Транзистор BD140: характеристики (параметры), отечественный аналог

Транзистор BD140

BD140 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности и низкой частоты, с PNP структурой. Изготавливается в пластиковом корпусе ТО-126. В классификации JEDEC обновленный корпус называется ТО-225АА.

Корпус, размеры и цоколевка

Транзистор BD140

Предназначение

Основной особенностью является высокая зависимость коллекторного тока от температуры, что позволяет использовать транзистор в устройствах термостабилизации в усилителях мощности.

Кроме этого, BD140 получил широкое применение в регуляторах питания, ключах и стабилизаторах.

Характерные особенности

  • Рабочая температура до 150 °C;
  • Пластиковый корпус;
  • Низкая частота;
  • Низкая стоимость, в сравнении с аналогичными транзисторами подобной мощности;
  • Высокая зависимость коллекторного тока от температуры.

Стоит отметить, что за счет пластикового корпуса и отсутствия радиатора, данный транзистор необходимо устанавливать на дополнительный радиатор охлаждения.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Граничное напряжение транзистораVCEO80 В DC
Пробивное напряжение коллектор-базаVCBO100 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-базаVEBO5 В DC
Максимальный ток коллектораIC1.5 А DC
Максимальный ток базыIB0,5 А DC
Максимальный импульсный ток коллектораICM2 А DC
Рассеиваемая мощность транзистораPtot8 Вт
Максимальная температура при храненииTstg+150 °C
Максимальная температура при переходеTj+150 °C
Максимальная температура окружающей средыTamb+150 °C

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаОбозначениеМаксимальная величина
Теплопередача от кристалла к окружающей средеRth j-a10 °C/Вт
Теплопередача от кристалла к монтажному основаниюRth j-mb100 °C/Вт

Электрические параметры

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Обратный ток коллектораICBO10 мкА DC
Обратный ток эмиттераIEBO10 мкА DC
Пробивное напряжение коллектор-эмиттерVCEO(sus)80 V DC
Напряжение насыщения колектор-эмиттерVCE(sat)0.5 V DC
Напряжение на переходе база-эмиттерVBE1 V DC
Коэффициент передачиhFEДля группы 10 от 63 до 160
Для группы 16 от 100 до 250

Маркировка

Полное название радиоэлемента — биполярный кремниевый транзистор BD140, где:

  • BD – символы обозначают, что транзистор является кремниевым и обладает высокой мощностью и низкой частотой;
  • 140 – серийный номер транзистора.

Первым кто выпустил радиокомпонент является фирма Philips. В настоящее время она производством не занимается. И чаще всего можно встретить транзисторы BD140 следующих производителей:

  • Motorola;
  • Siemens;
  • UTC;
  • SPC;
  • STM;
  • TEL;
  • FAIRCHILD.

Аналоги

ТипPc, WUcb, V DCUce, V DCUeb, V DCIc, A DCTj, °C
Оригинал
BD140128010051150
Зарубежные аналоги
BD238G 30 100  100  5  4  150
BD348 20 80  80  5  3  150
BD380-25 25 100  80  5  2  150
MJE17212 100  80  7  3  150
MJE702 40 80  80  5  4  150
MJE703 40 80  80  5  4  150
HBD682 0 100  100  5  4  150
Отечественные аналоги
КТ814Г10100100-1.5150

Стоит отметить, что Российский аналог значительно отличается по значению граничной частоты от оригинала.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Основные графические зависимости

Область безопасной работы

Рис 1. Область безопасной работы транзистора. В области токов ограничением является максимальное значение тока коллектора, а в области напряжения — максимальное напряжение коллектор-эмиттер.

Зависимость статического коэффициента усиления по току транзистора от величины коллекторной нагрузки

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Передаточная характеристика

Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.

Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса

Рис 5. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.

radiosvod.ru
Добавить комментарий