Модификации и характеристики транзистора 5027, отечественные аналоги

Транзистор 5027

5027 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение TO-220. 

Основная информация предоставлена для KTC5027. В таблице «модификации и группы» расмотрены и другие маркировки транзистора и их отличия между собой. 

Корпус и цоколевка

Транзистор 5027

Предназначение

Силовой транзистор разработан для применения в качестве переключающего элемента в релейных регуляторах, преобразователях постоянного напряжения, инверторах, преобразователях частоты.

Характерные особенности

  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 0,5 В при IC = 2 А.
  • Высокая скорость переключений: время спадания импульса tf ≤ 0,3 мкс при IC = 2 А.
  • Расширенная область безопасной работы транзистора при отрицательном смещении в цепи управления (базы).

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO1100
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO800
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO7
Ток коллектора постоянный, АIC3
Ток коллектора импульсный, АICP 10
Ток базы постоянный, АIB1,5
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), ВтPC50
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, ВUCEX(sus)IC = 1,5 А, IB1 = 0,3 А, IB2 = - 0,3 А,
L = 2 мгн, с ограничением напряжения.
≥ 800
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 800 В, IE = 0≤ 10
Ток эмиттера выключения, мкА IEBOUEB = 5,0 В, IC = 0≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 1,5 А, IB = 0,3 А≤ 2,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 1,5 А, IB = 0,3 А≤ 1,5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 0,2 А15….40
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А≥ 8
Напряжение пробоя коллектор-база, ВUCBOIC = 1 мА, IE = 0≥ 1100
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВUCEOIC = 5 мА, RBE = ∞≥ 800
Напряжение пробоя эмиттер-база, ВUEBOIE = 1 мА, IC = 0≥ 7
Выходная емкость коллектора, pFCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц60
Частота среза, МГцfTUCE = 10 В, IC = 0,2 А15
Временные параметры транзистора
Время включения транзистора, мксtonСм. схему измерения временных параметров≤ 0,5
Время сохранения импульса, мксtstg≤ 3,0
Время спадания импульса, мксtf≤ 0,3

٭ — группа R:15 ≤  hFE ≤ 30; группа O: 20 ≤  hFE ≤ 40.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta = 25°C.

Схема измерения временных параметров

Схема измерения временных параметров

На схеме:

  • INPUT – вход. OUTPUT – выход.
  • VСС = 400 В – напряжение питания.
  • Продолжительность импульса тока: 20 мкс.
  • Скважность поступления импульсов (DUTY CYCLE): ≤ 1%.

Модификации и группы транзистора 5027

ТипPC UCBUCEUBEICTJfTCobhFEГруппы по hFEВрем. параметры: ton / tstg / tf мксКорпус
2SC5027508508007315015608…40N/R/O0,5 / 3 / 0,3TO-220
TO-220F
2SC5027E50/527507007315015608…40N/R/O0,5 / 3 / 0,3TO-220
TO-220F
TO-220F2
2SC5027A/AF5085080073150156010…40N/R/O0,5 / 3 / 0,3TO-220AB
TO-220F
2SC50275011008007315012608…40N/R/O -TO-220C
3DD50275011007315015-8…50-0,5 / 3 / 0,3TO-220
3DD5027P35150060068150>1,7-5…30-1 / 9 / -TO-220HF
BU5027A30110080092,7150 >4-8…35-1,5 / 0,6 / 4,5TO-220A
BU5027AF2011008009150--1,5 / 0,6 / 4,5TO-220AF
BU5027S1590060091,6150>5-8…30-1 / 0,8 / 3TO-220
FJP50275011008007315015608…40N/R/O0,5 / 3 / 0,3
FJPF50274011008007315015608…40N/R/OTO-220F
HC50275011008007315015608…40N/R/O -TO-220
HC5027H6511008007315015608…40N/R/O -TO-3P
KSC50275011008007315015608…40N/R/O0,5 / 3 / 0,3TO-220
KSC5027F40110080073150--8…40N/R/O -TO-220F
KSH5027 /A5011008007315015608…40R/O0,5 / 3 / 0,3 TO-220
KSH5027F/AF4011008007315015608…40R/O0,5 / 3 / 0,3 TO-220F
KTC50275011008007315015608…40R/O0,5 / 3 / 0,3 TO-220AB
KTC5027F4011008007315015608…40R/O0,5 / 3 / 0,3 TO-220IS
SBP5027R50110080073150-608…40-0,5 / 3 / 0,3 TO-220
EJ5027117100707152000,8-20- -TO-3
HEPS5027253030-31402-60- -TO-126
2SC5027 1,330030070,115070320…200- -2-8H1A

Примечания:

  • 2SC5027E — 52 Вт – корпус TO-220F2.
  • 3DD5027 — Маркировка D5027.
  • FJP5027 — Маркировка J5027 N/R/O.
  • KSC5027F — ISC –  группы K/L/M.

Транзистор 5027

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, применяемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях и другой аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

ТипPC UCBUCEUBEICTJfTCobhFEВременные параметры: ton / tstg / tf мкс. Корпус
2SC50275011008007315015608…400,5 / 3 /0,3 TO-220
КТ840А60900400561508-10…600,2 / 3,5 / 0,6 TO-3
2Т856А/Г1251000950/850510/12---10…60- / - / 0,5 TO-3
КТ859А40800800103150˃ 25-˃ 100,5 / 3,5 / 0,35 TO-220AB
КТ872А100150070068150--6- / 6,7 / 0,8 TO-218
КТ878А100-9005251501050012…50- / 3 / - TO-3
2Т886175-1400710150---- / - / 0,7 TO-3
КТ8107А1001500700610125˃ 7-2,3- / 3,5 / 0,5 TO-220
КТ8108А/В70800/900-53150157510…50- / 3 / 0,3 TO-220
КТ8114А/Б/В125150070068150---- / - / 0,5 TO-218
КТ8118А509008005315015-10…40- / 2 / 0,7 TO-220
КТ8121А7570040054150˃ 4-8…60- / 3 / 0,4 TO-220
КТ8126А1/Б18070040098150˃ 4-8…60- / 1,7 / -TO-220
КТ8137А4070070091,5150˃ 4-8…401 / 4 / 0,7 КТ-27
КТ8164А/Б7570040094150˃ 41108…600,8 / 4 / 0,9 TO-220
КТ8170А14070040091,5150˃ 4358…401,1 / 4 / 0,7 TO-126

Зарубежное производство

ТипPC UCBUCEUBEICTJfTCobhFEВрем. параметры: ton / tstg / tf мкс.Корпус
2SC50275011008007315015608…400,5 / 3 /0,3TO-220
2SD1290501500-53130--3…8 - / 3 / 1TO-3PN
2SD1291651500-53150--4…12- / 4 / 1TO-3PN
BUJ302A801050400244150--25…100- /3,5 / 0,5TO-220AB
BUJ303A1001000--5150--10…350,7 / 4 / 0,45TO-220AB
BUJ403A1001200550-6150--150,5 / 3 /0,3TO-220AB
BUL21690160080094150--10…40 - / 3 / 0,6TO-220
BUL218D-B70700400-4150--10…32- / 0,6 / 0,1TO-220
BUL416110160080096150--10…32- / 3 / 0,7TO-220
BUL416T80096150--10…32- / 1,5 / 0,8TO-220A
FJP21451201100800751251511,48…40-TO-220
KSC5603D10016008001231505566…461 / 0,18 / 0,2TO-220
2SC29794090080073150--7…151 / 3 / 1TO-220
3DD5023/2440150080056150˃ 2-5…30- / - / 1,0TO-220F
FJPF5021408005007515015808…500,5 / 3 /0,3TO-220F
FJPF5321408005007515014658…400,5 / 3 /0,3TO-220F
FJPF5200502502505171503020035…160-TO-220F
MJE15028501201205815030-20…40-TO-220C

Примечание: FJPF5200 — Маркировка J5200.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных токах управления (базы) IB.

Зависимость статического коэффициента усиления от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Характеристика передачи транзистора

Рис. 3. Характеристика передачи транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Зависимости напряжений насыщения и от величины коллекторной нагрузки при соотношении токов коллектора и базы

Рис. 4. Зависимости напряжений насыщения UBE(sat) и UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5.

Параметры переключения транзистора

Рис. 5. Параметры переключения транзистора. Зависимости временных параметров ton / tstg / tf от коллекторной нагрузки IC.

Напряжение питания схемы UCC = 400 В.

Ограничение мощности рассеивания транзистора при повышении температуры окружающей среды

Рис. 6. Ограничение мощности рассеивания транзистора при повышении температуры окружающей среды Ta.

При определении характеристики принято, что температура корпуса транзистора Tc равна температуре среды Ta, то есть транзистор располагает неопределенно большим теплоотводом (INFINITE HEAT SINK).

Область безопасной работы транзистора

Рис. 7. Область безопасной работы транзистора.

Характеристики определены при ограничениях, полученных в режимах: единичного неповторяющегося импульса (PULSE) — (помечены символом ٭) и постоянного тока (DC OPERATION). В импульсном режиме длительности импульсов: 100 мкс, 1 мс, 10 мс. Температура окружающей среды Ta = 25°C.

При увеличении температуры кривые должны линейно смещаться в соответствии с ограничением по Рис. 6.

Предельные токи IC max импульсного (PULSE) и длительного режима (CONTINUOUS) режимов ограничивают предельную токовую нагрузку.

 Максимальное напряжение определено как 800 В.

Область безопасной работы характерна для анализа теплового режима транзистора, работающего в схеме с резистивной или емкостной нагрузкой. В большинстве практических применений транзисторов, предназначенных для работы в режиме быстрых переключений, нагрузка носит индуктивный характер. В этих случаях анализ тепловых потерь должен проводиться с учетом области безопасной работы с обратным смещением.

Область безопасной работы с обратным смещением

Рис. 8. Область безопасной работы с обратным смещением.

Характеристика показывает предельные нагрузки транзистора с учетом ограничения максимальных напряжений на уровне UCBO = 1100 В и значительного уменьшения при этом коллекторного тока до уровня порядка 0,8 А.

Ток отрицательного смещения базы составляет IB2 = — 0,3 А.

 

 

radiosvod.ru
Добавить комментарий