Транзистор 2SC2625: характеристики, цоколевка, аналоги

Транзистор 2SC2625

2SC2625 — кремниевый, со структурой NPN, диффузионный планарный транзистор для высокоскоростных высоковольтных переключающих цепей. Конструктивное исполнение – TO-3(P/PN).

Корпус, цоколевка и размеры

2SC2625

Предназначение

Транзистор разработан для применения в силовых переключающих цепях индуктивного характера, как-то: импульсных регуляторах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах, силовых усилителях общего назначения.

Характерные особенности

  • Высокое граничное напряжение коллектор-эмиттер: U(BR)CEO ≥ 400 В.
  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1,2 В при IC = 4,0 А, IB = 0,8 А.
  • Высокая скорость переключений: tf ≤ 1,0 мкс при IC = 5,0 А.
  • Удовлетворительная линейность изменения параметра hFE.
  • Незначительные различия в значениях параметров транзистора при поставке от партии к партии.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO450
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO7
Ток коллектора постоянный, АIC10
Ток коллектора импульсный, АICM20
Ток базы постоянный, АIB3
Предельная рассеиваемая мощность, Вт, при TC = 25°CPC80
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150°C
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С Tstg-55°C…+150°C
Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/ВтRƟJС1,56

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, ВU(BR)CBOIC = 1,0 мА, IE = 0≥ 450
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВU(BR)CEOIC = 10,0 мА, IB = 0≥ 400
Напряжение пробоя эмиттер-база, ВU(BR)EBOIE = 0,1 мА, IC = 0≥ 7,0
Ток коллектора выключения, мАICBOUCB = 450 В, IE = 0≤ 1,0
Ток эмиттера выключения, мкА IEBOUEB = 7,0 В, IC = 0≤ 100,0
Характеристики включенного состояния ٭
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat)IC = 4,0 А, IB = 800 мА≤ 1,2
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 4,0 А, IB = 800 мА≤ 1,5
Статический коэффициент усиления по току hFE UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А≥ 10
Временные характеристики работы транзистора
Время нарастания импульса, мксtonUCC = 150 В, IC = 5,0 А,IB1 = IB2 = 1,0 А, RL = 30 Ом≤ 1,0
Время сохранения импульса, мксts (tstg)≤ 2,5
Время спадания импульса, мксtf≤ 1,0

٭ — получено в режиме импульсного теста: ширина импульса 300 мкс, скважность не более 2%.

Схема проверки временных характеристик

Схема проверки временных характеристик

На рисунке:

  • PW = 20 мкс – длительность импульса напряжения управления по цепи базы.
  • RL = 20 Ом – сопротивление коллекторной цепи.

Модификации (версии) транзистора

ТипPСUCBUCEUEBICTJhFERƟJCUCE(sat)ton / ts / tfКорпус
2SC262580450400710150> 101,56<1,21,0 / 2,5 / 1,0TO-3P
2SC262580450400710150> 101,17<1,2- / - / -TO-3PN
2SC2625B80450400710150> 101,55<1,21,0 / 2,0 / 1,0TO-3P(B)

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структрурой NPN, мезапланарные, предназначенные для применения в переключательных и импульсных устройствах аппаратуры широкого применения.

Отечественное производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJhFEUCE(sat)ton / ts / tfКорпус
2SC262580450400710150≥ 101,21,0 / 2,5 / 1,0TO-3P
КТ834А1005004008151501501,5- / - / 0,6ТО-3
КТ840А609004005615010 - 1000,60,2 / 3,5 / 0,6ТО-3
КТ840Б750350
КТ840В860375
КТ8471256506508152008 - 251,5- / 3,0 / 1,5ТО-3
2Т856А125950-510-10 - 601,5- / - / 0,5-
2Т856Б750
2Т856В550
2Т856Г850
КТ862В5060035051015012 - 501,50,5 / 2,0 / 0,5-
КТ862Г400
2Т862В5060035051015012 - 501,50,5 / 2,0 / 0,5-
2Т862Г400
КТ872А100-7006815061- / 6,7 / 0,8ТО-218
КТ872В600
КТ878А100-90062515012 - 501,5- / 3,0 / -ТО-3
КТ878В600
КТ890А/Б/В1203503505201503001,6-ТО-218

Зарубежное производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJhFERƟJCUCE(sat)ton / ts / tfКорпус
2SC262580450400710150> 101,561,21,0 / 2,5 / 1,0TO-3P
2SC262680450300715150> 101,551,20,8 / 2,0 / 0,8TO-218
2SC331880500400710150> 451,5510,5 / 1,5 / 0,15TO-218
2SC332080500400715150> 30-10,5 / 1,5 / 0,15TO-218
2SC3847851200800710150> 100-1,50,5 / 3,5 / 0,3TO-218
2SC4138805004001010150> 45-0,51,0 / 3,0 / 0,5TO-218
2SC4275805004001010150> 1201,560,81,0 / 2,5 / 0,5TO-218
2SC4276805004001015150> 301,560,81,0 / 2,5 / 0,5TO-218
2SC4298805004001015150> 55-1,31,0 / 3,0 / 0,5TO-218
2SC4509805004001010150> 101,560,81,0 / 2,5 / 0,5TO-3PML
2SC4510805004001015150> 251,560,81,0 / 2,5 / 0,5TO-3PML
2SC455780900550710150> 10-0,51,0 / 5,0 / 0,5TO-3PML
2SC5024R/O/Y9080050071015015 - 35-10,5 / 3,0 / 0,3TO-218
2SC535280600400710150> 20-10,5 / 2,0 / 0,3TO-3PN
2SC592490900600-14> 10--- / - / -TO-3PF
KSC5024R/O/Y9080050071015015 - 35-11,0 / 2,5 / 0,5TO-3P
MJE13009K/P80700400912150> 401,551,51,0 / 3,0 / 0,7TO-3P
TO-220
MJE1301180450400710150> 10-1,51,0 / 2,0 / 1,0TO-220/F
TO-3P
T2580450400710-> 30--- / - / -TO-3PN
TT214880500400712150> 20-0,80,5 / 2,5 / 0,3TO-3PB

Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Зависимость коллекторного тока от величины напряжения коллектор-эмиттер

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока IC от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) IB.

Характеристика снята при температуре корпуса TC = 25°C.

Зависимость статического коэффициента усиления от величины коллекторной нагрузки

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.

Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от величины коллекторной нагрузки

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор -эмиттер UCE(sat) и база-эмиттер UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристики получены при соотношении токов IC/IB = 5 и при температуре корпуса транзистора TC = 25°C.

Зависимости временных характеристик транзистора ton, ts, tf от величины коллекторной нагрузки

Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора ton, ts, tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Кривые сняты при температуре корпуса транзистора TC = 25°C и при соотношениях: IC = 5IB1, IB1 = -IB2 (см. схему измерений временных характеритсик).

Область безопасной работы транзистора

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.

Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей PW: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.

Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора при нарастании температуры корпуса

Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности PC транзистора при нарастании температуры корпуса TC.

radiosvod.ru
Добавить комментарий