2SA1273 — высокочастотный биполярный транзистор на кремниевой основе, со структурой PNP, средней мощности. Выпускается в пластиковом корпусе ТО-92 и имеет гибкие выводы для подключения.
Корпус и цоколевка
Предназначение
2SA1273 (A1273) наиболее часто применятся в усилителях мощности звука.
Характерные особенности
- Высокое значение граничной частоты – до 120 МГц;
- Низкое значение рассеиваемой мощности – 1 Вт.
Предельные эксплуатационные характеристики
Для эксплуатации при температуре 25 °C, кроме температурных характеристик.
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Пробивное напряжение коллектор-база | VCBO | -30 В DC |
| Граничное напряжение транзистора | VCEO | -30 В DC |
| Пробивное напряжение эмиттер-база | VEBO | -5 В DC |
| Максимальный ток коллектора | IC | -2 A DC |
| Максимальный ток эмиттера | IE | 2 A DC |
| Рассеиваемая мощность | PC | 1 Вт |
| Максимальная температура при переходе | TJ | +150 °C |
| Максимальная температура при хранении | Tstg | От –55 до +150 °C |
Электрические параметры
Для эксплуатации при температуре 25 °C.
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Величина |
|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение коллектор база | |||
| IB= 0 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | V(BR)CEO | IC= -10mA | -30 В DC |
| IB= 0 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база | V(BR)EBO | IC= -1mA | -5 В DC |
| IB= 0 | |||
| Обратный ток коллектора | ICBO | VCB= -30V | |
| IE=0 | |||
| Обратный ток эмиттера | IEBO | VEB= -5V | -0.1 мА DC |
| IC=0 | |||
| Статический коэффициент усиления по току | hFE | VCE= -2V | 100..320 |
| IC=-500mA | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | IC= -1.5A | -2 В DC |
| IB= -30mA | |||
| Напряжение на переходе база-эмиттер | VBE(on) | IC= -0.5A | -1 В DC |
| VCE= -2V | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока | fT | IC= -0.5A | 120 МГц |
| VCE=-2V | |||
| Выходная емкость | COB | IE= 0 | 48 пФ |
| VCB= -10V | |||
| ftest= 1.0MHz |
Маркировка
Полное название транзистора — 2SA1273, при этом на корпусе часто расположена маркировка без первых двух символов, то есть А1273.
Модификации
Транзистор разделяется на два класса по усилению (коэффициенту передачи тока):
- О – усиление от 100 до 200;
- Y – усиление от 160 до 320.
Комплементарная пара
Для транзистора 2SA1273(A1273) в качестве комплементарной пары выступает NPN транзистор 2SC3205.
Аналоги
| Тип | Uce | Ucb | Ueb | Ic | Pc | hfe | ft |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Оригинал | |||||||
| 2SA1273(A1273) | -30 В | 1 Вт | |||||
| Зарубежное производство | |||||||
| 2SA928A | -30 В | -30 В | -5 В | -2 А | 1 Вт | 100..320 | 120 МГц |
| 2SB892 | -50 В | -60 В | -6 В | -2 А | 1 Вт | 100..560 | 150 МГц |
| 2SB985 | -50 В | -60 В | -6 В | -3 А | 1 Вт | 100..560 | 150 МГц |
| KSA928A | -30 В | -30 В | -5 В | -2 А | 1 Вт | 100..320 | 120 МГц |
| STB1277 | -30 В | -30 В | -5 В | -2 А | 100..320 | 170 МГц | |
| Отечественное производство | |||||||
| КТ816Г | 90 В | - | 3 А | 1 Вт | 25-275 | 3 МГц | |
Стоит отметить, что отечественный аналог сильно уступает по значению граничной частоты, и имеет корпус КТ-89.
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.
Основные графические характеристики
Рис 1. Область безопасной работы транзистора.
Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.
Рис 5. Зависимость тока коллектора от напряжения на переходе база-эмиттер. Для двух температурных режимов.
Рис 6. Зависимость граничной частоты транзистора от тока на коллекторе.
Рис 7. Зависимость выходной емкости от напряжения на переходе коллектор-база.
Рис 8. Зависимость рассеиваемой мощности от роста температуры окружающей среды.
