D2058 — низкочастотный транзистор биполярного типа с NPN структурой. Конструктивное исполнение: TO-220F. Существуют маркировки в виде: 2SD2058, KTD2058. В целом, все эти модели практически одинаковые, при этом имеются небольшие различия в отдельных характеристиках, согласно даташитам.
Корпус, цоколевка
Применение
D2058 — транзистор общего применения. Одно из самых распространенных применений — сборка усилителей низкой частоты. Транзистор имеет комплементарную пару, что позволяет собирать на их основе двухканальные усилители.
Особенности
- Наличие комплементарной пары;
- Невысокое значение напряжения насыщения коллектора;
- Невысокое значение рассеивающейся мощности.
Предельные эксплуатационные характеристики
Характеристика | Обозначение | Величина |
---|---|---|
Пробивное напряжение коллектор-база | UCBO | 60 В |
Граничное напряжение транзистора | UCEO | 60 В |
Пробивное напряжение эмиттер-база | UEBO | 7 В |
Максимальный ток коллектора | IC | 3 A |
Максимальный ток базы | IB | 0.5 А |
Рассеиваемая мощность | PC | Не более 25 Вт |
Максимальная температура при переходе | TJ | +150 °C |
Максимальная температура при хранении | Tstg |
Электрические параметры
Значение, которые приводятся в таблице, были получены при температуре в 25 °C. Условия тестирования для обеих моделей транзисторов были идентичны. Для удобства те характеристики, которые отличаются, были выделены.
Характеристика | Обозначение | 2SD2058 (D2058) | KTD2058 |
---|---|---|---|
Пробивное напряжение коллектор база | U(BR)CBO | 60 В | 60 В |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | UCE(sat) | 1.5 В | 1 В |
Напряжение на переходе база-эмиттер | UBE | 3 В | 1 В |
Обратный ток коллектора | ICBO | 10 мкА | 1 мкА |
Обратный ток эмиттера | IEBO | 1 мА | 1 мкА |
Статический коэффициент усиления по току | hFE | 60..300 | 60..300 |
Граничная частота коэффициента передачи тока | fT | 3 МГц | 3 МГц |
Выходная емкость | COB | 35 пФ | 35 пФ |
Время переключения транзисторов
Характеристика | Обозначение | Значение |
---|---|---|
Время необходимое для открытия транзистора | ton | 0.65 мкс |
Время задержки для накопленного заряда на транзисторе | tstg | 1.3 мкс |
Время необходимое для закрытия транзистора | tf | 0.65 мкс |
Классификация по величине hFE
На корпусе диода, кроме маркировки названия, располагается одна из следующих букв, которая обозначает класс усиления:
- Класс О – коэффициент передачи находится в диапазоне от 60 до 120;
- Класс Y– коэффициент передачи находится в диапазоне от 100 до 200;
- Класс G – коэффициент передачи находится в диапазоне от 150 до 300;
Комплементарная пара
Для транзистора 2SD2058 (D2058) в роли комплементарной пары выстпуает PNP транзистор 2SB1366.
Для транзистора KTD2058 (D2058) в роли комплементарной пары выстпуает PNP транзистор KTB1366.
Аналоги
Так как параметры транзисторов KTD2058 и D2058 практически идентичны, в таблице приведены аналоги для обоих компонентов.
Тип | Uce | Ucb | Ueb | Ic | Pc | hfe | ft |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Оригинал | |||||||
60 В | 60 В | 7 В | 3 А | 25 Вт | 3 МГц | ||
Зарубежные аналоги | |||||||
2SB747 | 80 В | 80 В | 5 В | 5 А | 40 Вт | 40..200 | 7 МГц |
2SD1761 | 60 В | 80 В | 5 В | 3 А | 30 Вт | 60..320 | 8 МГц |
MJE15028 | 120 В | 120 В | 5 В | 8 А | 50 Вт | От 40 | 30 МГц |
TIP42D | 120 В | 160 В | 5 В | 6 А | 65 Вт | От 15 | 3 МГц |
BDT85 | 100 В | 100 В | 7 В | 15 А | 125 Вт | От 40 | 10 МГц |
TPL710 | 100 В | 100 В | 7 В | 7 А | 30 Вт | От 1500 | 20 МГц |
Отечественные аналоги | |||||||
КТ817B | 60 В | 60 В | - | 3 А | 25 Вт | 25..275 | 3 МГц |
Стоит отметить, сильную схожесть по параметрам для отечественного аналога.
Основные графические зависимости
Рис 5. Зависимость рассеиваемой мощности от роста температуры окружающей среды.