Транзистор BD139: характеристики (параметры), цоколевка, российские аналоги

Транзистор BD139

BD139 — кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор общего назначения. Основное конструктивное исполнение ТО-126.

Корпус, размеры и цоколевка

Транзистор BD139

Предназначение

Транзистор разработан для применения в усилителях звуковой частоты, формирователях и задающих устройствах с применением комплементарных и квази-комплементарных схем.

Характерные особенности

  • Большой ток коллектора: IC до 1,5 А.
  • Большой коэффициент усиления по постоянному току: hFE ≥ 40 при IC = 0,15 А.
  • Комплементарная пара: BD140.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действетельны при температуре среды Ta = 25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO100
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO80
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO5
Ток коллектора, АIC1,5
Рассеиваемая мощность, ВтПри температуре окружающей среды Ta = 25°CPC12,5
При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C1,25
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С Tstg-55…+150

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/ВтRƟJA100
Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/ВтRƟJC10

Электрические характеристики

Данные в таблице действетельны при температуре среды Ta = 25°C.

ХарактеристикаОбознач.Параметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 30 В, IE = 0≤ 0,1
Ток базы выключения, мкАIEBOUEB = 5 В, IC =0≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В *UCE(sat)IC = 0,5 А, IB = 0,05 А0,5
Напряжение включения база-эмиттер, В *UBE(ON)IC = 0,5 А, UCE = 2,0 В1
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В *UCEO(sus)IC = 0,03 А, IB = 080
Статический коэффициент усиления по току *hFE(1)UCE = 2 В, IC = 0,005 А≥ 25
hFE(2) UCE = 2 В, IC = 0,15 Аот 40 до 250
hFE(3)UCE = 2 В, IC = 0,5 А≥ 25

٭ — Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 1,5 %.

Модификации и группы параметров транзистора BD139

Для условий TA = 25°C.

Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.

МодельPCUCBUCEUEBICTJfThFEКорпус
BD1391,251008051,5150190от 40 до 250TO-126
BD139G/L-xx-TM3-x 1TO-251
BD139-61,25от 40 до 100TO-126
BD139-10от 63 до 160
BD139-16от 100 до 250
BD139-25от 160 до 400
HSBD13980от 40 до 250
STBD139100

Модели BD139 G/L не содержат в конструкции соответственно галогенных или свинцовых соединений.

Модели, содержащие в обозначении цифровые дополнения: BD139-6/10/16/25, строго говоря, не являются модификациями транзистора. Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине статического коэффициента усиления в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона изменения этого h-параметра. В качестве примера: в информационном листке (даташит) компании-производителя “Fairchild Semiconductor” приводится классификация по величине коэффициента усиления:

Классификация61016
hFE(3)от 40 до 100от 63 до 160от 100 до 250

Аналоги транзистора BD139

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые мезо-эпитаксиально-планарные, NPN, усилительные. Разработаны для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях, операционных усилителях, импульсных и переключающих устройствах. Данные получены из даташит производителя.

Отечественное производство (РФ и РБ)

МодельPCUCBUCEUEBIC TJfThFE
BS13912,51008051,5150190≥ 40
КТ815Г1010010051,5150≥ 3≥ 30
КТ8272В10808051,5150-40
КТ961А12,51008051,5150≥ 50от 40 до 100
КТ943В25100805215030от 40 до 120

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCE UEB ICTJfThFE
BD13912,51008051,515019040...250
2SC2824151201205115012080
2SC434212150--3150-10000
2SD1438158080821501004000
2(K)SD169215150100831501003000
2(K)SD1692G151501008315010014000
2(K)SD1692O15150100831501003000
2(K)SD1692Y15150100831501007000
2SD203915100--21501004000
2SD21391580--31505050
BTD1858T31518018051,5150140180
KSE18212,510080731505050
MJE1821210080731505050
BD13712,5606051,515019025...250
BDW578606051,51754040

Примечание: представленные в таблицах транзисторы имеют конструктивное исполнение ТО-126.

Графические данные

Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 2 В.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от коллекторной нагрузки ICпри двух разных соотношениях тока коллектора и тока базы IC/IB.

Зависимости напряжения насыщения база-эмиттер и напряжения включения база-эмиттер от коллекторной нагрузки

Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) и напряжения включения база-эмиттер UBE(ON) от коллекторной нагрузки IC.

Ограничение рассеиваемой мощности транзистора при увеличении температуры корпуса

Рис. 4. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры корпуса TC.

Область безопасной работы

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Область безопасной работы ограничивается предельным током коллекторной нагрузки в импульсном режиме IC MAX (Pulsed) и режиме постоянного тока IC MAX (Continuous), предельным напряжением коллектор-эмиттер UCE MAX = 80 В и максимальной мощностью рассеивания. Кривые мощности рассеивания сняты для однократных неповторяющихся импульсов тока длительностью 100 мкс и 1 мс и постоянного тока (помечено на графике как «DC»).

radiosvod.ru
Добавить комментарий