BD139 — кремниевый, NPN, планарно-эпитаксиальный транзистор общего назначения. Основное конструктивное исполнение ТО-126.
- Корпус, размеры и цоколевка
- Предназначение
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Типовые термические характеристики
- Электрические характеристики
- Модификации и группы параметров транзистора BD139
- Аналоги транзистора BD139
- Отечественное производство (РФ и РБ)
- Зарубежное производство
- Графические данные
Корпус, размеры и цоколевка
Предназначение
Транзистор разработан для применения в усилителях звуковой частоты, формирователях и задающих устройствах с применением комплементарных и квази-комплементарных схем.
Характерные особенности
- Большой ток коллектора: IC до 1,5 А.
- Большой коэффициент усиления по постоянному току: hFE ≥ 40 при IC = 0,15 А.
- Комплементарная пара: BD140.
Предельные эксплуатационные характеристики
Данные в таблице действетельны при температуре среды Ta = 25°C.
| Характеристика | Обозначение | Величина | |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | VCBO | 100 | |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | VCEO | 80 | |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | VEBO | 5 | |
| Ток коллектора, А | IC | 1,5 | |
| Рассеиваемая мощность, Вт | При температуре окружающей среды Ta = 25°C | PC | 12,5 |
| При температуре коллекторного перехода Tc = 25°C | 1,25 | ||
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 | |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С | Tstg | -55…+150 | |
Типовые термические характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Тепловое сопротивление коллекторный переход – внешняя среда, °С/Вт | RƟJA | 100 |
| Тепловое сопротивление коллекторный переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJC | 10 |
Электрические характеристики
Данные в таблице действетельны при температуре среды Ta = 25°C.
| Характеристика | Обознач. | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 30 В, IE = 0 | ≤ 0,1 |
| Ток базы выключения, мкА | IEBO | UEB = 5 В, IC =0 | ≤ 10 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В * | UCE(sat) | IC = 0,5 А, IB = 0,05 А | 0,5 |
| Напряжение включения база-эмиттер, В * | UBE(ON) | IC = 0,5 А, UCE = 2,0 В | 1 |
| Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В * | UCEO(sus) | IC = 0,03 А, IB = 0 | 80 |
| Статический коэффициент усиления по току * | hFE(1) | UCE = 2 В, IC = 0,005 А | ≥ 25 |
| hFE(2) | UCE = 2 В, IC = 0,15 А | от 40 до 250 | |
| hFE(3) | UCE = 2 В, IC = 0,5 А | ≥ 25 |
٭ — Характеристики сняты в импульсном режиме: ширина импульса ≤ 300 мкс, коэффициент заполнения ≤ 1,5 %.
Модификации и группы параметров транзистора BD139
Для условий TA = 25°C.
Данные получены по материалам сайтов: alltranzistors.ru и chipdip.ru.
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | hFE | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BD139 | 1,25 | 100 | 80 | 5 | 1,5 | 150 | 190 | от 40 до 250 | TO-126 |
| BD139G/L-xx-TM3-x | 1 | TO-251 | |||||||
| BD139-6 | 1,25 | от 40 до 100 | TO-126 | ||||||
| BD139-10 | от 63 до 160 | ||||||||
| BD139-16 | от 100 до 250 | ||||||||
| BD139-25 | от 160 до 400 | ||||||||
| HSBD139 | 80 | от 40 до 250 | |||||||
| STBD139 | 100 |
Модели BD139 G/L не содержат в конструкции соответственно галогенных или свинцовых соединений.
Модели, содержащие в обозначении цифровые дополнения: BD139-6/10/16/25, строго говоря, не являются модификациями транзистора. Ряд производителей осуществляет предварительный отбор и группировку изделий по величине статического коэффициента усиления в нескольких поддиапазонах в пределах общего диапазона изменения этого h-параметра. В качестве примера: в информационном листке (даташит) компании-производителя “Fairchild Semiconductor” приводится классификация по величине коэффициента усиления:
| Классификация | 6 | 10 | 16 |
|---|---|---|---|
| hFE(3) | от 40 до 100 | от 63 до 160 | от 100 до 250 |
Аналоги транзистора BD139
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые мезо-эпитаксиально-планарные, NPN, усилительные. Разработаны для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях, операционных усилителях, импульсных и переключающих устройствах. Данные получены из даташит производителя.
Отечественное производство (РФ и РБ)
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | hFE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BS139 | 12,5 | 100 | 80 | 5 | 1,5 | 150 | 190 | ≥ 40 |
| КТ815Г | 10 | 100 | 100 | 5 | 1,5 | 150 | ≥ 3 | ≥ 30 |
| КТ8272В | 10 | 80 | 80 | 5 | 1,5 | 150 | - | 40 |
| КТ961А | 12,5 | 100 | 80 | 5 | 1,5 | 150 | ≥ 50 | от 40 до 100 |
| КТ943В | 25 | 100 | 80 | 5 | 2 | 150 | 30 | от 40 до 120 |
Зарубежное производство
| Модель | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | fT | hFE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BD139 | 12,5 | 100 | 80 | 5 | 1,5 | 150 | 190 | 40...250 |
| 2SC2824 | 15 | 120 | 120 | 5 | 1 | 150 | 120 | 80 |
| 2SC4342 | 12 | 150 | - | - | 3 | 150 | - | 10000 |
| 2SD1438 | 15 | 80 | 80 | 8 | 2 | 150 | 100 | 4000 |
| 2(K)SD1692 | 15 | 150 | 100 | 8 | 3 | 150 | 100 | 3000 |
| 2(K)SD1692G | 15 | 150 | 100 | 8 | 3 | 150 | 100 | 14000 |
| 2(K)SD1692O | 15 | 150 | 100 | 8 | 3 | 150 | 100 | 3000 |
| 2(K)SD1692Y | 15 | 150 | 100 | 8 | 3 | 150 | 100 | 7000 |
| 2SD2039 | 15 | 100 | - | - | 2 | 150 | 100 | 4000 |
| 2SD2139 | 15 | 80 | - | - | 3 | 150 | 50 | 50 |
| BTD1858T3 | 15 | 180 | 180 | 5 | 1,5 | 150 | 140 | 180 |
| KSE182 | 12,5 | 100 | 80 | 7 | 3 | 150 | 50 | 50 |
| MJE182 | 12 | 100 | 80 | 7 | 3 | 150 | 50 | 50 |
| BD137 | 12,5 | 60 | 60 | 5 | 1,5 | 150 | 190 | 25...250 |
| BDW57 | 8 | 60 | 60 | 5 | 1,5 | 175 | 40 | 40 |
Примечание: представленные в таблицах транзисторы имеют конструктивное исполнение ТО-126.
Графические данные
Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки IC при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 2 В.
Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения UCE(sat) коллектор-эмиттер от коллекторной нагрузки ICпри двух разных соотношениях тока коллектора и тока базы IC/IB.
Рис. 3. Зависимости напряжения насыщения база-эмиттер UBE(sat) и напряжения включения база-эмиттер UBE(ON) от коллекторной нагрузки IC.
Рис. 4. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры корпуса TC.
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.
Область безопасной работы ограничивается предельным током коллекторной нагрузки в импульсном режиме IC MAX (Pulsed) и режиме постоянного тока IC MAX (Continuous), предельным напряжением коллектор-эмиттер UCE MAX = 80 В и максимальной мощностью рассеивания. Кривые мощности рассеивания сняты для однократных неповторяющихся импульсов тока длительностью 100 мкс и 1 мс и постоянного тока (помечено на графике как «DC»).
