Транзистор C3198 характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

Транзистор C3198

C3198 — кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор с NPN структурой общего назначения и для переключающих цепей. Конструктивное исполнение ТО-92.

Предназначение

Транзистор в основном предназначен для применения в усилителях низкой частоты и в усилителях с требованиями низкого уровня шума.

Корпус, цоколевка и монтажные размеры

Транзистор C3198

Характерные особенности

  • Высокая линейность hFE – параметра: hFE (IC = 0,1 мА)/hFE (IC = 2 мА) = 0,95.
  • Высокое значение hFE – параметра: до 700.
  • Низкий уровень шума: 2SC3198A имеет NF = от 1 dB 10 dB; 2SC3198L имеет NF = от 0,2 dB до 3 dB.
  • Комплементарная пара: 2SA1266.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре окружающей среды Ta=25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO60
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO50
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO5
Ток коллектора, АIC0,15
Ток базы, АIB0,05
Рассеиваемая мощность, ВтPC0,625
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 60 В, IE = 0≤ 0,1
Ток базы выключения, мкАIEBOUEB = 5 В, IC =0≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭hFE(1)UCE = 6 В, IC = 0,002 А40…250
hFE(2) UCE = 6 В, IC = 0,15 А≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВUCE(sat)IC = 100мА, IB = 10 мА 0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, ВUBE(sat)IC = 100мА, IB = 10 мА≤ 0,1
Частота среза, МГцfTUCE = 10 В, IC = 1 мА≥ 80
Выходная емкость, pFCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Омrbb’ UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц50
Коэффициент шума (типовое значение), dB2SC3198ANF UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм1
2SC3198LNF0,2

٭транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе2SC3198 O2SC3198 Y2SC3198 GR2SC3198 BL
Диапазон величины hFE70…140120…240200…400350…700

Модификации и группы транзистора C3198

МодельPC UCBUCEUBEICTJfTCChFE ٭ NF (типовое) dBКорпус
C31980,625605050,15150803,525…700≤ 10TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)0,625605050,15125803,525…700≤ 10TO-92
FTC31980,625605050,15150803,525…700≤ 10TO-92
KTC31980,625605050,15150803,525…700≤ 10TO-92
KTC3198A0,4605050,1515080225…7001TO-92
KTC3198L ٭٭0,625605050,1515080225…7000,5 (1)
0,2 (2)
TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

МодельPC UCBUCEUBEICTJfTCChFE Корпус
C31980,625605050,15150803,525…700 TO-92
КТ604А/Б0,830025050,215040≤ 710…120 TO-92
КТ608А/Б0,8606040,4150200≤ 1520…160 TO-92
КТ611А/Б/В/Г0,820018040,1150≥ 60≤ 510…120TO-8
КТ61100,625402050,5150--60…200TO-92
КТ61110,45504550,11501503,560…1000TO-92
КТ6117А/Б0,625180160150,6150100≤ 660…250TO-92
КТ61370,625604060,21503004100…300TO-92
КТ660А/Б0,550/3050,8150200≤ 10110…450TO-92
К125НТ10,44540,4--1510…150Транзисторная сборка

Зарубежное производство

МодельPC UCBUCEUBEICTJfTCChFEКорпус
C31980,625605050,15150803,5от 25 до 700TO-92
2SA12460,46050150,151501009100TO-92
2SC18150,4605050,15175803,5≥ 70TO-92
2SC33310,5605060,21502003≥ 100TO-92
2SC33820,4605060,21502502,7≥ 100TO-92
KTC31990,4505050,15150802270TO-92S
2N6428/A0,625605060,2150100-100TO-92
2SC5343T0,6256050-0,15-80-70TO-92
3DG13180,625605070,5150200-85TO-92
BC4310,62560-50,5150100-63TO-92
BC445A0,625606060,2150100-120TO-92
BC547BA30,625605060,2150100-200TO-92
BTC945A30,625605050,2150150-135TO-92
DTD113Z0,6256050-0,5150200-200TO-92
DTD143E0,625605050,5150200-47TO-92, SOT-23, SOT-323
FTC13180,625605070,5150200-85TO-92
H14200,625606070,2150150-70TO-92
KSP80980,625606060,5150150-100TO-92
KTC18150,625605050,1515080-70TO-92
KTC945/B0,625605050,15150300-90/70TO-92
STS53430,625605050,1515080-120TO-92
TEC9014A/B0,625605050,15150150-60/100TO-92

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик транзистора

Зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.

Характеристики сняты при температуре внешней среды Ta = 25°C.

Зависимость тока базы IB от напряжения эмиттер-база UBE

Рис. 2. Входная характеристика транзистора в схеме ОИ: зависимость тока базы IB от напряжения эмиттер-база UBE.

Характеристика снята при трех значениях температуры внешней среды Ta и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при трех значениях температуры внешней среды и соотношении токов IC/IB = 10.

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C и соотношении токов IC/IB = 10.

Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от коллекторной нагрузки IC

Рис. 5. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при трех значениях температуры среды Ta.

Показан ход характеристик в области больших токов коллектора IC ˃ 50мА при двух значениях напряжения коллектор-эмиттер UCE 1В и 6 В.

Зависимость частоты среза fT (полосы пропускания) от тока эмиттера

Рис. 6. Зависимость частоты среза fT (полосы пропускания) от тока эмиттера IE транзистора в схеме ОЭ при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В и температуре среды Ta = 25°C.

Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры внешней среды

Рис. 7. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры внешней среды Ta.

radiosvod.ru
Добавить комментарий