2SC2625 — кремниевый, со структурой NPN, диффузионный планарный транзистор для высокоскоростных высоковольтных переключающих цепей. Конструктивное исполнение – TO-3(P/PN).
Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Транзистор разработан для применения в силовых переключающих цепях индуктивного характера, как-то: импульсных регуляторах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах, силовых усилителях общего назначения.
Характерные особенности
- Высокое граничное напряжение коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
- Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1,2 В при IC = 4,0 А, IB = 0,8 А.
- Высокая скорость переключений: tf ≤ 1,0 мкс при IC = 5,0 А.
- Удовлетворительная линейность изменения параметра hFE.
- Незначительные различия в значениях параметров транзистора при поставке от партии к партии.
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 450 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 400 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 7 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC | 10 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICM | 20 |
| Ток базы постоянный, А | IB | 3 |
| Предельная рассеиваемая мощность, Вт, при TC = 25°C | PC | 80 |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150°C |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С | Tstg | |
| Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJС | 1,56 |
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения |
|---|---|---|---|
| Характеристики выключенного состояния | |||
| Напряжение пробоя коллектор-база, В | U(BR)CBO | ≥ 450 | |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | ≥ 400 | |
| Напряжение пробоя эмиттер-база, В | U(BR)EBO | ≥ 7,0 | |
| Ток коллектора выключения, мА | ICBO | ≤ 1,0 | |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | ≤ 100,0 | |
| Характеристики включенного состояния ٭ | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | ≤ 1,2 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | ≤ 1,5 | |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE | ≥ 10 | |
| Временные характеристики работы транзистора | |||
| Время нарастания импульса, мкс | ton | UCC = 150 В, IC = 5,0 А, | ≤ 1,0 |
| Время сохранения импульса, мкс | ts (tstg) | ≤ 2,5 | |
| Время спадания импульса, мкс | tf | ≤ 1,0 | |
٭ — получено в режиме импульсного теста: ширина импульса 300 мкс, скважность не более 2%.
Схема проверки временных характеристик
На рисунке:
- PW = 20 мкс – длительность импульса напряжения управления по цепи базы.
- RL = 20 Ом – сопротивление коллекторной цепи.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | PС | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | RƟJC | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | 1,56 | TO-3P | ||||
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,17 | <1,2 | - / - / - | TO-3PN |
| 2SC2625B | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,55 | <1,2 | 1,0 / 2,0 / 1,0 |
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структрурой NPN, мезапланарные, предназначенные для применения в переключательных и импульсных устройствах аппаратуры широкого применения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | 1,2 | TO-3P | ||
| КТ834А | 100 | 500 | 400 | 8 | 15 | 150 | 150 | 1,5 | - / - / 0,6 | ТО-3 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 | 150 | 0,6 | 0,2 / 3,5 / 0,6 | ТО-3 | |
| КТ840Б | 750 | 350 | ||||||||
| КТ840В | 860 | 375 | ||||||||
| КТ847 | 125 | 650 | 650 | 8 | 15 | 200 | 8 - 25 | 1,5 | - / 3,0 / 1,5 | ТО-3 |
| 2Т856А | 125 | 950 | - | 5 | 10 | - | 10 - 60 | 1,5 | - / - / 0,5 | - |
| 2Т856Б | 750 | |||||||||
| 2Т856В | 550 | |||||||||
| 2Т856Г | 850 | |||||||||
| КТ862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 - 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | - |
| КТ862Г | 400 | |||||||||
| 2Т862В | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 | 150 | 12 - 50 | 1,5 | 0,5 / 2,0 / 0,5 | - |
| 2Т862Г | 400 | |||||||||
| КТ872А | 100 | - | 700 | 6 | 8 | 150 | 6 | 1 | - / 6,7 / 0,8 | ТО-218 |
| КТ872В | 600 | |||||||||
| КТ878А | 100 | - | 900 | 6 | 25 | 150 | 12 - 50 | 1,5 | - / 3,0 / - | ТО-3 |
| КТ878В | 600 | |||||||||
| 120 | 350 | 350 | 5 | 20 | 150 | 300 | 1,6 | - | ТО-218 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UEB | IC | TJ | hFE | RƟJC | UCE(sat) | ton / ts / tf | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2625 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 1,2 | TO-3P | |
| 2SC2626 | 80 | 450 | 300 | 7 | 15 | 150 | > 10 | 1,55 | 1,2 | 0,8 / 2,0 / 0,8 | TO-218 |
| 2SC3318 | 80 | 500 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 45 | 1,55 | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3320 | 80 | 500 | 400 | 7 | 15 | 150 | > 30 | - | 1 | 0,5 / 1,5 / 0,15 | TO-218 |
| 2SC3847 | 85 | 1200 | 800 | 7 | 10 | 150 | > 100 | - | 1,5 | 0,5 / 3,5 / 0,3 | TO-218 |
| 2SC4138 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 45 | - | 0,5 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4275 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 120 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4276 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 30 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4298 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 55 | - | 1,3 | 1,0 / 3,0 / 0,5 | TO-218 |
| 2SC4509 | 80 | 500 | 400 | 10 | 10 | 150 | > 10 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4510 | 80 | 500 | 400 | 10 | 15 | 150 | > 25 | 1,56 | 0,8 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3PML |
| 2SC4557 | 80 | 900 | 550 | 7 | 10 | 150 | > 10 | - | 0,5 | 1,0 / 5,0 / 0,5 | TO-3PML |
| 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | 15 - 35 | - | 1 | 0,5 / 3,0 / 0,3 | TO-218 | |
| 2SC5352 | 80 | 600 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 20 | - | 1 | 0,5 / 2,0 / 0,3 | TO-3PN |
| 2SC5924 | 90 | 900 | 600 | - | 14 | > 10 | - | - | - / - / - | TO-3PF | |
| KSC5024R/O/Y | 90 | 800 | 500 | 7 | 10 | 150 | - | 1 | 1,0 / 2,5 / 0,5 | TO-3P | |
| MJE13009K/P | 80 | 700 | 400 | 9 | 12 | 150 | > 40 | 1,55 | 1,5 | 1,0 / 3,0 / 0,7 | TO-3P TO-220 |
| MJE13011 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | 150 | > 10 | - | 1,5 | 1,0 / 2,0 / 1,0 | TO-3P |
| T25 | 80 | 450 | 400 | 7 | 10 | - | > 30 | - | - | - / - / - | TO-3PN |
| TT2148 | 80 | 500 | 400 | 7 | 12 | 150 | > 20 | - | 0,8 | 0,5 / 2,5 / 0,3 | TO-3PB |
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока IC от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) IB.
Характеристика снята при температуре корпуса TC = 25°C.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор -эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики получены при соотношении токов IC/IB = 5 и при температуре корпуса транзистора TC = 25°C.
Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора ton, ts, tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Кривые сняты при температуре корпуса транзистора TC = 25°C и при соотношениях: IC = 5IB1, IB1 = -IB2 (см. схему измерений временных характеритсик).
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.
Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей PW: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.
Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности PC транзистора при нарастании температуры корпуса TC.
Автор публикации
