Транзистор 2N5551: характеристики, российкие аналоги

Транзистор 2N5551

2N5551 — Кремниевый, NPN, высоковольтный усилительный транзистор для общего применения. Конструктивное исполнение – TO-92 и SMD (SOT-23 и др.).

Корпус, цоколевка и размеры

Транзистор 2N5551

Предназначение

Переключающие и усилительные схемы в высоковольтных приложениях (например, телефония или драйверы газоразрядных приборов).

Характерные особенности

  • Высокое пробивное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер: UCBO = 180 В, UCEO =160 В.
  • Малый ток утечки: ICBO = 50 нА при UCE = 120 В.
  • Низкое напряжение насыщения: UCE(sat) = 0,2 В при IC = 50 мА.
  • Низкий уровень шумов: NF ≤ 8 дБ.
  • Комплементарная пара: 2N5401.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO180
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO160
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO6
Ток коллектора постоянный, АIC0,6
Предельная рассеиваемая мощность, ВтTO-92PC0,625
SOT-23 ٭PC0,35
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150
Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/ВтTO-92RƟJС83,3
SOT-23-
Тепловое сопротивление p-n переход – внешняя среда, °С/ВтTO-92RƟJA200
SOT-23357

٭ — транзистор 2N5551 в корпусе SOT-23 по каталогу имеет обозначение MMBT5551 (по даташит компании “Fairchild”).

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Характеристики выключенного состояния
Напряжение пробоя коллектор-база, ВU(BR)CBOIC = 1 мкА, IE = 0≥ 180
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, ВU(BR)CEOIC = 1,0 мА, IB = 0≥ 160
Напряжение пробоя эмиттер-база, ВU(BR)EBOIE = 10,0 мкА, IC = 0≥ 6
Ток коллектора выключения, ICBO (1), нАUCB = 120 В, IE = 0≤ 50
ICBO (2), мкАUCB = 120 В, IE = 0, Ta = 100°C≤ 50
Ток эмиттера выключения, нА IEBOUEB = 4,0 В, IC = 0≤ 50
Характеристики включенного состояния
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) (1)IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА≤ 0,15
UCE(sat) (2) IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА≤ 0,20
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) (1) IC = 10,0 мА, IB = 1,0 мА≤ 1,0
UBE(sat) (2)IC = 50,0 мА, IB = 5,0 мА≤ 1,0
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 5,0 В, IC = 1,0 мА≥ 80
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 10,0 мА80…250
hFE (3) UCE = 5,0 В, IC = 50,0 мА≥ 30
Характеристики работы в режиме малого сигнала
Граничная частота усиления (частота среза), МГцfTIC = 10 мА, UCE = 10 В, f = 100 МГц100…300
Выходная емкость (коллекторного перехода), пФCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц6
Входная емкость (базового перехода), пФCibUBE = 0,5 В, IE = 0, f = 1 МГц20
Коэффициент усиления для малого сигналаhfeIC = 1,0 мА, UCE = 10 В, f = 1 кГц50…250
Коэффициент шумаNFIC = 250 мкА, UCE = 5 В,
RS = 1 кОм, f = 10 Гц…15,7 кГц
≤ 8

Модификации (версии) транзистора

Тип PCUCBUCEUEB ICTJ hFE fT Cob NF hfeКорпусПримечание
2N55510,62518016060,615020-250100-3006850-200TO-92
2N5551C0,62518016060,615030-250100-3006850-200TO-92
2N5551CN0,418016060,615030-2501503--TO-92N
2N5551CSM0,3518016060,615030-250100-3006850-200LCC1 ٭
2N5551DCSM0,35-160-0,6-80100---LCC2 ٭Тот же MO-041BB
2N5551G0,62518016060,615080-400100-30068-TO-92Группы по hFE: A/B/C
2N5551G0,518016060,615080-400100-30068-SOT-89Группы по hFE: A/B/C
2N5551HR0,3618016060,620020-250-6-1-50TO-18
2N5551HR0,5818016060,520020-250-6-1-50LCC3, UB ٭
2N5551K0,62518016060,615050-300100-3006--TO-92Группы по hFE: A/B/C
2N5551N0,418016060,615030-2501503--TO-92N
2N5551S0,3518016060,615030-250100-3006850-200SOT-23Маркировка: ZF
2N5551SC0,3518016060,6150150-250100-300---SOT-23(1)Маркировка: ZFC
BTN5551K30,918016060,6150≥ 50≥ 1006--TO-92L
H2N55510,62518016060,615050-400100-3006--TO-92Группы по hFE: A/N/C
H55510,62518016060,615030-280100-300---TO-92
2N5551SQ0,518016060,615030-250100-3006--SOT-89Маркировка: BG1
MMBT55510,3518016060,615030-250100-3006850-200SOT-23Маркировка: 3S

٭ — корпуса SMD типа LCC 1/2/3 и UB – для тяжелых условий эксплуатации, требующих высокой степени надежности.

Примечание: параметр hFE – статический (по постоянному току) коэффициент усиления. hfe – коэффициент усиления по переменному току в режиме усиления малого сигнала (на определенной частоте).

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в высокочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.

Отечественно производство

ТипPCUCBUCEUEBICTJhFEfTCobNFhfeКорпус Примечание
2N55510,62518016060,615020-250100 - 3006850-200TO-92
КТ6117А0,62518016060,615080-2501006--КТ-26Тот же TO-92
КТ6127И0,6-16042150≥ 30≥ 15074--КТ-26Тот же TO-92
КТ6127К0,6-20042150≥ 30≥ 15074--КТ-26Тот же TO-92
КТ683А1,21501507115040-1205015--SOT-32

Зарубежное производство

Тип PCUCBUCEUEB ICTJ hFEfTCobNF hfeКорпус
2N55510,62518016060,615020-250100-3006850-200TO-92
2N55500,62516014060,615020-250100-30061050-200TO-92
2N51750,213010050,02512555----TO-98-1
2SC61360,560028580,715060-200----TO-92
2SD17010,751700-80,815010000----TO-92
ECG1940,35180160-0,6150100100---TO-92
HEPS00050,31180160-0,6150160200---TO-92

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Зависимость статического коэффициента усиления от величины коллекторной нагрузки

Рис. 1. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при величине напряжения коллектор-эмиттер UCE = 5 В при различных значениях температуры среды Ta.

Зависимость напряжения насыщения от величины коллекторной нагрузки при различных температурах среды

Рис. 2. Зависимость напряжения насыщения UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC при различных температурах среды.

Соотношение токов IC / IB = β = 10.

Зависимость напряжения насыщения от величины коллекторной нагрузки IC при различных температурах среды

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения UBE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC при различных температурах среды.

Соотношение токов IC / IB = β = 10.

Зависимость между напряжением база-эмиттер и током коллектора

Рис. 4. Входная характеристика транзистора: зависимость между напряжением база-эмиттер UBE и током коллектора IC.

Характеристика снята при разных температурах среды и коллекторном напряжении UCE = 5 В.

Влияние температуры внешней среды на величину коллекторного тока выключения транзистора

Рис. 5. Влияние температуры внешней среды Ta на величину коллекторного тока выключения транзистора ICBO.

Характеристика снята при напряжении коллектор-база UCB = 100 В.

Зависимости входной и выходной емкости от величины обратного напряжения коллектор-эмиттер

Рис. 6. Зависимости входной Сib и выходной емкости Ccb от величины обратного напряжения UCE коллектор-эмиттер.

Характеристика при частоте сигнала f = 1 МГц.

Зависимость коэффициента усиления в режиме малого сигнала от величины коллекторной нагрузки

Рис. 7. Зависимость коэффициента усиления в режиме малого сигнала hfe от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В на частоте 20 МГц.

Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора при возрастании температуры корпуса

Рис. 8. Ограничение величины рассеиваемой мощности транзистора PC при возрастании температуры корпуса TC.

Характеристика дана для двух разных конструктивных исполнений: TO-92 и SOT-23.

radiosvod.ru
Добавить комментарий