Транзистор D2058: характеристики, цоколевка, аналоги

Транзистор D2058

D2058 — низкочастотный транзистор биполярного типа с NPN структурой. Конструктивное исполнение: TO-220F. Существуют маркировки в виде: 2SD2058, KTD2058. В целом, все эти модели практически одинаковые, при этом имеются небольшие различия в отдельных характеристиках, согласно даташитам.

Корпус, цоколевка

Транзистор D2058

Применение

D2058 — транзистор общего применения. Одно из самых распространенных применений — сборка усилителей низкой частоты. Транзистор имеет комплементарную пару, что позволяет собирать на их основе двухканальные усилители.

Особенности

  • Наличие комплементарной пары;
  • Невысокое значение напряжения насыщения коллектора;
  • Невысокое значение рассеивающейся мощности.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Пробивное напряжение коллектор-базаUCBO60 В
Граничное напряжение транзистораUCEO60 В
Пробивное напряжение эмиттер-базаUEBO7 В
Максимальный ток коллектораIC3 A
Максимальный ток базыIB0.5 А
Рассеиваемая мощностьPCНе более 25 Вт
Максимальная температура при переходеTJ+150 °C
Максимальная температура при храненииTstgОт –55 до +150 °C

Электрические параметры

Значение, которые приводятся в таблице, были получены при температуре в 25 °C. Условия тестирования для обеих моделей транзисторов были идентичны. Для удобства те характеристики, которые отличаются, были выделены.

ХарактеристикаОбозначение2SD2058 (D2058)KTD2058
Пробивное напряжение коллектор базаU(BR)CBO60 В60 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерUCE(sat)1.5 В1 В
Напряжение на переходе база-эмиттерUBE3 В1 В
Обратный ток коллектораICBO10 мкА1 мкА
Обратный ток эмиттераIEBO1 мА1 мкА
Статический коэффициент усиления по токуhFE60..30060..300
Граничная частота коэффициента передачи токаfT3 МГц3 МГц
Выходная емкостьCOB35 пФ35 пФ

Время переключения транзисторов

ХарактеристикаОбозначениеЗначение
Время необходимое для открытия транзистораton0.65 мкс
Время задержки для накопленного заряда на транзистореtstg1.3 мкс
Время необходимое для закрытия транзистораtf0.65 мкс

Классификация по величине hFE

На корпусе диода, кроме маркировки названия, располагается одна из следующих букв, которая обозначает класс усиления:

  • Класс О – коэффициент передачи находится в диапазоне от 60 до 120;
  • Класс Y– коэффициент передачи находится в диапазоне от 100 до 200;
  • Класс G – коэффициент передачи находится в диапазоне от 150 до 300;

Комплементарная пара

Для транзистора 2SD2058 (D2058) в роли комплементарной пары выстпуает PNP транзистор 2SB1366.

Для транзистора KTD2058 (D2058) в роли комплементарной пары выстпуает PNP транзистор KTB1366.

Аналоги

Так как параметры транзисторов KTD2058 и D2058 практически идентичны, в таблице приведены аналоги для обоих компонентов.

ТипUceUcbUebIcPchfeft
Оригинал
2SD2058 (D2058)60 В60 В7 В3 А25 Вт60..3003 МГц
Зарубежные аналоги
2SB74780 В80 В5 В5 А40 Вт40..2007 МГц
2SD176160 В80 В5 В3 А30 Вт60..3208 МГц
MJE15028120 В120 В5 В8 А50 ВтОт 4030 МГц
TIP42D120 В160 В5 В6 А65 ВтОт 153 МГц
BDT85100 В100 В7 В15 А125 ВтОт 4010 МГц
TPL710100 В100 В7 В7 А30 ВтОт 150020 МГц
Отечественные аналоги
КТ817B60 В60 В-3 А25 Вт25..2753 МГц

Стоит отметить, сильную схожесть по параметрам для отечественного аналога.

Основные графические зависимости

Область безопасной работы транзистора

Рис 1. Область безопасной работы транзистора. 

Зависимость статического коэффициента усиления по току транзистора от величины коллекторной нагрузки

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость значения тока на коллекторе от значения напряжения на переходе коллектор-эмиттер

Рис 4. Зависимость значения тока на коллекторе от значения напряжения на переходе коллектор-эмиттер.

Зависимость рассеиваемой мощности от роста температуры окружающей среды

Рис 5. Зависимость рассеиваемой мощности от роста температуры окружающей среды.

radiosvod.ru
Добавить комментарий