Транзистор BD140

BD140 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности и низкой частоты, с PNP структурой. Изготавливается в пластиковом корпусе ТО-126. В классификации JEDEC обновленный корпус называется ТО-225АА.

Корпус, размеры и цоколевка

Транзистор BD140

Предназначение

Основной особенностью является высокая зависимость коллекторного тока от температуры, что позволяет использовать транзистор в устройствах термостабилизации в усилителях мощности.

Кроме этого, BD140 получил широкое применение в регуляторах питания, ключах и стабилизаторах.

Характерные особенности

  • Рабочая температура до 150 °C;
  • Пластиковый корпус;
  • Низкая частота;
  • Низкая стоимость, в сравнении с аналогичными транзисторами подобной мощности;
  • Высокая зависимость коллекторного тока от температуры.

Стоит отметить, что за счет пластикового корпуса и отсутствия радиатора, данный транзистор необходимо устанавливать на дополнительный радиатор охлаждения.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Граничное напряжение транзистораVCEO80 В DC
Пробивное напряжение коллектор-базаVCBO100 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-базаVEBO5 В DC
Максимальный ток коллектораIC1.5 А DC
Максимальный ток базыIB0,5 А DC
Максимальный импульсный ток коллектораICM2 А DC
Рассеиваемая мощность транзистораPtot8 Вт
Максимальная температура при храненииTstg+150 °C
Максимальная температура при переходеTj+150 °C
Максимальная температура окружающей средыTamb+150 °C

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаОбозначениеМаксимальная величина
Теплопередача от кристалла к окружающей средеRth j-a10 °C/Вт
Теплопередача от кристалла к монтажному основаниюRth j-mb100 °C/Вт

Электрические параметры

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Обратный ток коллектораICBO10 мкА DC
Обратный ток эмиттераIEBO10 мкА DC
Пробивное напряжение коллектор-эмиттерVCEO(sus)80 V DC
Напряжение насыщения колектор-эмиттерVCE(sat)0.5 V DC
Напряжение на переходе база-эмиттерVBE1 V DC
Коэффициент передачиhFEДля группы 10 от 63 до 160
Для группы 16 от 100 до 250

Маркировка

Полное название радиоэлемента — биполярный кремниевый транзистор BD140, где:

  • BD – символы обозначают, что транзистор является кремниевым и обладает высокой мощностью и низкой частотой;
  • 140 – серийный номер транзистора.

Первым кто выпустил радиокомпонент является фирма Philips. В настоящее время она производством не занимается. И чаще всего можно встретить транзисторы BD140 следующих производителей:

  • Motorola;
  • Siemens;
  • UTC;
  • SPC;
  • STM;
  • TEL;
  • FAIRCHILD.

Аналоги

ТипPc, WUcb, V DCUce, V DCUeb, V DCIc, A DCTj, °C
Оригинал
BD140128010051150
Зарубежные аналоги
BD238G 30 100  100  5  4  150
BD348 20 80  80  5  3  150
BD380-25 25 100  80  5  2  150
MJE17212 100  80  7  3  150
MJE702 40 80  80  5  4  150
MJE703 40 80  80  5  4  150
HBD682 0 100  100  5  4  150
Отечественные аналоги
КТ814Г10100100-1.5150

Стоит отметить, что Российский аналог значительно отличается по значению граничной частоты от оригинала.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Основные графические зависимости

Область безопасной работы

Рис 1. Область безопасной работы транзистора. В области токов ограничением является максимальное значение тока коллектора, а в области напряжения — максимальное напряжение коллектор-эмиттер.

Зависимость статического коэффициента усиления по току транзистора от величины коллекторной нагрузки

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Передаточная характеристика

Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.

Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса

Рис 5. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.

0

Автор публикации

не в сети 5 дней

Антон ИТ

0
Комментарии: 0Публикации: 495Регистрация: 02-12-2020
Оцените статью
radiosvod.ru
Добавить комментарий
Авторизация
*
*

семь + три =

Регистрация
*
*
*

3 × пять =

Генерация пароля