2N60B – мощный полевой N-канальный транзистор с изолированным затвором. Элементы с такой структурой именуются МОП-транзисторами. Название возникло от сокращения слов Металл-Оксид-Полупроводник. В английской терминологии транзисторы этого типа называют MOSFIT-транзисторы. По первым буквам английских слов Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor.
Корпус и цоколевка
Особенности
- Впечатляющие выходные характеристики – 2,0A, 600V.
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 5,0 Ω.
- Малый заряд затвора, как правило 12,5 nC.
- Небольшая емкость затвор-сток, как правило 7,6 pF.
- Высокая скорость переключения.
- Тестирование 100% продукции в лавинных режимах.
Транзисторы 2N60B характеризуются улучшенными усилительными характеристиками. При их производстве используется технология DMOS, запатентованная американской компанией Fairchild. В результате полевые транзисторы имеют минимальное сопротивление в рабочем состоянии, высокоскоростные переключающие характеристики и выдерживают импульсы большой мощности в лавинном и переключающем режимах.
Комплекс параметров сделал силовые полевые транзисторы идеальными для использования в мощных инверторных источниках питания.
Таблица предельно допустимых значений
Производитель не гарантирует безопасную работу транзистора, если значения параметров превысят, указанные в таблице. В этом случае не гарантируется работа транзистора в номинальных режимах, согласно технической документации. Существует большая вероятность необратимого выхода элемента из строя.
Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.
| Обозначение | Параметр | SSW2N60B SSI2N60B | Ед.изм. |
|---|---|---|---|
| VDSS | Напряжение сток-исток | 600 | V |
| ID | Постоянный ток стока | ||
| TC=25°C | 2 | A | |
| TC =100°C | 1.3 | A | |
| IDM | Импульсный ток стока | 6 | A |
| VGSS | Напряжение затвор-исток | ±30 | V |
| EAS | Максимальная энергия одиночного импульса | 120 | mJ |
| IAR | Лавинный ток | 2 | A |
| EAR | Максимальная энергия повторяющихся импульсов | 5.4 | mJ |
| dv/dt | Скорость восстановления диода | 5.5 | V/ns |
| PD | Мощность рассеяния | ||
| TA = 25°C | 3.13 | W | |
| TC = 25°C | 54 | W | |
| TJ, Tstg | Диапазон безопасных температур хранения и работы | -55…+150 | °C |
| TL | Максимальная температура припоя при пайке на расстоянии 4мм от корпуса в течение 5 секунд | 300 | °C |
Тепловые характеристики
| Параметр | Обозначение | Тип. | Макс. | Ед.изм. |
|---|---|---|---|---|
| Тепловое сопротивление кристалл-корпус | RθJC | -- | 2,32 | °C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-воздух* | RθJA | -- | 40 | °C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-воздух | RθJA | -- | 62,5 | °C/W |
* – при установке элемента на теплоотвод минимально допустимых размеров.
Электрические характеристики
Данные в таблицах действительны при температуре корпуса 25°C.
Предельные значения
| Обозначение | Параметр | Условия измерений | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | Напряжение пробоя сток-исток | VGS = 0 V, ID = 250 µA | 600 | -- | -- | V |
| ∆BVDSS/∆TJ | Коэффициент напряжение пробоя/температура | ID = 250 µA при 25°C | -- | 0,65 | -- | V/°C |
| IDSS | Ток стока при нулевом напряжении затвора | VDS = 600 V, VGS = 0 V | -- | -- | 10 | µA |
| VDS = 480 V, TC = 125°C | -- | -- | 100 | µA | ||
| IGSSF | Прямой ток утечки затвор-корпус | VGS = 30 V, VDS = 0 V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSSR | Обратный ток утечки затвор-корпус | VGS = -30 V, VDS = 0 V | -- | -- | -100 | nA |
Рабочие параметры
| Обозначение | Параметр | Условия измерений | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS(th) | Пороговое напряжение открытия транзистора | VDS = VGS, ID = 250 µA | 2 | -- | 4 | V |
| RDS(on) | Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | VGS = 10 V, ID = 1.0 A | -- | 3.8 | 5 | Ω |
| gFS | Крутизна передаточной характеристики | VDS = 40 V, ID = 1.0 A | -- | 2.05 | -- | S |
Динамические параметры
| Обозна-чение | Параметр | Условия измерений | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Ciss | Входная емкость | VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz | -- | 380 | 490 | pF |
| Coss | Выходная емкость | -- | 35 | 46 | pF | |
| Crss | Проходная емкость | -- | 7.6 | 9.9 | pF |
Переключающие характеристики
| Обозна-чение | Параметр | Условия измерений | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|---|---|
| td(on) | Время включения (открытия) транзистора | VDD = 300 V, ID = 2.0 A, RG = 25 Ω | -- | 16 | 40 | ns |
| tr | Время переднего фронта импульса | -- | 50 | 110 | ns | |
| td(off) | Время выключения (закртытия) транзистора | -- | 40 | 90 | ns | |
| tf | Время спада импульса (задний фронт) | -- | 40 | 90 | ns | |
| Qg | Объем заряда на затворе для открытия транзистора | VDS = 480 V, ID = 2.0 A, VGS = 10 V | -- | 12.5 | 17 | nC |
| Qgs | Заряд перехода затвор-исток | -- | 2.2 | -- | nC | |
| Qgd | Заряд перехода затвор-сток | -- | 5.4 | -- | nC |
Параметры и максимальные значения перехода сток-исток
| Обозначение | Параметр | Условия измерений | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS | Максимальный непрерывный прямой ток перехода сток-исток | -- | -- | 2 | A | |
| ISM | Максимальный импульсный прямой ток перехода сток-исток | -- | -- | 6 | A | |
| VSD | Прямое напряжение перехода сток-исток | VGS = 0 V, IS = 2.0 A | -- | -- | 1.4 | V |
| trr | Время обратного восстановления | VGS = 0 V, IS = 2.0 A, dIF / dt = 100 A/ µs | -- | 250 | -- | ns |
| Qrr | Объем заряда для обратного восстановления | -- | 1.31 | -- | µC | |
Аналоги
В перечне полевых транзисторов, выпускаемых отечественной радиоэлектронной промышленностью, нет элементов, которые можно использовать для замены 2N60B.
Из импортных радиокомпонентов наиболее близкими по техническим параметрам являются полевые транзисторы компании STMicroelectronics, перечень которых приведен в таблице.
| Тип | VDSS | RDS(on) | ID | PW |
|---|---|---|---|---|
| 2N60B | 600 V | 5.0 Ω | 2.0 А | 3 W |
| STQ2HNK60ZR-AP | 600 V | < 4.8 Ω | 0.5 A | 3 W |
| STD2HNK60Z-1 | 600 V | < 4.8 Ω | 2.0 A | 45 W |
| STF2HNK60Z | 600 V | < 4.8 Ω | 2.0 A | 20 W |
| STP3NK60Z | 600 V | < 3.6 Ω | 2.4 A | 45 W |
| STP3NK60ZFP | 600 V | < 3.6 Ω | 2.4 A | 20 W |
| STB3NK60Z | 600 V | < 3.6 Ω | 2.4 A | 45 W |
| STD3NK60Z | 600 V | < 3.6 Ω | 2.4 A | 45 W |
| STD3NK60Z-1 | 600 V | < 3.6 Ω | 2.4 A | 45 W |
Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.
Графические данные
Рис.1. Выходные характеристики. Зависимость тока стока от напряжения сток-исток.
Рис. 2. Передаточные характеристики. Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток.
Рис. 3. Выходное сопротивление транзистора в активном состоянии Vs ток стока и напряжение на затворе. Зависимость сопротивления сток-исток от тока стока.
Рис. 4 Зависимость обратного тока стока и температуры корпуса от напряжения исток-сток открытого транзистора.
Автор публикации
