Транзистор 2N5551

2N5551 — Кремниевый, NPN, высоковольтный усилительный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – TO-92 и SMD (SOT-23 и др.).

Корпус, цоколевка и размеры

Предназначение

Переключающие и усилительные схемы в высоковольтных приложениях (например, телефония или драйверы газоразрядных приборов).

Характерные особенности

• Высокое пробивное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер: U_CBO = 180 В, U_CEO =160 В.
• Малый ток утечки: I_CBO = 50 нА при U_CE = 120 В.
• Низкое напряжение насыщения: U_CE(sat) = 0,2 В при I_C = 50 мА.
• Низкий уровень шумов: NF ≤ 8 дБ.
• Комплементарная пара: 2N5401.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика		Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В		UCBO	180
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В		UCEO	160
Напряжение эмиттер – база транзистора, В		UEBO	6
Ток коллектора постоянный, А		IC	0,6
Предельная рассеиваемая мощность, Вт	TO-92	PC	0,625
	SOT-23 ٭	PC	0,35
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С		Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°		Tstg	-55…+150
Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт	TO-92	RƟJС	83,3
	SOT-23		-
Тепловое сопротивление p-n переход – внешняя среда, °С/Вт	TO-92	RƟJA	200
	SOT-23		357

٭ — транзистор 2N5551 в корпусе SOT-23 по каталогу имеет обозначение MMBT5551 (по даташит компании “Fairchild”).

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U(BR)CBO	IC = 1 мкА, IE = 0	≥ 180
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U(BR)CEO	IC = 1,0 мА, IB = 0	≥ 160
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U(BR)EBO	IE = 10,0 мкА, IC = 0	≥ 6
Ток коллектора выключения,	ICBO (1), нА	UCB = 120 В, IE = 0	≤ 50
	ICBO (2), мкА	UCB = 120 В, IE = 0, Ta = 100°C	≤ 50
Ток эмиттера выключения, нА	IEBO	UEB = 4,0 В, IC = 0	≤ 50
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat) (1)	IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА	≤ 0,15
	UCE(sat) (2)	IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА	≤ 0,20
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat) (1)	IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА	≤ 1,0
	UBE(sat) (2)	IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА	≤ 1,0
Статический коэффициент усиления по току	hFE (1)	UCE = 5,0 В, IC = 1,0 мА	≥ 80
	hFE (2)	UCE = 5,0 В, IC = 10,0 мА	80…250
	hFE (3)	UCE = 5,0 В, IC = 50,0 мА	≥ 30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГц	fT	IC = 10 мА, UCE = 10 В, f = 100 МГц	100…300
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФ	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	6
Входная емкость (базового перехода), пФ	Cib	UBE = 0,5 В, IE = 0, f = 1 МГц	20
Коэффициент усиления для малого сигнала	hfe	IC = 1,0 мА, UCE = 10 В, f = 1 кГц	50…250
Коэффициент шума	NF	IC = 250 мкА, UCE = 5 В, RS = 1 кОм, f = 10 Гц…15,7 кГц	≤ 8

Модификации (версии) транзистора

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус	Примечание
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551C	0,625	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5551CN	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	-	-	TO-92N
2N5551CSM	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	LCC1 ٭
2N5551DCSM	0,35	-	160	-	0,6	-	80	100	-	-	-	LCC2 ٭	Тот же MO-041BB
2N5551G	0,625	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	-	TO-92	Группы по hFE: A/B/C
2N5551G	0,5	180	160	6	0,6	150	80-400	100-300	6	8	-	SOT-89	Группы по hFE: A/B/C
2N5551HR	0,36	180	160	6	0,6	200	20-250	-	6	-	1-50	TO-18
2N5551HR	0,58	180	160	6	0,5	200	20-250	-	6	-	1-50	LCC3, UB ٭
2N5551K	0,625	180	160	6	0,6	150	50-300	100-300	6	-	-	TO-92	Группы по hFE: A/B/C
2N5551N	0,4	180	160	6	0,6	150	30-250	150	3	-	-	TO-92N
2N5551S	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: ZF
2N5551SC	0,35	180	160	6	0,6	150	150-250	100-300	-	-	-	SOT-23(1)	Маркировка: ZFC
BTN5551K3	0,9	180	160	6	0,6	150	≥ 50	≥ 100	6	-	-	TO-92L
H2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	50-400	100-300	6	-	-	TO-92	Группы по hFE: A/N/C
H5551	0,625	180	160	6	0,6	150	30-280	100-300	-	-	-	TO-92
2N5551SQ	0,5	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	-	-	SOT-89	Маркировка: BG1
MMBT5551	0,35	180	160	6	0,6	150	30-250	100-300	6	8	50-200	SOT-23	Маркировка: 3S

٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.

Примечание: параметр h_FE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. h_fe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.

Отечественно производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус	Примечание
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100 - 300	6	8	50-200	TO-92
КТ6117А	0,625	180	160	6	0,6	150	80-250	100	6	-	-	КТ-26	Тот же TO-92
КТ6127И	0,6	-	160	4	2	150	≥ 30	≥ 150	74	-	-	КТ-26	Тот же TO-92
КТ6127К	0,6	-	200	4	2	150	≥ 30	≥ 150	74	-	-	КТ-26	Тот же TO-92
КТ683А	1,2	150	150	7	1	150	40-120	50	15	-	-	SOT-32

Зарубежное производство

Тип	PC	UCB	UCE	UEB	IC	TJ	hFE	fT	Cob	NF	hfe	Корпус
2N5551	0,625	180	160	6	0,6	150	20-250	100-300	6	8	50-200	TO-92
2N5550	0,625	160	140	6	0,6	150	20-250	100-300	6	10	50-200	TO-92
2N5175	0,2	130	100	5	0,025	125	55	-	-	-	-	TO-98-1
2SC6136	0,5	600	285	8	0,7	150	60-200	-	-	-	-	TO-92
2SD1701	0,75	1700	-	8	0,8	150	10000	-	-	-	-	TO-92
ECG194	0,35	180	160	-	0,6	150	100	100	-	-	-	TO-92
HEPS0005	0,31	180	160	-	0,6	150	160	200	-	-	-	TO-92

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик