DD13012_AN	400	15	120	15	5	TO3P
FJA13009	400	12	130	8		TO3P
2SC2625	400	10	80	10		ТО3Р
13007	400	9	85	20	5	ТО220
2SC4242	400	7	40	10		ТО220
2SC2553	400	5	40	12		ТО220
2SC3039	400	7	50	30		ТО220

Размеры корпусов аналогов транзистора D209L

Примечание: параметры транзисторов в таблице взяты из даташип производителя.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления по постоянному току (h_FE) от тока коллектора (I_C).

 

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) от тока коллектора (I_C).

 

Рис. 3. Области безопасной работы: ось X – напряжение коллектор-эмиттер (V_CE), ось Y – ток коллектора (I_C).

 

 

Рис. 4. Зависимость относительного снижения мощности рассеяния от температуры корпуса (T_C).

 

Рис. 5. Области безопасной работы в обратносмещенном режиме: ось X – напряжение коллектор-эмиттер (V_CE), ось Y – ток коллектора (I_C).

 

Рис. 6. Схема включения транзистора под активной нагрузкой для проведения замеров.

 

Рис. 7. Схема включения транзистора для проведения замеров под индуктивной нагрузкой и в обратносмещенном режиме.