Транзистор 2N60B: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги

Транзистор 2N60B

2N60B – мощный полевой N-канальный транзистор с изолированным затвором. Элементы с такой структурой именуются МОП-транзисторами. Название возникло от сокращения слов Металл-Оксид-Полупроводник. В английской терминологии транзисторы этого типа называют MOSFIT-транзисторы. По первым буквам английских слов Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor.

Корпус и цоколевка

Транзистор 2N60B

Особенности

  • Впечатляющие выходные характеристики – 2,0A, 600V.
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора 5,0 Ω.
  • Малый заряд затвора, как правило 12,5 nC.
  • Небольшая емкость затвор-сток, как правило 7,6 pF.
  • Высокая скорость переключения.
  • Тестирование 100% продукции в лавинных режимах.

Транзисторы 2N60B характеризуются улучшенными усилительными характеристиками. При их производстве используется технология DMOS, запатентованная американской компанией Fairchild. В результате полевые транзисторы имеют минимальное сопротивление в рабочем состоянии, высокоскоростные переключающие характеристики и выдерживают импульсы большой мощности в лавинном и переключающем режимах.

Комплекс параметров сделал силовые полевые транзисторы идеальными для использования в мощных инверторных источниках питания.

Таблица предельно допустимых значений

Производитель не гарантирует безопасную работу транзистора, если значения параметров превысят, указанные в таблице. В этом случае не гарантируется работа транзистора в номинальных режимах, согласно технической документации. Существует большая вероятность необратимого выхода элемента из строя.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

ОбозначениеПараметрSSW2N60B
SSI2N60B
Ед.изм.
VDSSНапряжение сток-исток600V
IDПостоянный ток стока
TC=25°C2A
TC =100°C1.3A
IDMИмпульсный ток стока6A
VGSSНапряжение затвор-исток±30V
EASМаксимальная энергия одиночного импульса120mJ
IARЛавинный ток2A
EARМаксимальная энергия повторяющихся импульсов5.4mJ
dv/dtСкорость восстановления диода5.5V/ns
PDМощность рассеяния
TA = 25°C3.13W
TC = 25°C54W
TJ, TstgДиапазон безопасных температур хранения и работы-55…+150°C
TLМаксимальная температура припоя при пайке на расстоянии 4мм от корпуса в течение 5 секунд300°C

Тепловые характеристики

ПараметрОбозначениеТип.Макс.Ед.изм.
Тепловое сопротивление кристалл-корпусRθJC--2,32°C/W
Тепловое сопротивление кристалл-воздух*RθJA--40°C/W
Тепловое сопротивление кристалл-воздухRθJA--62,5°C/W

* – при установке элемента на теплоотвод минимально допустимых размеров.

Электрические характеристики

Данные в таблицах действительны при температуре корпуса 25°C.

Предельные значения

ОбозначениеПараметрУсловия измеренийМин.Тип.Макс.Ед. изм
BVDSSНапряжение пробоя сток-истокVGS = 0 V, ID = 250 µA600----V
∆BVDSS/∆TJКоэффициент напряжение пробоя/температураID = 250 µA при 25°C--0,65--V/°C
IDSSТок стока при нулевом напряжении затвораVDS = 600 V, VGS = 0 V----10µA
VDS = 480 V, TC = 125°C----100µA
IGSSFПрямой ток утечки затвор-корпусVGS = 30 V, VDS = 0 V----100nA
IGSSRОбратный ток утечки затвор-корпусVGS = -30 V, VDS = 0 V-----100nA

Рабочие параметры

ОбозначениеПараметрУсловия измеренийМин.Тип.Макс.Ед. изм.
VGS(th)Пороговое напряжение открытия транзистораVDS = VGS, ID = 250 µA2--4V
RDS(on)Сопротивление сток-исток в открытом состоянииVGS = 10 V, ID = 1.0 A--3.85
gFSКрутизна передаточной характеристикиVDS = 40 V, ID = 1.0 A--2.05--S

Динамические параметры

Обозна-чениеПараметрУсловия измеренийМин.Тип.Макс.Ед. изм.
CissВходная емкостьVDS = 25 V, VGS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--380490pF
CossВыходная емкость--3546pF
CrssПроходная емкость--7.69.9pF

Переключающие характеристики

Обозна-чениеПараметрУсловия измеренийМин.Тип.Макс.Ед. изм.
td(on)Время включения (открытия) транзистораVDD = 300 V, ID = 2.0 A,
RG = 25 Ω
--1640ns
trВремя переднего фронта импульса--50110ns
td(off)Время выключения (закртытия) транзистора--4090ns
tfВремя спада импульса (задний фронт)--4090ns
QgОбъем заряда на затворе для открытия транзистораVDS = 480 V, ID = 2.0 A,
VGS = 10 V
--12.517nC
QgsЗаряд перехода затвор-исток--2.2--nC
QgdЗаряд перехода затвор-сток--5.4--nC

Параметры и максимальные значения перехода сток-исток

ОбозначениеПараметрУсловия измеренийМин.Тип.Макс.Ед. изм.
ISМаксимальный непрерывный прямой ток перехода сток-исток----2A
ISMМаксимальный импульсный прямой ток перехода сток-исток----6A
VSDПрямое напряжение перехода сток-истокVGS = 0 V, IS = 2.0 A----1.4V
trrВремя обратного восстановленияVGS = 0 V, IS = 2.0 A,
dIF / dt = 100 A/ µs
--250--ns
QrrОбъем заряда для обратного восстановления--1.31--µC

Аналоги

В перечне полевых транзисторов, выпускаемых отечественной радиоэлектронной промышленностью, нет элементов, которые можно использовать для замены 2N60B.

Из импортных радиокомпонентов наиболее близкими по техническим параметрам являются полевые транзисторы компании STMicroelectronics, перечень которых приведен в таблице.

ТипVDSSRDS(on)IDPW
2N60B600 V5.0 Ω2.0 А3 W
STQ2HNK60ZR-AP600 V< 4.8 Ω0.5 A3 W
STD2HNK60Z-1600 V< 4.8 Ω2.0 A45 W
STF2HNK60Z600 V< 4.8 Ω2.0 A20 W
STP3NK60Z600 V< 3.6 Ω2.4 A45 W
STP3NK60ZFP600 V< 3.6 Ω2.4 A20 W
STB3NK60Z600 V< 3.6 Ω2.4 A45 W
STD3NK60Z600 V< 3.6 Ω2.4 A45 W
STD3NK60Z-1600 V< 3.6 Ω2.4 A45 W

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

Графические данные

 

Выходные характеристики

Рис.1. Выходные характеристики. Зависимость тока стока от напряжения сток-исток.

Передаточные характеристики

Рис. 2. Передаточные характеристики. Зависимость тока стока от напряжения затвор-исток.

Выходное сопротивление транзистора в активном состоянии Vs ток стока и напряжение на затворе

Рис. 3. Выходное сопротивление транзистора в активном состоянии Vs ток стока и напряжение на затворе. Зависимость сопротивления сток-исток от тока стока.

Зависимость обратного тока стока и температуры корпуса от напряжения исток-сток открытого транзистора

Рис. 4 Зависимость обратного тока стока и температуры корпуса от напряжения исток-сток открытого транзистора.

radiosvod.ru
Добавить комментарий