5027 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение TO-220.
Основная информация предоставлена для KTC5027. В таблице «модификации и группы» расмотрены и другие маркировки транзистора и их отличия между собой.
Корпус и цоколевка
Предназначение
Силовой транзистор разработан для применения в качестве переключающего элемента в релейных регуляторах, преобразователях постоянного напряжения, инверторах, преобразователях частоты.
Характерные особенности
- Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 0,5 В при IC = 2 А.
- Высокая скорость переключений: время спадания импульса tf ≤ 0,3 мкс при IC = 2 А.
- Расширенная область безопасной работы транзистора при отрицательном смещении в цепи управления (базы).
Предельные эксплуатационные характеристики
Характеристика | Обозначение | Величина |
---|---|---|
Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 1100 |
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 800 |
Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 7 |
Ток коллектора постоянный, А | IC | 3 |
Ток коллектора импульсный, А | ICP | 10 |
Ток базы постоянный, А | IB | 1,5 |
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт | PC | 50 |
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
Электрические параметры
Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
---|---|---|---|
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEX(sus) | ≥ 800 | |
Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 800 В, IE = 0 | ≤ 10 |
Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 5,0 В, IC = 0 | ≤ 10 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 1,5 А, IB = 0,3 А | ≤ 2,0 |
Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 1,5 А, IB = 0,3 А | ≤ 1,5 |
Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) ٭ | UCE = 5,0 В, IC = 0,2 А | 15….40 |
hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А | ≥ 8 | |
Напряжение пробоя коллектор-база, В | UCBO | IC = 1 мА, IE = 0 | ≥ 1100 |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | UCEO | IC = 5 мА, RBE = ∞ | ≥ 800 |
Напряжение пробоя эмиттер-база, В | UEBO | IE = 1 мА, IC = 0 | ≥ 7 |
Выходная емкость коллектора, pF | Cob | UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц | 60 |
Частота среза, МГц | fT | UCE = 10 В, IC = 0,2 А | 15 |
Временные параметры транзистора | |||
Время включения транзистора, мкс | ton | См. схему измерения временных параметров | ≤ 0,5 |
Время сохранения импульса, мкс | tstg | ≤ 3,0 | |
Время спадания импульса, мкс | tf | ≤ 0,3 |
٭ — группа R:15 ≤ hFE ≤ 30; группа O: 20 ≤ hFE ≤ 40.
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C.
Схема измерения временных параметров
На схеме:
- INPUT – вход. OUTPUT – выход.
- VСС = 400 В – напряжение питания.
- Продолжительность импульса тока: 20 мкс.
- Скважность поступления импульсов (DUTY CYCLE): ≤ 1%.
Модификации и группы транзистора 5027
Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Группы по hFE | Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC5027 | 50 | 850 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | |
2SC5027E | 50/52 | 750 | 700 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 8…40 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | |
2SC5027A/AF | 50 | 850 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 10…40 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | |
2SC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 12 | 60 | N/R/O | - | ||
3DD5027 | 50 | 1100 | 7 | 3 | 150 | 15 | - | - | 0,5 / 3 / 0,3 | |||
3DD5027P | 35 | 1500 | 600 | 6 | 8 | 150 | - | - | 1 / 9 / - | |||
BU5027A | 30 | 1100 | 800 | 9 | 2,7 | 150 | | - | - | 1,5 / 0,6 / 4,5 | ||
BU5027AF | 20 | 1100 | 800 | 9 | 150 | - | - | 1,5 / 0,6 / 4,5 | ||||
BU5027S | 15 | 900 | 600 | 9 | 1,6 | 150 | - | - | 1 / 0,8 / 3 | |||
FJP5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | ||
FJPF5027 | 40 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | N/R/O | |||
HC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | N/R/O | - | ||
HC5027H | 65 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | N/R/O | - | ||
KSC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | N/R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | ||
KSC5027F | 40 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | - | - | N/R/O | - | ||
KSH5027 /A | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | ||
KSH5027F/AF | 40 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | ||
KTC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | ||
KTC5027F | 40 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | R/O | 0,5 / 3 / 0,3 | ||
SBP5027R | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | - | 60 | - | 0,5 / 3 / 0,3 | ||
EJ5027 | 117 | 100 | 70 | 7 | 15 | 200 | 0,8 | - | 20 | - | - | |
HEPS5027 | 25 | 30 | 30 | - | 3 | 140 | 2 | - | 60 | - | - | |
2SC5027 | 1,3 | 300 | 300 | 7 | 0,1 | 150 | 70 | 3 | - | - |
Примечания:
- 2SC5027E — 52 Вт – корпус TO-220F2.
- 3DD5027 — Маркировка D5027.
- FJP5027 — Маркировка J5027 N/R/O.
- KSC5027F — ISC – группы K/L/M.
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, применяемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях и другой аппаратуре общего применения.
Отечественное производство
Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс. | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 0,5 / 3 /0,3 | | |
КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 8 | - | 0,2 / 3,5 / 0,6 | | |
2Т856А/Г | 125 | 1000 | 950/850 | 5 | 10/12 | - | - | - | - / - / 0,5 | | |
КТ859А | 40 | 800 | 800 | 10 | 3 | 150 | - | ˃ 10 | 0,5 / 3,5 / 0,35 | | |
КТ872А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 8 | 150 | - | - | 6 | - / 6,7 / 0,8 | |
КТ878А | 100 | - | 900 | 5 | 25 | 150 | 10 | 500 | - / 3 / - | | |
2Т886 | 175 | - | 1400 | 7 | 10 | 150 | - | - | - | - / - / 0,7 | |
КТ8107А | 100 | 1500 | 700 | 6 | 10 | 125 | - | 2,3 | - / 3,5 / 0,5 | | |
КТ8108А/В | 70 | 800/900 | - | 5 | 3 | 150 | 15 | 75 | - / 3 / 0,3 | | |
КТ8114А/Б/В | 125 | 1500 | 700 | 6 | 8 | 150 | - | - | - | - / - / 0,5 | |
КТ8118А | 50 | 900 | 800 | 5 | 3 | 150 | 15 | - | - / 2 / 0,7 | | |
КТ8121А | 75 | 700 | 400 | 5 | 4 | 150 | - | - / 3 / 0,4 | | ||
КТ8126А1/Б1 | 80 | 700 | 400 | 9 | 8 | 150 | - | - / 1,7 / - | |||
КТ8137А | 40 | 700 | 700 | 9 | 1,5 | 150 | - | 1 / 4 / 0,7 | | ||
КТ8164А/Б | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | 110 | 0,8 / 4 / 0,9 | | ||
КТ8170А1 | 40 | 700 | 400 | 9 | 1,5 | 150 | 35 | 1,1 / 4 / 0,7 | |
Зарубежное производство
Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | Cob | hFE | Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс. | Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC5027 | 50 | 1100 | 800 | 7 | 3 | 150 | 15 | 60 | 0,5 / 3 /0,3 | ||
2SD1290 | 50 | 1500 | - | 5 | 3 | 130 | - | - | - / 3 / 1 | ||
2SD1291 | 65 | 1500 | - | 5 | 3 | 150 | - | - | - / 4 / 1 | ||
BUJ302A | 80 | 1050 | 400 | 24 | 4 | 150 | - | - | - /3,5 / 0,5 | ||
BUJ303A | 100 | 1000 | - | - | 5 | 150 | - | - | 0,7 / 4 / 0,45 | ||
BUJ403A | 100 | 1200 | 550 | - | 6 | 150 | - | - | 15 | 0,5 / 3 /0,3 | |
BUL216 | 90 | 1600 | 800 | 9 | 4 | 150 | - | - | - / 3 / 0,6 | ||
BUL218D-B | 70 | 700 | 400 | - | 4 | 150 | - | - | - / 0,6 / 0,1 | ||
BUL416 | 110 | 1600 | 800 | 9 | 6 | 150 | - | - | - / 3 / 0,7 | ||
BUL416T | 800 | 9 | 6 | 150 | - | - | - / 1,5 / 0,8 | ||||
FJP2145 | 120 | 1100 | 800 | 7 | 5 | 125 | 15 | 11,4 | - | ||
KSC5603D | 100 | 1600 | 800 | 12 | 3 | 150 | 5 | 56 | 1 / 0,18 / 0,2 | ||
2SC2979 | 40 | 900 | 800 | 7 | 3 | 150 | - | - | 1 / 3 / 1 | ||
3DD5023/24 | 40 | 1500 | 800 | 5 | 6 | 150 | ˃ 2 | - | - / - / 1,0 | ||
FJPF5021 | 40 | 800 | 500 | 7 | 5 | 150 | 15 | 80 | 0,5 / 3 /0,3 | ||
FJPF5321 | 40 | 800 | 500 | 7 | 5 | 150 | 14 | 65 | 0,5 / 3 /0,3 | ||
FJPF5200 | 50 | 250 | 250 | 5 | 17 | 150 | 30 | 200 | - | ||
MJE15028 | 50 | 120 | 120 | 5 | 8 | 150 | 30 | - | - |
Примечание: FJPF5200 — Маркировка J5200.
Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителя.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.
Характеристики определены при ограничениях, полученных в режимах: единичного неповторяющегося импульса (PULSE) — (помечены символом ٭) и постоянного тока (DC OPERATION). В импульсном режиме длительности импульсов: 100 мкс, 1 мс, 10 мс. Температура окружающей среды Ta = 25°C.
При увеличении температуры кривые должны линейно смещаться в соответствии с ограничением по Рис. 6.
Предельные токи IC max импульсного (PULSE) и длительного режима (CONTINUOUS) режимов ограничивают предельную токовую нагрузку.
Максимальное напряжение определено как 800 В.
Область безопасной работы характерна для анализа теплового режима транзистора, работающего в схеме с резистивной или емкостной нагрузкой. В большинстве практических применений транзисторов, предназначенных для работы в режиме быстрых переключений, нагрузка носит индуктивный характер. В этих случаях анализ тепловых потерь должен проводиться с учетом области безопасной работы с обратным смещением.
Рис. 8. Область безопасной работы с обратным смещением.
Характеристика показывает предельные нагрузки транзистора с учетом ограничения максимальных напряжений на уровне UCBO = 1100 В и значительного уменьшения при этом коллекторного тока до уровня порядка 0,8 А.
Ток отрицательного смещения базы составляет IB2 = — 0,3 А.