BD140 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности и низкой частоты, с PNP структурой. Изготавливается в пластиковом корпусе ТО-126. В классификации JEDEC обновленный корпус называется ТО-225АА.
Корпус, размеры и цоколевка
Предназначение
Основной особенностью является высокая зависимость коллекторного тока от температуры, что позволяет использовать транзистор в устройствах термостабилизации в усилителях мощности.
Кроме этого, BD140 получил широкое применение в регуляторах питания, ключах и стабилизаторах.
Характерные особенности
- Рабочая температура до 150 °C;
- Пластиковый корпус;
- Низкая частота;
- Низкая стоимость, в сравнении с аналогичными транзисторами подобной мощности;
- Высокая зависимость коллекторного тока от температуры.
Стоит отметить, что за счет пластикового корпуса и отсутствия радиатора, данный транзистор необходимо устанавливать на дополнительный радиатор охлаждения.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Граничное напряжение транзистора | VCEO | 80 В DC |
| Пробивное напряжение коллектор-база | VCBO | 100 В DC |
| Пробивное напряжение эмиттер-база | VEBO | 5 В DC |
| Максимальный ток коллектора | IC | 1.5 А DC |
| Максимальный ток базы | IB | 0,5 А DC |
| Максимальный импульсный ток коллектора | ICM | 2 А DC |
| Рассеиваемая мощность транзистора | Ptot | 8 Вт |
| Максимальная температура при хранении | Tstg | +150 °C |
| Максимальная температура при переходе | Tj | +150 °C |
| Максимальная температура окружающей среды | Tamb | +150 °C |
Типовые термические характеристики
| Характеристика | Обозначение | Максимальная величина |
|---|---|---|
| Теплопередача от кристалла к окружающей среде | Rth j-a | 10 °C/Вт |
| Теплопередача от кристалла к монтажному основанию | Rth j-mb | 100 °C/Вт |
Электрические параметры
Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Обратный ток коллектора | ||
| Обратный ток эмиттера | IEBO | 10 мкА DC |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | VCEO(sus) | 80 V DC |
| Напряжение насыщения колектор-эмиттер | VCE(sat) | 0.5 V DC |
| Напряжение на переходе база-эмиттер | VBE | 1 V DC |
| Коэффициент передачи | hFE | Для группы 10 от 63 до 160 |
| Для группы 16 от 100 до 250 |
Маркировка
Полное название радиоэлемента — биполярный кремниевый транзистор BD140, где:
- BD – символы обозначают, что транзистор является кремниевым и обладает высокой мощностью и низкой частотой;
- 140 – серийный номер транзистора.
Первым кто выпустил радиокомпонент является фирма Philips. В настоящее время она производством не занимается. И чаще всего можно встретить транзисторы BD140 следующих производителей:
- Motorola;
- Siemens;
- UTC;
- SPC;
- STM;
- TEL;
- FAIRCHILD.
Аналоги
| Тип | Pc, W | Ucb, V DC | Uce, V DC | Ueb, V DC | Ic, A DC | Tj, °C |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Оригинал | ||||||
| BD140 | 12 | 80 | 100 | 5 | 1 | 150 |
| Зарубежные аналоги | ||||||
| BD238G | 30 | 100 | 100 | 5 | 4 | 150 |
| BD348 | 20 | 80 | 80 | 5 | 3 | 150 |
| BD380-25 | 25 | 100 | 80 | 5 | 2 | 150 |
| MJE172 | 12 | 100 | 80 | 7 | 3 | 150 |
| MJE702 | 40 | 80 | 80 | 5 | 4 | 150 |
| MJE703 | 40 | 80 | 80 | 5 | 4 | 150 |
| HBD682 | 0 | 100 | 100 | 5 | 4 | 150 |
| Отечественные аналоги | ||||||
| КТ814Г | 10 | 100 | 100 | - | 1.5 | 150 |
Стоит отметить, что Российский аналог значительно отличается по значению граничной частоты от оригинала.
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.
Основные графические зависимости
Рис 1. Область безопасной работы транзистора. В области токов ограничением является максимальное значение тока коллектора, а в области напряжения — максимальное напряжение коллектор-эмиттер.
Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.
Рис 5. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.
