C3198 — кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор с NPN структурой общего назначения и для переключающих цепей. Конструктивное исполнение ТО-92.
Предназначение
Транзистор в основном предназначен для применения в усилителях низкой частоты и в усилителях с требованиями низкого уровня шума.
Корпус, цоколевка и монтажные размеры
Характерные особенности
- Высокая линейность hFE – параметра: hFE (IC = 0,1 мА)/hFE (IC = 2 мА) = 0,95.
- Высокое значение hFE – параметра: до 700.
- Низкий уровень шума: 2SC3198A имеет NF = от 1 dB 10 dB; 2SC3198L имеет NF = от 0,2 dB до 3 dB.
- Комплементарная пара: 2SA1266.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действительны при температуре окружающей среды Ta=25°C.
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 60 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 50 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 5 |
| Ток коллектора, А | IC | 0,15 |
| Ток базы, А | IB | 0,05 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | PC | 0,625 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические параметры (при Ta = 25°C)
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 60 В, IE = 0 | ≤ 0,1 | |
| Ток базы выключения, мкА | IEBO | UEB = 5 В, IC =0 | ≤ 0,1 | |
| Статический коэффициент усиления по току ٭ | hFE(1) | UCE = 6 В, IC = 0,002 А | 40…250 | |
| hFE(2) | UCE = 6 В, IC = 0,15 А | ≥ 25 | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 100мА, IB = 10 мА | 0,1…0,25 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 100мА, IB = 10 мА | ≤ 0,1 | |
| Частота среза, МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 1 мА | ≥ 80 | |
| Выходная емкость, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | ≤ 3 | |
| Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом | rbb’ | UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц | 50 | |
| Коэффициент шума (типовое значение), dB | 2SC3198A | NF | UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм | 1 |
| 2SC3198L | NF | 0,2 | ||
٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:
| Обозначение транзистора в группе | 2SC3198 O | 2SC3198 Y | 2SC3198 GR | 2SC3198 BL |
|---|---|---|---|---|
| Диапазон величины hFE | 70…140 | 120…240 | 200…400 | 350…700 |
Модификации и группы транзистора C3198
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE ٭ | NF (типовое) dB | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | ≤ 10 | ||
| C SC3198 (O, Y, GR, BL) | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 125 | 80 | 3,5 | ≤ 10 | ||
| FTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | ≤ 10 | ||
| KTC3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | ≤ 10 | ||
| KTC3198A | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 1 | ||
| KTC3198L ٭٭ | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 0,5 (1) 0,2 (2) |
٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).
٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.
Аналоги
Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.
Отечественное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | | |
| КТ604А/Б | 0,8 | 300 | 250 | 5 | 0,2 | 150 | 40 | ≤ 7 | | |
| КТ608А/Б | 0,8 | 60 | 60 | 4 | 0,4 | 150 | 200 | ≤ 15 | | |
| КТ611А/Б/В/Г | 0,8 | 200 | 180 | 4 | 0,1 | 150 | ≥ 60 | ≤ 5 | ||
| КТ6110 | 0,625 | 40 | 20 | 5 | 0,5 | 150 | - | - | ||
| КТ6111 | 0,45 | 50 | 45 | 5 | 0,1 | 150 | 150 | 3,5 | ||
| КТ6117А/Б | 0,625 | 180 | 160 | 15 | 0,6 | 150 | 100 | ≤ 6 | ||
| КТ6137 | 0,625 | 60 | 40 | 6 | 0,2 | 150 | 300 | 4 | ||
| КТ660А/Б | 0,5 | 50/30 | 5 | 0,8 | 150 | 200 | ≤ 10 | |||
| К125НТ1 | 0,4 | 45 | 4 | 0,4 | - | - | 15 | Транзисторная сборка | ||
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | CC | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| C3198 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 3,5 | от 25 до 700 | TO-92 |
| 2SA1246 | 0,4 | 60 | 50 | 15 | 0,15 | 150 | 100 | 9 | 100 | TO-92 |
| 2SC1815 | 0,4 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 175 | 80 | 3,5 | ≥ 70 | TO-92 |
| 2SC3331 | 0,5 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 200 | 3 | ≥ 100 | TO-92 |
| 2SC3382 | 0,4 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 250 | 2,7 | ≥ 100 | TO-92 |
| KTC3199 | 0,4 | 50 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | 2 | 270 | TO-92S |
| 2N6428/A | 0,625 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 100 | - | 100 | TO-92 |
| 2SC5343T | 0,625 | 60 | 50 | - | 0,15 | - | 80 | - | 70 | TO-92 |
| 3DG1318 | 0,625 | 60 | 50 | 7 | 0,5 | 150 | 200 | - | 85 | TO-92 |
| BC431 | 0,625 | 60 | - | 5 | 0,5 | 150 | 100 | - | 63 | TO-92 |
| BC445A | 0,625 | 60 | 60 | 6 | 0,2 | 150 | 100 | - | 120 | TO-92 |
| BC547BA3 | 0,625 | 60 | 50 | 6 | 0,2 | 150 | 100 | - | 200 | TO-92 |
| BTC945A3 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,2 | 150 | 150 | - | 135 | TO-92 |
| DTD113Z | 0,625 | 60 | 50 | - | 0,5 | 150 | 200 | - | 200 | TO-92 |
| DTD143E | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,5 | 150 | 200 | - | 47 | TO-92, SOT-23, SOT-323 |
| FTC1318 | 0,625 | 60 | 50 | 7 | 0,5 | 150 | 200 | - | 85 | TO-92 |
| H1420 | 0,625 | 60 | 60 | 7 | 0,2 | 150 | 150 | - | 70 | TO-92 |
| KSP8098 | 0,625 | 60 | 60 | 6 | 0,5 | 150 | 150 | - | 100 | TO-92 |
| KTC1815 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | - | 70 | TO-92 |
| KTC945/B | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 300 | - | 90/70 | TO-92 |
| STS5343 | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 80 | - | 120 | TO-92 |
| TEC9014A/B | 0,625 | 60 | 50 | 5 | 0,15 | 150 | 150 | - | 60/100 | TO-92 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик транзистора
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.
Характеристики сняты при температуре внешней среды Ta = 25°C.
Рис. 2. Входная характеристика транзистора в схеме ОИ: зависимость тока базы IB от напряжения эмиттер-база UBE.
Характеристика снята при трех значениях температуры внешней среды Ta и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.
Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при трех значениях температуры внешней среды и соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C и соотношении токов IC/IB = 10.
Рис. 5. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при трех значениях температуры среды Ta.
Показан ход характеристик в области больших токов коллектора IC ˃ 50мА при двух значениях напряжения коллектор-эмиттер UCE 1В и 6 В.
Рис. 6. Зависимость частоты среза fT (полосы пропускания) от тока эмиттера IE транзистора в схеме ОЭ при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В и температуре среды Ta = 25°C.
Рис. 7. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры внешней среды Ta.
