D2058 — низкочастотный транзистор биполярного типа с NPN структурой. Конструктивное исполнение: TO-220F. Существуют маркировки в виде: 2SD2058, KTD2058. В целом, все эти модели практически одинаковые, при этом имеются небольшие различия в отдельных характеристиках, согласно даташитам.
Корпус, цоколевка
Применение
D2058 — транзистор общего применения. Одно из самых распространенных применений — сборка усилителей низкой частоты. Транзистор имеет комплементарную пару, что позволяет собирать на их основе двухканальные усилители.
Особенности
- Наличие комплементарной пары;
- Невысокое значение напряжения насыщения коллектора;
- Невысокое значение рассеивающейся мощности.
Предельные эксплуатационные характеристики
Характеристика | Обозначение | Величина |
---|---|---|
Пробивное напряжение коллектор-база | UCBO | 60 В |
Граничное напряжение транзистора | UCEO | 60 В |
Пробивное напряжение эмиттер-база | UEBO | 7 В |
Максимальный ток коллектора | IC | 3 A |
Максимальный ток базы | IB | 0.5 А |
Рассеиваемая мощность | PC | Не более 25 Вт |
Максимальная температура при переходе | TJ | +150 °C |
Максимальная температура при хранении | Tstg |
Электрические параметры
Значение, которые приводятся в таблице, были получены при температуре в 25 °C. Условия тестирования для обеих моделей транзисторов были идентичны. Для удобства те характеристики, которые отличаются, были выделены.
Характеристика | Обозначение | 2SD2058 (D2058) | KTD2058 |
---|---|---|---|
Пробивное напряжение коллектор база | U(BR)CBO | 60 В | 60 В |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | UCE(sat) | 1.5 В | 1 В |
Напряжение на переходе база-эмиттер | UBE | 3 В | 1 В |
Обратный ток коллектора | ICBO | 10 мкА | 1 мкА |
Обратный ток эмиттера | IEBO | 1 мА | 1 мкА |
Статический коэффициент усиления по току | hFE | 60..300 | 60..300 |
Граничная частота коэффициента передачи тока | fT | 3 МГц | 3 МГц |
Выходная емкость | COB | 35 пФ | 35 пФ |
Время переключения транзисторов
Характеристика | Обозначение | Значение |
---|---|---|
Время необходимое для открытия транзистора | ton | 0.65 мкс |
Время задержки для накопленного заряда на транзисторе | tstg | 1.3 мкс |
Время необходимое для закрытия транзистора | tf | 0.65 мкс |
Классификация по величине hFE
На корпусе диода, кроме маркировки названия, располагается одна из следующих букв, которая обозначает класс усиления:
- Класс О – коэффициент передачи находится в диапазоне от 60 до 120;
- Класс Y– коэффициент передачи находится в диапазоне от 100 до 200;
- Класс G – коэффициент передачи находится в диапазоне от 150 до 300;
Комплементарная пара
Для транзистора 2SD2058 (D2058) в роли комплементарной пары выстпуает PNP транзистор 2SB1366.
Для транзистора KTD2058 (D2058) в роли комплементарной пары выстпуает PNP транзистор KTB1366.
Аналоги
Так как параметры транзисторов KTD2058 и D2058 практически идентичны, в таблице приведены аналоги для обоих компонентов.
Тип | Uce | Ucb | Ueb | Ic | Pc | hfe | ft |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Оригинал | |||||||
60 В | 60 В | 7 В | 3 А | 25 Вт | 3 МГц | ||
Зарубежные аналоги | |||||||
2SB747 | 80 В | 80 В | 5 В | 5 А | 40 Вт | 40..200 | 7 МГц |
2SD1761 | 60 В | 80 В | 5 В | 3 А | 30 Вт | 60..320 | 8 МГц |
MJE15028 | 120 В | 120 В | 5 В | 8 А | 50 Вт | От 40 | 30 МГц |
TIP42D | 120 В | 160 В | 5 В | 6 А | 65 Вт | От 15 | 3 МГц |
BDT85 | 100 В | 100 В | 7 В | 15 А | 125 Вт | От 40 | 10 МГц |
TPL710 | 100 В | 100 В | 7 В | 7 А | 30 Вт | От 1500 | 20 МГц |
Отечественные аналоги | |||||||
КТ817B | 60 В | 60 В | - | 3 А | 25 Вт | 25..275 | 3 МГц |
Стоит отметить, сильную схожесть по параметрам для отечественного аналога.
Основные графические зависимости
Рис 1. Область безопасной работы транзистора.
Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 4. Зависимость значения тока на коллекторе от значения напряжения на переходе коллектор-эмиттер.
Рис 5. Зависимость рассеиваемой мощности от роста температуры окружающей среды.